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High Electron Mobility Transistor

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Dies ist die aktuelle Version dieser Seite, zuletzt bearbeitet am 4. September 2010 um 09:12 Uhr durch imported>Cepheiden (hat „High Electron Mobility Transistor“ nach „High-electron-mobility transistor“ verschoben: Im englischen koppelt man zusammengehörige Teile auch durch (allerdings nicht alles) vgl. K. K. Ng, "A survey of semiconductor devices," IEE…).
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