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	<title>Stapelfehler - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-05-27T00:55:27Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Stapelfehler&amp;diff=350047&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;Meinichselbst: Parameter fix</title>
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		<updated>2025-10-02T19:20:15Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Parameter fix&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;[[Datei:Schema fcc hcp.png|mini|Stapelfehlerbildung in FCC-Materialien]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Ein &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Stapelfehler&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; ist ein 2-dimensionaler [[Gitterfehler]] in bestimmten [[Kristallstruktur]]en. Der Fehler tritt im Allgemeinen in den [[Packungsdichte (Kristallographie)|dichtest gepackten]] [[Kristallebene]]n der [[kubisch dichteste Kugelpackung|kubisch dichtesten Kugelpackung]]&amp;amp;nbsp;(kdP) oder der [[Hexagonales Kristallsystem|hexagonal dichtesten Kugelpackung]] auf, weil hier die Wechselwirkung zwischen den [[Atom]]en am stärksten ist. Ein Stapelfehler liegt vor, wenn die Stapelung der Kristallebenen, z.&amp;amp;nbsp;B. die Abfolge&amp;amp;nbsp;-A-B-C-A-B-C-, in ihrer Regelmäßigkeit unterbrochen wird.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Stapelfehler in verschiedenen Kristallsystemen ==&lt;br /&gt;
=== Kubisch-flächenzentriertes Kristallsystem ===&lt;br /&gt;
In der kdP bzw. einer [[Kubisch-flächenzentriertes Gitter|kubisch flächenzentrierten Struktur]] (engl.&amp;amp;nbsp;&amp;#039;&amp;#039;FCC&amp;#039;&amp;#039;) sind die {111}-Ebenen am dichtesten, die in &amp;lt;111&amp;gt;-Richtung gestapelt werden. Sie können als Abfolge&amp;amp;nbsp;-A-B-C-A-B-C- dargestellt werden.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Es existieren zwei mögliche fehlerhafte Stapelfolgen:&lt;br /&gt;
* ein [[extrinsisch]]er Stapelfehler wird durch eine hinzugefügte Ebene dargestellt, z.&amp;amp;nbsp;B.&amp;amp;nbsp;-A-B-&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;A&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;-C-A-B-C-.&lt;br /&gt;
* ein [[intrinsisch]]er Stapelfehler ist entsprechend das Fehlen einer Ebene, z. B.&amp;amp;nbsp;-A-B-C-&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;B&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;-C-A-B-C-.&lt;br /&gt;
Üblicherweise bildet sich bei der kfz-Struktur eine lokale [[Hexagonales Kristallsystem|hexagonale Gitterstruktur]] (engl.&amp;amp;nbsp;&amp;#039;&amp;#039;HCP&amp;#039;&amp;#039;) mit der Stapelung&amp;amp;nbsp;-A-B-C-A-B-C- aus. Diese [[Periodizität]] entsteht auch, wenn ein Kristallteil um den unvollständigen [[Gittervektor]] a/6&amp;amp;nbsp;&amp;lt;112&amp;gt; verschoben wird (a ist die Kantenlänge der [[Elementarzelle]]). Durch die Verschiebung werden die A-Ebenen zu B-Ebenen, die B-Ebenen zu C-Ebenen und die C-Ebenen zu A-Ebenen.&amp;lt;ref name=&amp;quot;:1&amp;quot;&amp;gt;{{Literatur |Autor=Oettel, Heinrich, Schumann, Hermann |Titel=Metallografie mit einer Einführung in die Keramografie |Hrsg= |Sammelwerk= |Band= |Nummer= |Auflage=15., überarb. und erw. Auflage |Verlag= |Ort=Weinheim |Datum= |ISBN=978-3-527-32257-2 |Seiten=47}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Hexagonales Kristallsystem ===&lt;br /&gt;
In der hdP bzw. einer hexagonalen Gitterstruktur sind die {0001}-Ebenen am dichtesten, die in &amp;lt;0001&amp;gt;-Richtung gestapelt werden. Hier ist jede zweite Netzebene identisch,&amp;amp;nbsp;-A-B-A-B-.&lt;br /&gt;
* Der extrinsische Fehler ist entsprechend -A-B-&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;C&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;-A-B-C-.&lt;br /&gt;
* Das Fehlen einer Stapelebene gibt es hingegen &amp;#039;&amp;#039;nicht&amp;#039;&amp;#039;, weil sonst zwei gleiche Ebenen übereinander liegen würden und nicht mehr dichtest gepackt sein könnten. Ein intrinsischer Stapelfehler ist nur möglich durch die Verschiebung eines Kristallteils um den Gittervektor&amp;amp;nbsp;a/3 in Richtung&amp;amp;nbsp;&amp;lt;21-20&amp;gt;, bei der B-Ebenen zu C-Ebenen und A-Ebenen zu B-Ebenen werden, -A-B-&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;C-A-C&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;-A-.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Kubisch-raumzentriertes Kristallsystem ===&lt;br /&gt;
Obwohl in [[kubisch raumzentriert]]en Strukturen&amp;amp;nbsp;(krz) &amp;#039;&amp;#039;keine&amp;#039;&amp;#039; dichteste Packung vorliegt, kann eine Stapelung von {211}-Ebenen angenommen werden. Daraus würde eine Periode mit 6&amp;amp;nbsp;Ebenen folgen: -A-B-C-D-E-F-. Diese Metalle besitzen meist eine hohe Stapelfehlerenergie, weshalb ausgedehnte Stapelfehler selten von Bedeutung sind.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Bedeutung und Messung ==&lt;br /&gt;
{| class=&amp;quot;wikitable float-right&amp;quot;&lt;br /&gt;
|+Stapelfehlerenergie nach Kristall&lt;br /&gt;
!Metall&lt;br /&gt;
!SFE &amp;lt;math&amp;gt; \gamma&amp;lt;/math&amp;gt; ([[millijoule|mJ]] m&amp;lt;sup&amp;gt;−2&amp;lt;/sup&amp;gt;)&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Bronze&lt;br /&gt;
|&amp;lt;10&amp;lt;ref name=&amp;quot;:0&amp;quot;&amp;gt;{{Cite book|last=Hertzberg|first=Richard W.|title=Deformation and Fracture Mechanics of Engineering Materials|last2=Vinci|first2=Richard P.|last3=Hertzberg|first3=Jason L.|publisher=John Wiley &amp;amp; Sons, Inc|year=2013|isbn=978-0-470-52780-1|pages=80 |language=en}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Stahl&lt;br /&gt;
|&amp;lt;10&amp;lt;ref name=&amp;quot;:0&amp;quot; /&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Ag ([[Silber]])&lt;br /&gt;
|20–25&amp;lt;ref name=&amp;quot;:1&amp;quot; /&amp;gt;&amp;lt;ref name=&amp;quot;:0&amp;quot; /&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Si ([[Silicium]])&lt;br /&gt;
|&amp;gt;42&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Cu ([[Kupfer]])&lt;br /&gt;
|60&amp;lt;ref name=&amp;quot;:1&amp;quot; /&amp;gt; -78&amp;lt;ref&amp;gt;Venables, J. A. (1964). The electron microscopy of deformation twinning. Journal of physics and chemistry solids, 25, 685–690.&amp;lt;/ref&amp;gt;&amp;lt;ref&amp;gt;Zhao, Y.H., Liao, Y.Y., Zhu, Y.T. (2005). Influence of stacking fault energy on nanostructure under high pressure torsion. Materials Science and Engineering A, 410–411, 188–193.&amp;lt;/ref&amp;gt;, 100&amp;lt;ref name=&amp;quot;:2&amp;quot;&amp;gt;{{Literatur |Autor=Erhard Hornbogen, Gunther Eggeler, Ewald Werner |Titel=Werkstoffe |Verlag=Springer Berlin Heidelberg |Ort=Berlin, Heidelberg |Datum=2008 |Reihe=Springer-Lehrbuch |ISBN=978-3-540-71857-4 |DOI=10.1007/978-3-540-71858-1 |Seiten=67 |Online=https://link.springer.com/book/10.1007%2F978-3-540-71858-1 |Abruf=2022-01-05}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Au ([[Gold]])&lt;br /&gt;
|10&amp;lt;ref name=&amp;quot;:2&amp;quot; /&amp;gt;, 75&amp;lt;ref name=&amp;quot;:0&amp;quot; /&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Mg ([[Magnesium]])&lt;br /&gt;
|125&amp;lt;ref&amp;gt;N.V. Ravi Kumar et al., &amp;#039;&amp;#039;Grain refinement in AZ91 magnesium alloy during thermomechanical processing&amp;#039;&amp;#039;, [https://www.elsevier.com/journals/materials-science-and-engineering-a/0921-5093 Materials and Engineering] A359 (2003), 150–157.&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Fe ([[Eisen]])&lt;br /&gt;
|140 ± 40&amp;lt;ref&amp;gt;Hermann Schumann: &amp;#039;&amp;#039;Einfluß der Stapelfehlerenergie auf den kristallographischen Umgitterungsmechanismus der γ/α-Umwandlung in hochlegierten Stählen&amp;#039;&amp;#039;. In: &amp;#039;&amp;#039;Kristall und Technik&amp;#039;&amp;#039;, Jg. 9 (1974), Heft 10, S. 1141–1152, {{ISSN|0023-4753}} {{DOI|10.1002/crat.19740091009}}.&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Ni ([[Nickel]])&lt;br /&gt;
|90&amp;lt;ref name=&amp;quot;:0&amp;quot; /&amp;gt;&amp;lt;ref&amp;gt;Luc Remy. PhD thesis, Universite de Paris-Sud, Orsay, France, 1975.&amp;lt;/ref&amp;gt; - 300&amp;lt;ref name=&amp;quot;:1&amp;quot; /&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Al ([[Aluminium]])&lt;br /&gt;
|160–250&amp;lt;ref&amp;gt;Lawrence E. Murr. Interfacial Phenomena in Metals and Alloys. Addison-Wesley Pub. Co., 1975.&amp;lt;/ref&amp;gt;&amp;lt;ref name=&amp;quot;:0&amp;quot; /&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
!Zn ([[Zink]])&lt;br /&gt;
|250&amp;lt;ref name=&amp;quot;:1&amp;quot; /&amp;gt;&lt;br /&gt;
|}&lt;br /&gt;
{{Hauptartikel|Stapelfehlerenergie}}&lt;br /&gt;
Der Stapelfehler ist ein wichtiger Gitterfehler, da er zur Bildung von [[Korngrenze]]n führt und so die Bildung von [[Einkristall]]en verhindert.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Stapelfehler entstehen z.&amp;amp;nbsp;B. durch [[Zwillingsbildung]] oder wenn eine Partial[[Versetzung (Materialwissenschaft)|versetzung]] durch den Kristall läuft. Je kleiner die dazu nötige [[Stapelfehlerenergie]] (SFE, &amp;#039;&amp;#039;stacking fault energy&amp;#039;&amp;#039;), desto leichter bildet sich ein Stapelfehler. Versetzungen können sich deshalb leicht in Partialversetzungen aufspalten. [[Schraubenversetzung]]en müssen dann zum [[Quergleiten]] unter Energieaufwand wieder einschnüren, deswegen steigt die [[Festigkeit]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Die Aufspaltungsweite spielt weiterhin eine wichtige Rolle bei der [[Warmumformung]]. Da aufgespaltene Versetzungen schlecht quergleiten oder klettern können, ist bei [[Werkstoff]]en mit geringer Stapelfehlerenergie die dynamische [[Kristallerholung]] behindert und es findet eine stärkere [[Verfestigung]] des [[Metall]]s statt. Es kann sich so eine genügend große treibende Kraft für dynamische [[Rekristallisation]] aufbauen, die zu einem Kraftmaximum in der Warm[[fließkurve]] führt.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Bei [[Austenit (Gefügebestandteil)|austenitischen]] [[Stahl|Stählen]] sinkt die Stapelfehlerenergie im Gegensatz zu reinem Eisen z.&amp;amp;nbsp;T. deutlich ab und zeigt deshalb einen [[TWIP-Stahl|TWIP-Effekt]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Einzelnachweise ==&lt;br /&gt;
&amp;lt;references /&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
{{Normdaten|TYP=s|GND=4182907-4}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Gitterfehler]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Meinichselbst</name></author>
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