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	<title>Unijunctiontransistor - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-05-28T08:11:27Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Unijunctiontransistor&amp;diff=71124&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;Cepheiden: Änderungen von 194.24.158.237 (Diskussion) auf die letzte Version von A1000 zurückgesetzt</title>
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		<updated>2022-01-18T22:37:10Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Änderungen von &lt;a href=&quot;/index.php/Spezial:Beitr%C3%A4ge/194.24.158.237&quot; title=&quot;Spezial:Beiträge/194.24.158.237&quot;&gt;194.24.158.237&lt;/a&gt; (&lt;a href=&quot;/index.php?title=Benutzer_Diskussion:194.24.158.237&amp;amp;action=edit&amp;amp;redlink=1&quot; class=&quot;new&quot; title=&quot;Benutzer Diskussion:194.24.158.237 (Seite nicht vorhanden)&quot;&gt;Diskussion&lt;/a&gt;) auf die letzte Version von &lt;a href=&quot;/index.php?title=Benutzer:A1000&amp;amp;action=edit&amp;amp;redlink=1&quot; class=&quot;new&quot; title=&quot;Benutzer:A1000 (Seite nicht vorhanden)&quot;&gt;A1000&lt;/a&gt; zurückgesetzt&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;{{Mehrere Bilder&lt;br /&gt;
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}}&lt;br /&gt;
Der &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Unijunctiontransistor&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; (Abkürzung: &amp;#039;&amp;#039;UJT&amp;#039;&amp;#039;), oft auch Doppelbasisdiode genannt, wurde 1953 in den [[Bell-Laboratorien]] entwickelt&amp;lt;ref&amp;gt;Hans-Joachim Fischer, Wolfgang E. Schlegel: &amp;#039;&amp;#039;Transistor- und Schaltkreistechnik.&amp;#039;&amp;#039; 4. Auflage. Militärverlag der DDR, 1988, ISBN 3-327-00362-9.&amp;lt;/ref&amp;gt;. Dieses Bauelement ist in der [[Elektronik]] ein [[Hybrid]] aus [[Diode]] und [[Transistor]], ähnelt allerdings in mancher Hinsicht, wie auch der [[programmable unijunction transistor]] (PUT), einem [[Thyristor]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aufbau und Funktionsweise ==&lt;br /&gt;
Ähnlich wie ein normaler Bipolartransistor hat der Unijunction-Transistor drei Anschlüsse, im Gegensatz dazu aber nur einen [[pn-Übergang]] (engl. {{lang|en|&amp;#039;&amp;#039;unijunction&amp;#039;&amp;#039;}}, dt. „eine Sperrschicht“), wie eine Diode. In der Praxis verhält er sich wie eine gesteuerte Diode, die man trotz gleichbleibender [[Polarität (Physik)|Polarität]] der angelegten [[Elektrische Spannung|Spannung]] sperrend oder leitend machen kann. Wegen der beiden B-Anschlüsse wird der UJT auch als „Doppelbasisdiode“ bezeichnet.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Legt man an den Emitter eine gegen die Basis B&amp;lt;sub&amp;gt;1&amp;lt;/sub&amp;gt; kleine positive Steuerspannung, dann passiert zunächst nichts. Erhöht man die Steuerspannung weiter, dann bricht bei einem bestimmten Potenzial die Spannung &amp;#039;&amp;#039;U&amp;#039;&amp;#039;&amp;lt;sub&amp;gt;EB1&amp;lt;/sub&amp;gt; schlagartig zusammen, gleichzeitig springt der Emitterstrom auf einen bestimmten Wert, der UJT hat gewissermaßen „durchgezündet“. Dieses Verhalten ist dem eines Thyristors sehr ähnlich. Gelöscht wird der UJT erst bei unterschreiten eines bestimmten Emitterstroms. Die genauen Zünd- und Haltestromwerte sind maßgebliche Kenngrößen eines UJT, der dem jeweiligen Herstellerdatenblatt entnommen werden kann. &lt;br /&gt;
Den höchsten Punkt der &amp;#039;&amp;#039;U&amp;#039;&amp;#039;&amp;lt;sub&amp;gt;EB1&amp;lt;/sub&amp;gt;-&amp;#039;&amp;#039;I&amp;#039;&amp;#039;&amp;lt;sub&amp;gt;E&amp;lt;/sub&amp;gt;-Kennlinie nennt man Höckerpunkt. Der tiefste Punkt heißt entsprechend Talpunkt mit den Bezeichnungen &amp;#039;&amp;#039;U&amp;#039;&amp;#039;&amp;lt;sub&amp;gt;t&amp;lt;/sub&amp;gt; und &amp;#039;&amp;#039;I&amp;#039;&amp;#039;&amp;lt;sub&amp;gt;t&amp;lt;/sub&amp;gt;. Zwischen Höckerpunkt und Talpunkt besitzt die Kennlinie einen [[Differentieller Widerstand|negativen differentiellen Widerstand]]. Ein langsames Durchfahren der Kurve, wie beim normalen Transistor, ist beim UJT nicht möglich.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Der Unijunctiontransistor ist eine Entwicklung aus den Anfangszeiten der Halbleitertechnik. Seine Anwendung blieb auf wenige Sonderfälle beschränkt, und spätestens mit Aufkommen der integrierten Schaltung galt dieser Transistortyp als überholt. Ein typischer Vertreter des UJT ist der 2N2646, der von verschiedenen Herstellern angeboten wurde.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;lt;gallery mode=&amp;quot;packed&amp;quot; class=&amp;quot;center&amp;quot;&amp;gt;&lt;br /&gt;
 UJT struttura.png|Halb&amp;amp;shy;leit&amp;amp;shy;er-struktur&lt;br /&gt;
 UJT Diodenersatzschaltbild.svg|Dio&amp;amp;shy;den&amp;amp;shy;er&amp;amp;shy;satz&amp;amp;shy;schalt&amp;amp;shy;bild&lt;br /&gt;
 UJT caratteristica.png|Kennlinie&lt;br /&gt;
 Unijuction transistor KT117 (open).jpg|[[Die (Halbleitertechnik)|Die]] eines Unijunction&amp;amp;shy;transistors&lt;br /&gt;
&amp;lt;/gallery&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Anwendung ==&lt;br /&gt;
[[Datei:UJT circuito.png|miniatur|[[Relaxationsoszillator]]]]&lt;br /&gt;
In der analogen Schaltungstechnik wurde der UJT als zentraler Bestandteil von Sägezahngeneratoren ([[Kippschwinger]]), mit einem [[Kondensator (Elektrotechnik)|Kondensator]] am Emitteranschluss eingesetzt. Ebenfalls kann man mit ihm [[Thyristor]]en und [[Triac]]s ansteuern. Seine heutige praktische Bedeutung ist allerdings gering, er wurde in den letzten Jahren weitgehend durch integrierte Halbleiterschaltungen wie den [[NE555]] ersetzt.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Weblinks ==&lt;br /&gt;
{{commonscat|Unijunction transistors}}&lt;br /&gt;
*[http://www.americanmicrosemi.com/tutorials/unijunction.htm Erklärungen und Aufbau des UJT]&lt;br /&gt;
*[http://www.talkingelectronics.com/projects/UJT/UJT_Page.html Oszillator&amp;amp;shy;schaltungen mit UJT]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Einzelnachweise ==&lt;br /&gt;
&amp;lt;references /&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Transistor]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Cepheiden</name></author>
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