Zum Inhalt springen

NIGFET

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Dies ist die aktuelle Version dieser Seite, zuletzt bearbeitet am 19. November 2022 um 13:36 Uhr durch imported>Cepheiden.
(Unterschied) ← Nächstältere Version | Aktuelle Version (Unterschied) | Nächstjüngere Version → (Unterschied)
Datei:Scheme of n-junction field-effect transistor de.svg
Schema eines NIGFET, hier n-Kanal-JFET

NIGFET ({{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Vorlage:lang:103: attempt to index field 'wikibase' (a nil value), dt. »Feldeffekttransistor mit nicht isolierter Steuerelektrode«) die Bezeichnung für eine Gruppe von Feldeffekttransistoren, bei denen der Stromfluss durch eine angelegte Steuerspannung quer zur Flussrichtung gesteuert wird. Dabei werden durch die angelegte Spannung Raumladungszonen ausgebildet, die die Leitfähigkeit des Transistors verringern und dadurch den elektrischen Stromfluss beeinflussen.

Verschiedene Bauarten des NIGFET sind:

  • Sperrschicht-FET (engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value), JFET)
  • Metall-Halbleiter-FET (engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value), MeSFET)

Literatur

  • Heinz Beneking: Feldeffekttransistoren. Springer-Verlag, Berlin 1973, ISBN 3-540-06377-3.