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	<title>Single Event Effect - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-05-22T04:21:48Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<title>imported&gt;Aka: /* Weblinks */ https</title>
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		<updated>2021-05-02T13:56:25Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;&lt;span class=&quot;autocomment&quot;&gt;Weblinks: &lt;/span&gt; https&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;&amp;lt;!-- {{Belege fehlen|mehr Quellen zur Begrifssdefinition wünschenswert}} --&amp;gt;&lt;br /&gt;
Die Bezeichnung {{lang|en|&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Single Event Effect&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;}} (&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;SEE&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;) ist der Oberbegriff für Effekte, die in [[Halbleiter]]&amp;lt;nowiki /&amp;gt;bauelementen durch den Einschlag, bzw. das Durchqueren eines Teilchens einer [[Ionisierende Strahlung|ionisierenden Strahlung]] ausgelöst werden können. Zu diesen Strahlungen zählen z.&amp;amp;nbsp;B. [[Alphastrahlung]], [[Neutronenstrahlung]] und [[kosmische Strahlung]]. Relevant sind SEEs insbesondere im Bereich der in [[Luftfahrt|Luft-]] und [[Raumfahrt]] verwendeten [[Mikroelektronik]], da in höheren Bereichen der [[Erdatmosphäre]] und vor allem im [[Weltraum]] eine erhöhte [[Intensität (Physik)|Strahlungsintensität]] herrscht.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Arten von {{lang|en|Single Event Effects}} ==&lt;br /&gt;
Grundsätzlich lassen sich zwei Arten von SEEs unterscheiden: SEEs, die einen permanenten Schaden hervorrufen (sog. &amp;#039;&amp;#039;{{lang|en|hard errors}}&amp;#039;&amp;#039;) und solche, die nur eine temporäre Fehlfunktionen bewirken (sogenannte &amp;#039;&amp;#039;[[Soft Error|soft errors]]&amp;#039;&amp;#039;). Nachfolgend sind die wichtigsten Arten von SEEs aufgeführt.&lt;br /&gt;
* &amp;#039;&amp;#039;{{lang|en|[[Single Event Latchup]]}}&amp;#039;&amp;#039; (SEL): Ein SEL führt zum Zünden eines parasitären [[Thyristor]]s und somit einem [[Elektrischer Kurzschluss|Kurzschluss]] in einem Halbleiterbauteil. Dies kann zur Zerstörung des betroffenen Bauteils führen. Durch rechtzeitiges Aus- und anschließendes Wiedereinschalten des Bauteils lässt sich ein SEL beheben.&lt;br /&gt;
* &amp;#039;&amp;#039;{{lang|en|[[Single Event Upset]]}}&amp;#039;&amp;#039; (SEU): Bei diesem Effekt handelt es sich um das „Kippen“ eines Bits ({{enS|bitflip}}), bzw. die Änderung des Zustands einer digitalen Schaltung. Je nach Ort und Zeitpunkt des SEUs kann es zu unterschiedlichen Fehlern kommen (z.&amp;amp;nbsp;B. Änderung des Inhalts einer [[Halbleiterspeicher#Speicherzelle|Speicherzelle]], Fehler im Programmablauf eines Computers). Ein SEU bewirkt keinen dauerhaften Schaden am betroffenen Bauteil. Führt ein SEU zum völligen Versagen eines Systems (z.&amp;amp;nbsp;B. [[Computerabsturz]]), wird dies auch als {{lang|en|&amp;#039;&amp;#039;Single Event Functional Interrupt&amp;#039;&amp;#039;}} (SEFI) bezeichnet. SEUs können auch auf [[Meeresniveau]] auftreten. Sie werden hier meist durch [[Radioaktivität|radioaktive]] Verunreinigungen im Gehäusematerial eines Bauteils und die daraus resultierende Alphastrahlung hervorgerufen.&lt;br /&gt;
* &amp;#039;&amp;#039;{{lang|en|[[Single Event Transient]]}}&amp;#039;&amp;#039; (SET): Dieser Effekt äußert sich in einer kurzzeitigen Änderung des Signalpegels in einer elektronischen Schaltung (&amp;#039;&amp;#039;[[Glitch (Elektronik)|glitch]]&amp;#039;&amp;#039;). Auch dies kann zu unterschiedlichen Fehlfunktionen führen, ruft aber keinen bleibenden Schaden am betroffenen Bauteil hervor.&lt;br /&gt;
* &amp;#039;&amp;#039;[[Single Event Burnout]]&amp;#039;&amp;#039; (SEB). Ein SEB bewirkt einen überhöhten [[Elektrischer Strom|Strom]] im Bereich der Drain-Source-Strecke eines [[Leistungs-MOSFET]]s, was zur Zerstörung des Bauteils führt.&lt;br /&gt;
* &amp;#039;&amp;#039;{{lang|en|Single Event Gate Rupture}}&amp;#039;&amp;#039; (SEGR): SEGR bezeichnet die Zerstörung der Gate-Dielektrikum bei Leistungs-MOSFETs. Genau wie der SEB führt dieser Effekt zum Ausfall des betroffenen Bauteils.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== SEE-Wahrscheinlichkeit ==&lt;br /&gt;
Die Wahrscheinlichkeit für das Auftreten eines SEEs in einem bestimmten Bauteil oder einer bestimmten Baugruppe hängt im Wesentlichen von zwei Faktoren ab:&lt;br /&gt;
# Verwendete [[Halbleitertechnologie]]. Unterschiedliche Halbleitertechnologien sind unterschiedlich Anfällig für SEEs. Die an das Halbleitermaterial abzugebende Teilchenenergie, ab der ein SEE in einem Bauteil auftreten kann, wird als &amp;lt;math&amp;gt;LET_\text{th}&amp;lt;/math&amp;gt; bezeichnet (jeweils für die unterschiedlichen Arten von SEEs), wobei &amp;#039;&amp;#039;LET&amp;#039;&amp;#039; für &amp;#039;&amp;#039;[[linearer Energietransfer]]&amp;#039;&amp;#039; und der Index &amp;#039;&amp;#039;th&amp;#039;&amp;#039; für &amp;#039;&amp;#039;threshold&amp;#039;&amp;#039; (deutsch: Schwelle, [[Schwellenwert (Elektronik)|Schwellwert]]) steht. Hierfür wird als Maßeinheit üblicherweise [[Elektronenvolt|MeV]]·cm²/mg (bezogen auf [[Silicium|Si]] für [[MOSFET|MOS]]-Halbleiterbauteile) verwendet.&lt;br /&gt;
# Strahlungsintensität. Die Intensität der Strahlung, der ein Bauteil ausgesetzt ist, kann, je nach Einsatzort und -zeit, stark variieren. Für [[Satellit (Raumfahrt)|Satelliten]] ist hier insbesondere der jeweilige [[Satellitenorbit|Orbit]] ausschlaggebend. Des Weiteren ist in Zeiten erhöhter [[Sonnenaktivität]] ([[Sonneneruption]]en) mit einer höheren SEE-Rate zu rechnen.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Weblinks ==&lt;br /&gt;
* [https://radhome.gsfc.nasa.gov/radhome/see.htm Seiten der NASA zum Thema Strahlungseffekte] (engl.)&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Halbleiterelektronik]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Aka</name></author>
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