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	<title>Shockley Semiconductor Laboratory - Versionsgeschichte</title>
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	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<title>imported&gt;17387349L8764: HC: Ergänze Kategorie:Technikgeschichte</title>
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		<updated>2026-01-10T18:46:15Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;&lt;a href=&quot;/index.php?title=WP:HC&amp;amp;action=edit&amp;amp;redlink=1&quot; class=&quot;new&quot; title=&quot;WP:HC (Seite nicht vorhanden)&quot;&gt;HC&lt;/a&gt;: Ergänze &lt;a href=&quot;/index.php/Kategorie:Technikgeschichte&quot; title=&quot;Kategorie:Technikgeschichte&quot;&gt;Kategorie:Technikgeschichte&lt;/a&gt;&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;[[Datei:ShockleyBldg.jpg|thumb|right|Das ursprüngliche Gebäude der Shockley Lab mit Gedenktafel in 391 San Antonio Road, Mountain View. Im Jahr 2009 befand sich ein Supermarkt in dem Gebäude]]&lt;br /&gt;
Das &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Shockley Semiconductor Laboratory&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; war das erste Unternehmen, welches [[elektronisches Bauelement|elektronische Bauelemente]] wie [[Transistor]]en auf der Basis des heute allgemein üblichen [[Halbleiter]]werkstoffes [[Silicium]] entwickelte und damit den Grundstein des [[Silicon Valley]] im US-Bundesstaat [[Kalifornien]] legte.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Literatur |Autor=Michael Riordan |Titel=Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age |Sammelwerk=Sloan Technology Series |Verlag=[[W. W. Norton &amp;amp; Company]] |Ort=New York |Datum=1998 |Sprache=en |ISBN=0-393-31851-6}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Geschichte ==&lt;br /&gt;
Das Shockley Semiconductor Laboratory wurde von dem Namensgeber [[William Bradford Shockley|William B. Shockley]] im Jahr 1956 als Abteilung des Laborgeräteherstellers [[Beckman Instruments]] in [[Mountain View (Santa Clara County, Kalifornien)|Mountain View]] gegründet. Zu der Zeit wurden Transistoren primär aus dem Halbleiterwerkstoff [[Germanium]] gefertigt, welcher gegenüber Silicium technisch schlechtere Eigenschaften aufweist. Shockley war mit der Idee einer auf Silicium basierenden Halbleitertechnik nicht der erste: Bereits im Jahr 1954 kündigte der Halbleiterhersteller [[Texas Instruments]] Siliciumtransistoren an. Shockley wollte die damals unzureichenden Produktionsverfahren der [[Ingot|Silicium-Ingots]] verbessern. Der Grund der damaligen technischen Schwierigkeiten lag im hohen Schmelzpunkt von Silicium. Shockley konnte zu diesem Zweck einige Spezialisten gewinnen. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Neben der Entwicklung von [[Bipolartransistor]]en, welche im Aufbau aus drei unterschiedlich [[Dotierung|dotierten]] Halbleiterschichten bestehen, arbeitete er an damals neuartigen Halbleiterbauelementen mit vier Schichten, wie der so genannten [[Shockley-Diode]], welche allerdings durch die einige Jahre später einsetzende Entwicklung von [[Integrierte Schaltung|integrierten Schaltungen]] nicht die erwartete Bedeutung erlangten. Shockley hatte zu der Zeit Angst, dass seine Arbeiten zu früh bekannt werden und hielt Ergebnisse selbst gegenüber den engsten Mitarbeitern geheim. Dadurch, und durch Shockleys eigenwilligen Führungsstil, kam es im Team zu wiederholten Spannungen welche 1957 in der Kündigung von acht wesentlichen Mitarbeitern, unter anderem den späteren [[Intel]]-Mitbegründern [[Gordon Moore]] und [[Robert Noyce]], resultierten. Shockley bezeichnete sie als die [[Traitorous Eight]] (dt.: verräterische Acht). Wenige Monate nach dem Weggang aus dem  Shockley Semiconductor Laboratory gründeten sie den Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Die Abteilung wurde 1960 von dem [[Rüstungsindustrie|Rüstungsunternehmen]] [[Clevite]] aufgekauft, und kurze Zeit nach der Übernahme durch die [[ITT, Inc.|ITT Corporation]] im Jahr 1968 geschlossen.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Weblinks ==&lt;br /&gt;
* {{YouTube|id=https://www.youtube.com/watch?v=yLNh4UY5ohw|titel=391 San Antonio Rd.—A Semiconductor Documentary|abruf=2023-01-16|m=15|time=40|uploader=[[Computer History Museum]]|sprache=en}}&lt;br /&gt;
* [https://web.archive.org/web/20150102192502/http://web.stanford.edu/dept/SUL/library/prod//depts/hasrg/histsci/silicongenesis/moore-ntb.html Interview with Gordon E. Moore], 3. März 1995, (engl.)&lt;br /&gt;
* [https://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_Shockley4E30_Page3.htm Shockley 4 Layer Diode], Transistor Museum, 2005 (engl.)&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Einzelnachweise ==&lt;br /&gt;
&amp;lt;references /&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Halbleiterhersteller]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Ehemaliger Hardwarehersteller]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Ehemaliges Unternehmen (Mountain View, Kalifornien)]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Unternehmensgründung 1956]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Produzierendes Unternehmen (Mountain View, Kalifornien)]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Hardwarehersteller (Vereinigte Staaten)]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Unternehmensgründung 1955]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Aufgelöst 1968]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Technikgeschichte]]&lt;/div&gt;</summary>
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