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2013-08-12T19:32:36Z

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Die '''TRAPATT-Diode''' ({{EnS|''trapped plasma avalanche-triggert transit''}}) ist ein [[Hochfrequenz]]-[[Halbleiter]]-[[Elektrisches Bauelement|Bauelement]] der [[Mikroelektronik]], das als [[Diode]] zu den elektronischen Bauelementen gehört. Sie ist ein Bauteil mit hoher Leistung und hohem [[Wirkungsgrad]]. Heutzutage kann pulsierende Leistung von 1,2 kW bei 1,1 GHz erzeugt werden (bei einer [[Reihenschaltung]] von fünf Dioden) und den höchsten Wirkungsgrad von 75 % konnte man bei 0,6 GHz erzielen. Der Betrieb dieser Diode unterscheidet sich wesentlich von dem einer [[IMPATT-Diode]]. Die Diode weist eine p<sup>+</sup>-p-n<sup>+</sup>-Struktur auf.

== Literatur ==
*{{Literatur
|Autor = S. M. Sze
|Titel = Physics o Semiconductor Devices
|Auflage = 2. | Verlag = John Wiley & Sons | Jahr = 1981 | ISBN = 0-471-05661-8 | Seiten = 627–632 }}
*{{Literatur
|Autor = M. S. Tyagi
|Titel = Introduction to Semiconductor Materials and Devices
|Verlag = John Wiley & Sons | Jahr = 1991 | ISBN = 0-471-60560-3 | Seiten = 320–323 }}

[[Kategorie:Diode|Trapatt-Diode]]

TRAPATT-Diode - Versionsgeschichte

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