https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=Y-Transistor 2026-05-28T23:38:12Z Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie MediaWiki 1.43.8 https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Y-Transistor&diff=492810&oldid=prev 2025-07-31T12:34:05Z

<p>BKL Fix</p> <p><b>Neue Seite</b></p><div>Der &#039;&#039;&#039;Y-Transistor&#039;&#039;&#039; gehört zur Gruppe der [[Kohärenz (Physik)|kohärenten]] [[Halbleiterbauelement]]e. Die [[Elektron]]en aus der Quelle gelangen in eine der beiden Y-Verzweigungen, wobei der Strom durch die seitlichen Gates im Gegentaktmodus kontrolliert wird. <br /> <br /> == Eigenschaften ==<br /> Der Vorteil gegenüber einem herkömmlichen Transistor besteht darin, dass im Bereich [[Ballistik|ballistischen]] Transports in keinem der Zweige eine Barriere aufgebaut werden muss, um die Elektronen in den anderen Zweig zu leiten. Das geschieht durch eine Richtungsänderung der Elektronen[[wellenfunktion]], so dass die Wahrscheinlichkeit der Elektronen, in einen der beiden Zweige zu fließen, gegenüber dem anderen erhöht wird. Von daher ist das Schalten auch nicht durch die Temperatur limitiert. <br /> <br /> Die Technologie basiert auf einem zweidimensionalen [[Elektronengas]] einer modulationsdotierten [[Heterostruktur]] mit sehr hoher Beweglichkeit. Die Herstellung erfolgt durch [[Elektronenstrahllithographie]] und [[Lift-off-Verfahren]].<br /> <br /> == Weblinks ==<br /> * Bayerischer Forschungsverbund für Nanoelektronik (Fornel): &#039;&#039;{{Webarchiv | url=http://www.fornel.de/fornel_ii_3.html | wayback=20070927063532 | text=Nanotransistoren auf der Basis ballistischer Y-Schalter}}.&#039;&#039;<br /> <br /> [[Kategorie:Transistor|Y]]<br /> [[Kategorie:Mikroelektronik]]<br /> [[Kategorie:Nanotechnologie]]</div>

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