Extrem ultraviolette Strahlung
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Extrem ultraviolette Strahlung (EUV, EUV-Strahlung, engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value), XUV) bezeichnet den Spektralbereich elektromagnetischer Strahlung zwischen 10 nm und 121 nm.<ref name="ISO21348">ISO 21348 1. Mai 2007. Space environment (natural and artificial) — Process for determining solar irradiances.</ref> Dies entspricht Photonen-Energien zwischen etwa 10,25 eV und 124 eV. Damit bezeichnet EUV einen Wellenlängenbereich an der Grenze zur Röntgenstrahlung, der sich mit der Vakuum-Ultraviolettstrahlung (VUV, nach ISO21348 10–200 nm<ref name="ISO21348" />, nach DIN 5031 100–200 nm<ref>DIN 5031 Teil 7, Januar 1984. Strahlungsphysik im optischen Bereich und Lichttechnik. Benennung der Wellenlängenbereiche .</ref>) überschneidet.
Gebräuchliche Grenzen
Neben den oben genannten Wellenlängengrenzen gibt es noch weitere:<ref name="ISO21348" />
- die untere Grenzwellenlänge beträgt 30 nm
- die obere Grenzwellenlänge entspricht
- der Ersten Ionisationsenergie von Sauerstoff (ca. 100 nm)
- der Transmissionsgrenze von Magnesiumfluorid (ca. 120 nm)
- der Wellenlänge des Lyman-α-Übergangs bei 121,6 nm
Die Abkürzung XUV wird ebenfalls mit der englischen Bezeichnung {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:153: attempt to index field 'data' (a nil value) in Zusammenhang gebracht. Laut ISO 21348<ref name="ISO21348" /> bezeichnet XUV (0,1–10 nm) jedoch den Spektralbereich ultravioletter Strahlung, der sich mit weicher Röntgenstrahlung überschneidet.
Anwendung
Die EUV-Lithografie ersetzt in der Halbleitertechnik derzeit die bisherige klassische Fotolithografie und ermöglicht die wirtschaftlichere Produktion aktueller mikroelektronischer Schaltungen sowie die Entwicklung von Schaltkreisen mit höheren Bauelementdichten. International haben sich die beteiligten F&E-Abteilungen bzw. -Institute auf eine Zentralwellenlänge von 13,5 nm geeinigt. Für die Lithographie kann üblicherweise nur eine Bandbreite von ca. 2 % genutzt werden. Seit 2018 wird die EUV-Lithographie kommerziell in der Halbleiterindustrie angewendet.<ref>Nico Ernst: Samsung fertigt 7-Nanometer-Chips mit EUV-Belichtern. In: heise online. 18. Oktober 2018, abgerufen am 11. Januar 2021.</ref> An den Forschungsarbeiten hierzu ist auch eine Gruppe des NIST in den USA beteiligt.<ref>Charles Tarrio, Thomas Lucatorto: How Extreme Ultraviolet Light Helps Give Us Smarter Smartphones and Stronger Satellites. In: NIST. 13. April 2020, abgerufen am 11. Januar 2021.</ref>
EUV-Strahlung bietet aufgrund der kurzen Wellenlänge und der starken Wechselwirkung mit Materie das Potential der Analyse und Strukturerzeugung mit Nanometer-Auflösung und typisch mehreren hundert Nanometern Eindringtiefe.
Literatur
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Einzelnachweise
<references />