Aluminiumgalliumarsenid

Kristallstruktur
Struktur von Galliumarsenid
Vorlage:Farbe Ga3+/Al3+ 0 Vorlage:Farbe As3−
Allgemeines
Name	Aluminiumgalliumarsenid
Verhältnisformel	AlxGa1−xAs
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer nicht vergeben ECHA-InfoCard PubChem DrugBank Wikidata [[:d:|]]
Eigenschaften
Molare Masse	variabel
Aggregatzustand	fest<ref name="Sadao Adachi"></ref>
Dichte	(5,32 − 1,56·x) g·cm−3 (bei 300 K)<ref name="ioffe">Basic Parameters at 300 K, abgerufen am 29. April 2021.</ref>
Schmelzpunkt	(1240 − 58·x + 558·x2) °C<ref name="ioffe" />
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),<ref name="CLP_100.240.769">Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag Vorlage:Linktext-Check in der Datenbank ECHA CHEM der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA)Vorlage:Abrufdatum Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.</ref> ggf. erweitert<ref name="GESTIS">Eintrag zu Vorlage:Linktext-Check in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFAVorlage:Abrufdatum (JavaScript erforderlich)</ref> Gefahrensymbol Gefahrensymbol Gefahr H- und P-Sätze H: 331​‐​301​‐​410 P: ?
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Aluminiumgalliumarsenid (Al_xGa_1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu dem gleichen Gitterparameter wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann bei der Synthese zwischen 0 und 100 % variiert werden, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0,4 liegt eine direkte Bandlücke vor, ansonsten besteht eine indirekte Bandlücke.

Die Formel AlGaAs wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist.

Die ternäre Verbindung AlGaAs ist ein sehr wichtiges Materialsystem in der Grundlagenforschung und industriellen Anwendung. Wegen des von der Zusammensetzung nahezu unabhängigen Gitterparameters ist es mit epitaktischen Methoden wie der Molekularstrahlepitaxie oder der metallorganischen Gasphasenepitaxie (engl.: metal organic vapor phase epitaxy, MOVPE) möglich, unverspannte Halbleiter-Heterostrukturen herzustellen.

Die Möglichkeit, die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für elektronische Bauelemente wie Diodenlaser, Leuchtdioden, Heterojunction bipolar transistoren (HBT) und High Electron Mobility Transistoren (HEMT).

Die Verbindung besitzt eine Kristallstruktur vom Zinkblendetyp mit der Raumgruppe F43m (Raumgruppen-Nr. 216)Vorlage:Raumgruppe/216.<ref name="ioffe" />

Literatur

• Sadao Adachi: Properties of aluminium gallium arsenide. IET, 1993, ISBN 978-0-85296-558-0 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

Weblinks

• Physikalische Daten, Joffe-Institut St.Petersburg (engl.)

Einzelnachweise

<references />