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2022-01-09T21:40:28Z

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Der '''Spin-Transistor''', abgekürzt '''Spin-FET''', stellt eine Gruppe von speziellen [[Feldeffekttransistor]]en (FET) dar, welche die [[Quantenmechanik|quantenmechanische]] Eigenschaft des [[Spin]] von [[Elektron]]en im Rahmen des [[Rashba-Effekt]]es nutzen. Herkömmliche Feldeffekttransistoren, welche Bauelemente der [[Elektronik]] sind, verwenden nur die [[elektrische Ladung]] zur [[Datenspeicher|Informationsspeicherung]] und zur Verstärkung von elektrischen Signalen.

Spin-Transistoren werden der [[Spintronik]], einen Zweig der [[Nanotechnologie]], zugeordnet und dienen in den bisher bestehenden Anwendungen zur [[NVRAM|nicht flüchtigen]] Informationsspeicherung in speziellen Speichern wie den [[Magnetoresistive Random Access Memory|magnetoresistiven Random Access Memory]] (MRAM).

Erste Arbeiten zu Spin-Transistoren erfolgten in den 1990er Jahren an den [[Bell Laboratories]].<ref>{{Patent| Land=US| V-Nr=5432373|Code=A| Titel=Magnetic spin transistor| A-Datum=1994-11-29| V-Datum=1995-07-11| Anmelder=Bell Communication Res| Erfinder=Mark B. Johnson}}</ref> Spin-Transistoren sind im [[Grundlagenforschung|Grundlagensektor]] der [[Halbleitertechnologie]] Teil von verschiedenen Forschungsprojekten,<ref>{{Literatur |Autor= K. C. Hall, Wayne H. Lau, K. Gündoğdu, Michael E. Flatté, Thomas F. Boggess |Titel = Nonmagnetic semiconductor spin transistor |Sammelwerk = Applied Physics Letters |Band= 83 |Datum = 2003-10-06 |Nummer= 14 |Seiten= 2937–2939 |DOI= 10.1063/1.1609656}}</ref><ref>{{Patent| Land=US| V-Nr=6218718|Code=B1| Titel=Spin transistor| A-Datum=1999-08-02| V-Datum=2001-04-17| Anmelder=ISIS Innovation| Erfinder=John Francis Gregg, Patricia Dresel Sparks}}</ref> konnten sich aber bisher nicht in wirtschaftlich bedeutenden Anwendungen durchsetzen.

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Transistor]]

Spin-Transistor - Versionsgeschichte

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