Instytut Technologii Elektronowej

Instytut Technologii Elektronowej
	colspan="2" class="notheme" style="text-align:center; background-color:#Vorlage:Standardfarbe;" \| Instytut Technologii Elektronowej ; Logo des Instytut Technologii Elektronowej
Kategorie:	Forschungseinrichtung
Standort der Einrichtung:	Warschau
Außenstellen:	Piaseczno, Krakau
Art der Forschung:	Grundlagenforschung, Angewandte Forschung
Fächer:	Ingenieurwissenschaften
Leitung:	Zbigniew Poznański
Mitarbeiter:	255, davon 5 Professoren, 13 D.Sc., 48 Ph.D.<ref>STAFF. In: ITE Homepage. Archiviert vom Vorlage:IconExternal am 1. Dezember 2020; abgerufen am 1. Dezember 2020.</ref>
Homepage:	www.ite.waw.pl/

Das {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value) (kurz ITE) ist eine polnische Forschungseinrichtung. Das ITE betreibt Grundlagen- und Angewandte Forschung in der Mikro- und Nanotechnologie.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Ziel der Forschung auf der Homepage des ITE (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>

Geschichte

Gegründet wurde das Instytut Technologii Elektronowej 1966 durch den Ministerrat als Forschungseinrichtung der Polnischen Akademie der Wissenschaften, mit der Zielsetzung Grundlagen- und angewandte Forschung in der Halbleiterelektronik und -physik zu betreiben. 1970 wurde das ITE in ein industrielles Institut unter der Aufsicht des Ministeriums für Industrie umgewandelt und an das {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value) (CEMI) ({{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Vorlage:lang:103: attempt to index field 'wikibase' (a nil value)) angegliedert. Neuer Forschungsauftrag war die Entwicklung neuer Halbleiterbauelementen und -technologien. Zudem sollten die neu entwickelten Technologien durch das ITE in die Massenproduktion überführt und die Produktion beaufsichtigt werden. Im Jahr 1991 verließ das ITE das CEMI und wurde wieder ein eigenständiges Forschungs- und Entwicklungsinstitut unter der Aufsicht des Wirtschaftsministeriums. Zu dieser Gelegenheit wurde die Zielsetzung des Instituts neu gesetzt: Ziel ist seitdem die Forschung auf internationalem Niveau und die Entwicklung neuer Halbleitertechnologien für neue Produkte. Im Jahr 2000 wurde eine neue Pilotlinie für Siliziumhalbleiterprodukte ({{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value)) in Piaseczno eröffnet. Im April 2002 wurde das Forschungs- und Entwicklungszentrum für Hybride Mikroelektronik und Widerstände in Krakau ins ITE eingegliedert.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage des ITE HISTORICAL OUTLINE (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>

Das ITE ist seit 2002 nach ISO 9001:2002 zertifiziert.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Zertifizierungsurkunde auf der Homepage des ITE (Memento vom 21. Februar 2016 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>

In seiner Geschichte erhielt das ITE einige nationale und internationale Auszeichnungen.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />ITE Homepage AWARDS (Memento vom 24. Januar 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>

Forschung und Entwicklung

Das ITE hat acht Forschungsabteilungen:<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Forschungsabteilungen auf der Homepage des ITE (Memento vom 22. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>

Department of Photonics widmet sich der Erforschung neuer Lichtquellen für industrielle, medizinische und umwelttechnische Anwendungen. Dazu gehört die Erforschung neuer Laser Technologien und optische Detektoren.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage des Department of Photonics (Memento vom 22. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Mai 2011.</ref>
Division of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology erforscht ein breites Spektrum an Technologien für die Mikro- und Nanotechnologie, von optischen Detektoren bis hin zu kompletten integrierten Systemen.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage der Division of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>
Department of Micro- and Nanotechnology of Wide Bandgap Semiconductors erforscht Fertigungsprozesse und Bauelemente auf Basis verschiedener Halbleiter, wie bspw. III-V Halbleiter, GaN, GaSb und ZnO.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage des Department of Micro- and Nanotechnology of Wide Bandgap Seminconductors (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>
Department of Microelectronics (Krakow) betreibt Forschung auf den Gebieten keramische Materialien, der Mikromontage, Medizinelektronik und Messtechnik.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage des Department of Microelectronics (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>
Department of Materials and Semiconductor Structures Research beschäftigt sich mit der strukturellen, optischen und elektrischen Charakterisierung von Materialien und Bauelementen.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage des Department of Materials and Semiconductor Structures Research (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>
Department of Integrated Circuits and Systems beschäftigt sich mit der Entwicklung und dem Design mikroelektronischer Schaltungen und mikrotechnischer Systeme. Zurzeit liegt der Fokus auf der Integration heterogener Systeme, der Entwicklung von RF-Schaltungen und der Elektromagnetische Verträglichkeit von ICs.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage des Department of Integrated Circuits and Systems (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>
Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures entwickelt neue Methoden zur Charakterisierung von MOS-Bauelementen und anderen Halbleiter-Nanostrukturen. Für die neuen Methoden werden neue physikalische Modelle entwickelt.<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage des Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011</ref>
Department of Analysis of Semiconductor Nanostructures<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage des Department of Analysis of Semiconductor Nanostructures (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref>

Vor kurzem wurden zudem zwei Kompetenzzentren eröffnet. Das CEPHONA<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Kurzbeschreibung CEPHONA (Memento vom 10. Oktober 2007 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref> erforscht die Physik und Technologie zur Herstellung photonischer Nanostrukturen. Das MANTARC<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Kurzbeschreibung MANTARC (Memento vom 10. Oktober 2007 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref> betreibt angewandte Forschung im Bereich der Mikro- und Nanotechnologie. Ziel des Zentrums ist es MEMS/MOEMS für wissenschaftliche und industrielle Anwendungen zu entwickeln.

Kooperationen

Das ITE unterhält Kooperationen mit verschiedenen Partner und ist Mitglied in den Netzwerken.

Netzwerke<ref><templatestyles src="Webarchiv/styles.css" />Homepage des ITE, ITE ACTIVITY IN EUROPEAN NETWORKS (Memento vom 23. November 2011 im Internet Archive). Abgerufen am 25. Juni 2011.</ref><ref>Polnische Homepage des ITE</ref>:

Weblinks

Quellen

52.1768221.00928Koordinaten: 52° 10′ 36,6″ N, 21° 0′ 33,4″ O

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