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'''Silicide''' sind binäre metallische Verbindungen des [[Silicium]]s und werden meist den [[Intermetallische Verbindung|intermetallischen Verbindungen]] zugerechnet. Sie sind [[Halbleiter]], weisen [[Metallglanz]] auf und [[Kristallisation|kristallisieren]] in definierten Strukturen aus. Es sind die Silicide vieler [[Metalle]] bekannt, jedoch bilden [[Aluminium]], [[Antimon]], [[Arsen]], [[Bismut]], [[Cadmium]], [[Quecksilber]], [[Silber]], [[Thorium]] und [[Zink]] keine Silicide.<ref name=roempp>{{RömppOnline|ID=RD-19-02443|Name=Silicide|Abruf=2014-12-28}}</ref>

== Vorkommen ==
In der Natur sind einige Silicide in Form von [[Mineral]]en bekannt wie unter anderem [[Brownleeit]] (MnSi), [[Carletonmooreit]] (Ni3Si), [[Hapkeit]] (Fe2Si), [[Palladosilicid]] (Pd2Si) und [[Kangjinlait]] (Ti11Si10).<ref>{{Internetquelle |autor=Malcolm Back, Cristian Biagioni, William D. Birch, Michel Blondieau, Hans-Peter Boja und andere |url=http://cnmnc.main.jp/IMA_Master_List_%282021-11%29.pdf |titel=The New IMA List of Minerals – A Work in Progress – Updated: November 2021 |werk=cnmnc.main.jp |hrsg=IMA/CNMNC, Marco Pasero |datum=2021-09 |format=PDF; 3,7 MB |sprache=en |offline=ja |archiv-url=https://web.archive.org/web/20220331141556/http://cnmnc.main.jp/IMA_Master_List_(2021-11).pdf |archiv-datum=2022-03-31 |archiv-bot= |abruf=2021-11-23}}</ref>

''Siehe auch:'' [[Systematik der Minerale nach Strunz (9. Auflage)#B. Silicide]]

== Herstellung ==
Silicide werden auf [[Pulvermetallurgie|pulvermetallurgischem]] Wege hergestellt. Alternativ ist auch die [[Reduktion (Chemie)|Reduktion]] von [[Siliciumdioxid]] mit einem Überschuss des entsprechenden [[Chemisches Element|elementaren]] Metalls möglich.<ref name="roempp" />

Eine weitere Methode, die vor allem in der [[Halbleitertechnik]] Anwendung findet, ist die [[Diffusion]] von Metallionen aus einer dünnen Metallschicht in eine benachbarte Schicht aus ein- oder polykristallinem Silicium (Polysilicium; ein solcher Prozess wird auch als [[Polycide]] bezeichnet). Erfolgt die lokale Silicidbildung auf den Source- und Drain-Gebieten sowie der Gate-Elektrode ohne zusätzliche fotolithografische Strukturierungen, spricht man von einer selbstjustierenden Silicidbildung, dem sogenannten [[Salicide-Prozess]].

== Eigenschaften ==
Silicide weisen häufig eine [[nichtstöchiometrische Verbindungen|nichtstöchiometrische]] Zusammensetzung auf. Die [[Chemische Bindung|chemischen Bindungsverhältnisse]] sind von der Zusammensetzung des Silicids abhängig und beinhalten [[Ionische Bindung|ionische]], [[Metallbindung|metallische]] und [[Atombindung|kovalente]] Bindungsanteile.<ref name=roempp/>

Beinhaltet das Silicid ein [[Unedle Metalle|unedles Metall]] so ist es häufig empfindlich gegen [[Chemische Reaktion|Reaktion]] mit [[Sauerstoff]], [[Oxidationsmittel]], Wasser und [[Säure]]n. Sie werden teils schon durch Luftsauerstoff in der Wärme in einer heftigen Reaktion [[Oxidation|oxidiert]]. Durch Zersetzung mit Wasser oder verdünnten Säuren werden [[Silane]] oder [[Siloxane]] gebildet. Im Unterschied zu den Siliciden der [[Hauptgruppe]]nmetalle sind die Silicide der [[Übergangsmetalle]] gegenüber Oxidation beständig.<ref name=roempp/>

== Anwendung ==
Silicide finden Anwendung in einer Vielzahl von Bereichen.
Sie können als Ausgangsmaterial für die Herstellung anderer Stoffe genutzt werden, wie [[Magnesiumsilicid]] (Mg2Si), das zur Herstellung von [[Silane]]n benutzt wird.
Andere Anwendungen für Silicide, z. B. [[Calciumsilicide]] (Ca2Si und Ca2Si2) finden sich in der Herstellung von [[Stahl]] oder sie werden als [[Sensor|Detektor]]material eingesetzt, beispielsweise [[Platinsilicid]] (PtSi) für [[Infrarotdetektor]]en in der [[Raumfahrt]].

In der [[Halbleitertechnik]] werden Silicide, wie [[Wolframdisilicid|Wolframdi-]] (WSi2), [[Cobaltdisilicid|Cobaltdi-]] (CoSi2) oder [[Dinickelsilicid]] (Ni2Si), aufgrund ihrer hohen [[elektrische Leitfähigkeit|elektrischen Leitfähigkeit]] zur Kontaktierung von dotierten Siliciumbereichen (z. B. [[Feldeffekttransistor#Funktionsweise|Source]]- und [[Feldeffekttransistor#Funktionsweise|Drain]]-Kontakt) und [[Polysilicium]] (z. B. [[Feldeffekttransistor#Funktionsweise|Gate]]) eingesetzt.<ref>{{Literatur|Autor=Roland Albert Levy|Titel=Microelectronic materials and processes|Verlag=Springer|ISBN=9780792301547|Jahr=1989|Seiten=293ff}}</ref>

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Silicid| ]]
[[Kategorie:Stoffgruppe]]

Silicide - Versionsgeschichte

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