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2012-10-11T16:37:53Z

Zusammenführung mit Vierschichtdiode gemäss Benutzer_Diskussion:Wdwd#Shockley-Diode

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#Weiterleitung [[Vierschichtdiode]]
Die '''Shockley-Diode''', auch als ''4-Lagen-Transistor-Diode'' oder ''pnpn-Diode'' bezeichnet, stellt ein [[elektronisches Bauelement]] in Form einer speziellen [[Diode]] dar, welches aus vier [[Halbleiter]]schichten gebildet wird.

Die Shockley-Diode ist nach dem Physiker [[William B. Shockley]] benannt und war Ende der 1950er Jahre eine der ersten auf [[Silicium]] von den [[Shockley Semiconductor Laboratory]] hergestellten [[Halbleiterbauelement]]e. Sie ist heute vollständig in der Funktion durch andere Halbleiterbauelemente wie den [[Thyristor]] abgelöst und besitzt keine wirtschaftliche Bedeutung.<ref>''[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_Shockley4E30_Page3.htm Photo Essay – Shockley 4 Layer Diodes].'' Transistor Museum, abgefragt 15. Dezember 2010 (engl.).</ref>

Die Shockley-Diode hat, außer einer ähnlich klingenden Namensgebung, nichts mit den [[Schottky-Diode]]n zu tun.

== Aufbau ==
[[Datei:Shockley Diode 4-Layer.svg|thumb|right|Shockley Diode: a. physikalischer Lagenaufbau, b. Ersatzschaltung, c. Schaltsymbol]]
Die Funktion ist ähnlich zu einem [[Thyristor]], dessen Gate-Anschluss nicht angeschlossen ist. Der Aufbau besteht aus vier unterschiedlich [[Dotierung|dotierten]] Halbleiterschichten, wie in nebenstehender Abbildung unter a. dargestellt. Die [[Ersatzschaltung]], unter b. dargestellt, besteht aus zwei [[Bipolartransistor]]en, mit je einem npn- und pnp-Transistor. Das [[Schaltsymbol]] ist unter c. abgebildet.

Bei Überschreiten einer bestimmten [[elektrische Spannung]] entsprechender Polarität an den beiden Anschlüssen, der [[Anode]] und [[Kathode]], kommt es zu einer Zündung: Die Strecke zwischen Anode und Kathode wird niederohmig. Dieser Zustand wird solange behalten, bis ein bestimmter Haltestrom unterschritten wird, danach kippt das Bauelement wieder in den hochohmigen Ausgangszustand. Diese Funktion entspricht dem sogenannten ''Überkopfzünden'' ({{EnS|''Breakover''}}) eines Thyristors. Thyristoren, welche speziell auf das Überkopfzünden ausgelegt sind, werden auch als ''[[Dynistor]]'' bezeichnet und finden in der [[Leistungselektronik]] Anwendung. Entfernt ist sie auch mit den für [[Wechselspannung]] ausgelegten Vielschichtdioden, den sogenannten [[Diac]]s, vergleichbar.<ref>[http://www.beigebag.com/case_shockley.htm Shockley Diode & DIAC], abgefragt am 15. Dezember 2010</ref>

== Einzelnachweise ==
<references/>

== Weblinks ==
* [http://www.district87.org/staff/waltonm/Energy%20and%20Power/Qbasic/CircuitAnalysis/Shockley%20Diodes%20and%20DIACs.htm The Shockley Diode], abgefragt am 15. Dezember 2010, (engl.)

Shockley-Diode - Versionsgeschichte

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