Spin-Transistor

Der Spin-Transistor, abgekürzt Spin-FET, stellt eine Gruppe von speziellen Feldeffekttransistoren (FET) dar, welche die quantenmechanische Eigenschaft des Spin von Elektronen im Rahmen des Rashba-Effektes nutzen. Herkömmliche Feldeffekttransistoren, welche Bauelemente der Elektronik sind, verwenden nur die elektrische Ladung zur Informationsspeicherung und zur Verstärkung von elektrischen Signalen.

Spin-Transistoren werden der Spintronik, einen Zweig der Nanotechnologie, zugeordnet und dienen in den bisher bestehenden Anwendungen zur nicht flüchtigen Informationsspeicherung in speziellen Speichern wie den magnetoresistiven Random Access Memory (MRAM).

Erste Arbeiten zu Spin-Transistoren erfolgten in den 1990er Jahren an den Bell Laboratories.<ref>{{#if:{{#ifexpr:{{#if:US|0|1}} or {{#if:5432373|0|1}}|1}}||}}{{#if: {{#invoke:Expr|TemplateBooland}}|{{#ifeq:|Patentanmeldung|Patentanmeldung|{{#ifeq:|Gebrauchsmuster|Gebrauchsmuster|Patent}}}} {{#if:{{#invoke:TemplUtl|faculty|}}|US5432373A|{{#switch: {{{DB}}} | DEPATIS =US5432373A | WIPO = US5432373 | Google = US5432373A | #default =US5432373A }}}}{{#if:Magnetic spin transistor1994-11-291995-07-11Bell Communication ResMark B. Johnson|:|.}}{{#if:Magnetic spin transistor| Magnetic spin transistor.}}{{#if:1994-11-29| Angemeldet am {{#iferror:{{#invoke:Vorlage:FormatDate|Execute}}|}}{{#if:1995-07-11Bell Communication ResMark B. Johnson|,}}}}{{#if:1995-07-11|{{#if:1994-11-29| veröffentlicht am | Veröffentlicht am }}{{#iferror:{{#invoke:Vorlage:FormatDate|Execute}}|}}{{#if:Bell Communication ResMark B. Johnson|,}}}}{{#if:Bell Communication Res| Anmelder: Bell Communication Res{{#if:Mark B. Johnson|,}}}}{{#if:Mark B. Johnson| Erfinder: Mark B. Johnson}}{{#if:| ({{{Kommentar}}})}}{{#if:1994-11-291995-07-11Bell Communication ResMark B. Johnson|.}}‌}}{{#invoke:TemplatePar|match |template= Vorlage:Patent |cat= {{#ifeq: 0 | 0 | Wikipedia:Vorlagenfehler/Vorlage:Patent}} |format= |preview= |1=Land= ABC+ |2=V-Nr= /^[0-9A-Z]+$/ |3=Titel= * |4=Erfinder= * |5=Anmelder= * |6=A-Datum= * |7=V-Datum= * |8=Typ= ASCII |9=Code= ASCII |10=Kommentar= * |11=KeinLink= ASCII |12=DB=ASCII }}</ref> Spin-Transistoren sind im Grundlagensektor der Halbleitertechnologie Teil von verschiedenen Forschungsprojekten,<ref>{{#invoke:Vorlage:Literatur|f}}</ref><ref>{{#if:{{#ifexpr:{{#if:US|0|1}} or {{#if:6218718|0|1}}|1}}||}}{{#if: {{#invoke:Expr|TemplateBooland}}|{{#ifeq:|Patentanmeldung|Patentanmeldung|{{#ifeq:|Gebrauchsmuster|Gebrauchsmuster|Patent}}}} {{#if:{{#invoke:TemplUtl|faculty|}}|US6218718B1|{{#switch: {{{DB}}} | DEPATIS =US6218718B1 | WIPO = US6218718 | Google = US6218718B1 | #default =US6218718B1 }}}}{{#if:Spin transistor1999-08-022001-04-17ISIS InnovationJohn Francis Gregg, Patricia Dresel Sparks|:|.}}{{#if:Spin transistor| Spin transistor.}}{{#if:1999-08-02| Angemeldet am {{#iferror:{{#invoke:Vorlage:FormatDate|Execute}}|}}{{#if:2001-04-17ISIS InnovationJohn Francis Gregg, Patricia Dresel Sparks|,}}}}{{#if:2001-04-17|{{#if:1999-08-02| veröffentlicht am | Veröffentlicht am }}{{#iferror:{{#invoke:Vorlage:FormatDate|Execute}}|}}{{#if:ISIS InnovationJohn Francis Gregg, Patricia Dresel Sparks|,}}}}{{#if:ISIS Innovation| Anmelder: ISIS Innovation{{#if:John Francis Gregg, Patricia Dresel Sparks|,}}}}{{#if:John Francis Gregg, Patricia Dresel Sparks| Erfinder: John Francis Gregg, Patricia Dresel Sparks}}{{#if:| ({{{Kommentar}}})}}{{#if:1999-08-022001-04-17ISIS InnovationJohn Francis Gregg, Patricia Dresel Sparks|.}}‌}}{{#invoke:TemplatePar|match |template= Vorlage:Patent |cat= {{#ifeq: 0 | 0 | Wikipedia:Vorlagenfehler/Vorlage:Patent}} |format= |preview= |1=Land= ABC+ |2=V-Nr= /^[0-9A-Z]+$/ |3=Titel= * |4=Erfinder= * |5=Anmelder= * |6=A-Datum= * |7=V-Datum= * |8=Typ= ASCII |9=Code= ASCII |10=Kommentar= * |11=KeinLink= ASCII |12=DB=ASCII }}</ref> konnten sich aber bisher nicht in wirtschaftlich bedeutenden Anwendungen durchsetzen.

Einzelnachweise

<references />