https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=SpeicherschaltdiodeSpeicherschaltdiode - Versionsgeschichte2026-06-11T22:09:03ZVersionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale KopieMediaWiki 1.43.8https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Speicherschaltdiode&diff=361114&oldid=previmported>OS: /* Einleitung */ Link2025-08-24T11:39:20Z<p><span class="autocomment">Einleitung: </span> Link</p>
<p><b>Neue Seite</b></p><div>Die '''Speicherschaltdiode''', '''Ladungsspeicherdiode''' oder '''Abreißdiode''' ({{enS|step recovery diode}}, SRD, auch {{enS|snap-off diode}}) ist eine [[Diode|Halbleiterdiode]] mit einer hohen Lebensdauer der [[Minoritätsladungsträger]]. Wird eine Speicherschaltdiode von Vorwärtsrichtung in Sperrrichtung umgepolt, fließt für eine definierte Zeit (ca. 0,1&nbsp;[[Nanosekunde|ns]] bis 3&nbsp;ns) ein Strom in Sperrrichtung, ohne dass sich die Spannung an der Diode nennenswert ändert. Erst danach, wenn die freien Ladungsträger aufgebraucht sind, bricht der Strom schlagartig zusammen und die an der Diode anliegende Spannung kann sehr rasch hohe Werte in Sperrrichtung annehmen, wie im nebenstehenden Zeitdiagramm dargestellt.<br />
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[[Datei:Srd hp33003.PNG|mini|Zeitsignal eines [[Kammgenerator]]s (HP 33003A), das mit einer Speicherschaltdiode erzeugt wird]]<br />
[[Datei:SRD Symbol.svg|mini|Schaltplan Symbol]]<br />
Wegen des schlagartigen Umschaltens von einem nahezu idealen Kurzschluss zu dem sperrenden Verhalten wird eine an die Dioden angelegte Sinusspannung stark nichtlinear verzerrt und es entstehen [[Oberschwingungen]]. Diese Oberschwingungen können durch geeignete nachgeschaltete [[Filter (Elektrotechnik)|Filterstufen]] beseitigt werden. Speicherschaltdioden mit kurzer Abschaltzeit werden daher zur Vervielfachung von Frequenzen im Bereich von ca. 1&nbsp;[[Hertz (Einheit)|GHz]] aufwärts eingesetzt. Die Speicherschaltdiode hat auch Anwendungen bei der Impulsformung, z.&nbsp;B. der Erzeugung scharfer Impulskanten oder kurzer Impulse bei Eingangssignalen mit vergleichsweise langsamen Anstieg oder Abfall der Spannung. Die kürzesten Impulse, die so erzeugt werden können, sind ca. 100&nbsp;[[Picosekunde|ps]] lang.<br />
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Speicherschaltdioden sind in der Regel mit einer p-i-n-Struktur wie [[PIN-Diode]]n aufgebaut. Die geringe Dicke der lediglich ''[[Intrinsische Leitfähigkeit|intrinsisch]]'' (eigenleitenden) i-Schicht und das daraus resultierende hohe elektrische Feld in der i-Schicht sind Ursache für das rasche Verschwinden der [[Minoritätsladungsträger]] beim Wechsel der Stromrichtung. Die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger ohne angelegtes Feld ist jedoch wesentlich größer, in der Größenordnung 100&nbsp;ns. Wegen der dünnen i-Schicht haben die meisten Speicherschaltdioden relativ geringe zulässige Sperrspannungen, üblicherweise unter 100&nbsp;V.<br />
<br />
Im Prinzip ist jede Halbleiterdiode mit [[p-n-Übergang]] eine Speicherschaltdiode, weil die Minoritätsladungsträger für eine gewisse Zeit nach dem Umpolen in der [[Raumladungszone]] (RLZ) erhalten bleiben – im Gegensatz zu [[Schottky-Diode]]n, wo der Ladungstransport nur durch [[Majoritätsladungsträger]] erfolgt. Bei den meisten anderen Typen von Halbleiterdioden, insbesondere den [[Gleichrichter]]dioden für hohe Frequenzen, wird darauf geachtet, die Sperrverzugszeit so kurz wie möglich zu halten ({{enS|fast-recovery diode}}).<br />
<br />
Die ersten Speicherschaltdioden wurden in den frühen 1960er-Jahren entwickelt und zählten für lange Zeit zu den schnellsten Bauelementen der [[Halbleitertechnik]].<br />
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Aktuelle Hersteller von Speicherschaltdioden sind ASI-Semiconductor,<ref>[http://adsemi.com/diodes/step_recovery.shtml adsemi.com]</ref> MicroSemi,<ref>[https://www.microsemi.com/product-directory/varactor-diodes/3150-step-recovery-diodes microsemi.com]</ref> M-Pulse<ref>[http://www.mpulsemw.com/SRD_Diode.htm mpulsemw.com]</ref> und Macom.<ref>[https://www.macom.com/products/diodes/multiplier-step-recovery-diodes macom.com]</ref><br />
<br />
== Verwendung ==<br />
* [[Kammgenerator]]<br />
* Oberwellengenerator<br />
** Spannungsgesteuerter Oszillator<br />
** Frequenzvervielfacher<br />
* Abtastphasendetektor<ref>[http://www.mpulsemw.com/Sampling_Phase_Detectors.htm mpulsemw.com]</ref><br />
<br />
== Literatur ==<br />
* {{Literatur<br />
|Autor=Hewlett-Packard<br />
|Titel=Pulse and Waveform Generation with Step Recovery Diodes, Application Note 918<br />
|Ort=Palo Alto<br />
|Datum=1984<br />
|Online=[http://www.hp.woodshot.com/hprfhelp/5_downld/lit/diodelit/an918.pdf Online]<br />
|Format=PDF<br />
|KBytes=2900}}<br />
<br />
== Einzelnachweise ==<br />
<references /><br />
<br />
[[Kategorie:Diode]]</div>imported>OS