Portal:Mikroelektronik/Themen
Theorie
- Quantenmechanik – Bändermodell – Dotierung – p-n-Übergang – Raumladungszone – Heteroübergang – Dünnschichttechnik
Material
- Silizium – Einkristall – Galliumarsenid – Galliumnitrid – Aluminiumgalliumarsenid – Siliziumdioxid – Siliziumnitrid – Germanium – Indium – III-V-Verbindungshalbleiter – II-VI-Verbindungshalbleiter – Low-k-Dielektrikum – High-k-Dielektrikum – PTCDA – MePTCDI – Chinacridon – Perinon – Indanthron – Flavanthron – Perylen – Pentacen – gestrecktes Silizium –
Halbleitertechnik
- Reinraum – Czochralski-Verfahren – Zonenschmelzverfahren – Wafer – Die – Chipgehäuse – Spektroskopie – Rasterelektronenmikroskop
- Ätzen – chemisch-mechanisches Polieren – chemische Gasphasenabscheidung (CVD) – Dickschicht-Hybridtechnik – Drahtbonden – Epitaxie – Fotolithografie – Galvanik – Ionenimplantation – physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) – Rotationsbeschichtung – Sputtern – Trockenätzen – Leistungselektronik – Antifuse-Technologie – Elektromigration
Entwicklung
- Chipentwurf – Digitaltechnik – Floorplanning – Schaltungs- und Systementwurf – VLSI – Synthese – Verilog – VHDL – Validierung
Geschichte und Personen
- Albert Einstein – William B. Shockley – Jean Hoerni – Jack Kilby – Robert Widlar – Gordon Moore – Percy Williams Bridgman – Leo Esaki – Hiroo Inokuchi
Industrie
- Top-Ten der Halbleiterhersteller: Samsung Electronics – Intel – Nvidia – SK Hynix – Qualcomm – Micron Technology – Broadcom Inc. – AMD – Apple – Infineon – Halbleiterindustrie:Foundry – Fabless – Mooresches Gesetz