Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ ({{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Vorlage:lang:103: attempt to index field 'wikibase' (a nil value), IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren. Im Unterschied zur anderen Gruppe, den Feldeffekttransistoren mit nicht isolierter Steuerelektrode ({{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value), NIGFET) wird beim IGFET der Stromfluss durch Ladungsträgerinfluenz (elektrostatische Induktion) über ein vom leitfähigen Kanal elektrisch isoliertes Gate gesteuert.
IGFETs werden alternativ auch nach der typischen Schichtstruktur (Metall-Isolator-Halbleiter, engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value), MIS) als MISFETs bezeichnet. Häufig wird die Abkürzung des populärsten Vertreters dieser Obergruppe, dem MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-FET), als Synonym für IGFET bzw. MISFET benutzt. Dies ist in der Entwicklungsgeschichte der Mikroelektronik begründet, bei der Siliziumdioxid auch heute (2013) noch das meistverwendete Material für das Gate-Oxid ist. Die Verwendung eines Oxids für die Isolationsschicht (sei es Siliziumdioxid oder neuere High-k-Materialien wie Hafniumdioxid) ist jedoch nur eine Möglichkeit. Alternative Materialien sind Siliziumnitrid, Polymere (bei neueren auf organischen Halbleitern basierenden Schaltkreisen) oder Kombinationen aus verschiedenen Materialien (beispielsweise Nitrid und Oxid, wie beim Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-FET, MNOSFET).
Man unterscheidet im Wesentlichen folgende Feldeffekttransistorarten (mit isoliertem Gate, IGFETs):
- Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MISFET)
- chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value), ChemFET)
- Ionensensitiver Feldeffekttransistor (ISFET)
- Enzym-Feldeffekttransistor (ENFET)
- {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value) (EOSFET)
- Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor (CNTFET)
→ Hauptartikel zur Funktionsweise: Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Literatur
- Heinz Beneking: Feldeffekttransistoren. Springer-Verlag GmbH, 1982, ISBN 978-3-540-06377-3.
