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	<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=Spitzendiode</id>
	<title>Spitzendiode - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-05-28T07:44:13Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Spitzendiode&amp;diff=799612&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;FBuHL09: kleine Textkorrekturen</title>
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		<updated>2026-01-14T23:37:24Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;kleine Textkorrekturen&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;[[Datei:Kristallradio (3).jpg|mini|Historischer Kristalldetektor aus [[Bleiglanz]], der in einem schwedischen Detektorempfänger verwendet wurde]]&lt;br /&gt;
[[Datei:Spitzendiode germanium.gif|hochkant=2|mini|Spitzendiode mit Dotierungszone um den Kontakt]]&lt;br /&gt;
[[Datei:EFD108 Point Contact Germanium Diode.jpg|thumb|right|Spitzendiode &amp;#039;&amp;#039;EFD108&amp;#039;&amp;#039; in Nahaufnahme]]&lt;br /&gt;
Eine &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Spitzendiode&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; ist eine Form einer [[Halbleiter]]-[[Diode]], bei der eine feine Metallspitze auf ein [[Einkristall|einkristallines]] Halbleiterplättchen drückt und dort einen lokalen Metall-Halbleiter[[pn-Übergang|-Übergang]], einen so genannten [[Schottky-Kontakt]],&amp;lt;ref&amp;gt;{{Literatur |Autor=[[Marius Grundmann]] |Titel=The physics of semiconductors : an introduction including devices and nanophysics |Verlag=Springer |Ort=Berlin |Datum=2006 |ISBN=978-3-540-34661-6 |Seiten=402 }}&amp;lt;/ref&amp;gt; bildet. Eine erste Spitzendiode wurde vom deutschen Physiker [[Walter Schottky]] gebaut (1938).&amp;lt;ref&amp;gt;[https://www.leifiphysik.de/elektronik/transistor/geschichte/die-erfindung-des-transistors Die Erfindung des Transistors] von [[LEIFIphysik]], Abruf am 24. Juni 2020.&amp;lt;/ref&amp;gt; Spitzendioden waren die Nachfolger der zuvor, vor allem in [[Detektorempfänger]]n verwendeten &amp;#039;&amp;#039;Kristalldetektoren&amp;#039;&amp;#039;, und Vorläufer der [[Spitzentransistor]]en.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Sie wurden im Gegensatz zu den Kristalldetektoren industriell mit besserer Reproduzierbarkeit gefertigt und in ein Glas- oder Keramik-Gehäuse eingebaut und hatten spezifizierte Eigenschaften. Erste Anwendungen und Antrieb zur Weiterentwicklung waren Detektoren für [[Radar|Radargeräte]] während des [[Zweiter Weltkrieg|Zweiten Weltkriegs]]. Spezifiziert wurden die Dioden oft bis zu 30&amp;amp;nbsp;GHz.&amp;lt;ref&amp;gt;Impulstechnik, H. R. Schlegel / Alfred Nowak, Verlag Siegfried Schütz Hannover 1955, S. 557–558.&amp;lt;/ref&amp;gt;&amp;lt;ref&amp;gt;Kristalloden-Technik, R. Rost, Verlag Wilhelm Ernst &amp;amp; Sohn Berlin 1954, S. 40–44, 49.&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Anwendung von Spitzendioden: [[Mischer (Elektronik)|Mischdioden]] und [[Demodulator]] in Fernsehempfängern und Radargeräten.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Germanium]]-Spitzendioden fanden, beginnend noch während der [[Elektronenröhre|Röhrentechnik]], bis etwa 1985 breiten Einsatz als Demodulator- und Mischer in [[Radio]]s, Funkempfängern und -[[Sendeanlage|sendern]]. Siehe unter anderem auch [[Ratiodetektor]], [[Ringmodulator]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Beispiele für Spitzendioden:&lt;br /&gt;
* &amp;#039;&amp;#039;OA21&amp;#039;&amp;#039; mit [[Durchlassspannung|U&amp;lt;sub&amp;gt;f&amp;lt;/sub&amp;gt;]]&amp;amp;nbsp;=&amp;amp;nbsp;0,5&amp;amp;nbsp;V bei 20&amp;amp;nbsp;mA ([[Grenzfrequenz|f&amp;lt;sub&amp;gt;c&amp;lt;/sub&amp;gt;]] ca. 1&amp;amp;nbsp;GHz, Material: [[Germanium]], Fa. &amp;#039;&amp;#039;TE-KA-DE&amp;#039;&amp;#039;).&lt;br /&gt;
* &amp;#039;&amp;#039;1N82&amp;#039;&amp;#039; mit U&amp;lt;sub&amp;gt;f&amp;lt;/sub&amp;gt;&amp;amp;nbsp;=&amp;amp;nbsp;0,2&amp;amp;nbsp;V bei 1&amp;amp;nbsp;mA (f&amp;lt;sub&amp;gt;c&amp;lt;/sub&amp;gt; ca. 1&amp;amp;nbsp;GHz, Material: [[Silicium|Silizium]], Fa. [[Sylvania Electric Products|Sylvania]] / [[Anode]] an der Chip-Seite).&lt;br /&gt;
* &amp;#039;&amp;#039;CS3A&amp;#039;&amp;#039; mit U&amp;lt;sub&amp;gt;f&amp;lt;/sub&amp;gt;&amp;amp;nbsp;=&amp;amp;nbsp;0,2&amp;amp;nbsp;V bei 1&amp;amp;nbsp;mA (f&amp;lt;sub&amp;gt;c&amp;lt;/sub&amp;gt; ca. 10&amp;amp;nbsp;GHz, Patronenform, Material: Silizium, Fa. &amp;#039;&amp;#039;British-Thomson-Houston Co Ltd.&amp;#039;&amp;#039; 1941).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Um die Kontaktstelle noch stabiler gegen mechanische Einflüsse zu machen, wird sie oft durch einen Stromstoß &amp;#039;&amp;#039;formiert&amp;#039;&amp;#039;. Dadurch entsteht an der Kontaktstelle im Kristall eine halbkugelförmige, neu-[[Dotierung|dotierte]] Zone, die mit dem Kristall-Grundmaterial nun einen [[p-n-Übergang]] und somit eine PN-Diode bildet. Die [[Hochfrequenz|HF]]-Eigenschaften verschlechtern sich dadurch, da die [[Sperrschichtkapazität]] und die [[Rekombination (Physik)|Ladungsträgerlebensdauer]] zunehmen. Sie unterscheidet sich von der nicht formierten Spitzendiode auch dadurch, dass ihre Strombelastbarkeit höher ist; der Einsatz ist je nach Behandlung auf einige zehn bis einige 100&amp;amp;nbsp;MHz beschränkt.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Die Lage der [[Kathode]] richtet sich nach der vorliegenden Grunddotierung des Materials; sie muss nicht unbedingt auf der Chip-Seite (wie im Bild) liegen.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Einzelnachweise ==&lt;br /&gt;
&amp;lt;references /&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Diode]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;FBuHL09</name></author>
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