imported>Leuni: /* Leben */

2026-04-13T13:25:30Z

Leben

Neue Seite

[[Datei:Robert Noyce with Motherboard 1959.png|mini|Robert Noyce (1959)]]
'''Robert Norton Noyce''' (* [[12. Dezember]] [[1927]] in [[Burlington (Iowa)|Burlington]], [[Iowa]]; † [[3. Juni]] [[1990]] in [[Austin (Texas)|Austin]], [[Texas]]), genannt {{enS|The Mayor of Silicon Valley}} „Der Bürgermeister des [[Silicon Valley]]“, war 1957 Mitgründer von [[Fairchild Semiconductor]] und 1968 von [[Intel]]. Er war 1969 auch Gründungsanleger von [[Advanced Micro Devices|AMD]]. Außerdem gilt er, neben [[Jack Kilby]], als [[Erfinder]] der [[Integrierter Schaltkreis|integrierten Schaltung]].

== Leben ==
Seinen [[Bachelor]] in [[Physik]] erhielt er 1949 am [[Grinnell College]], seinen [[Ph. D.]] 1953 am [[Massachusetts Institute of Technology]].

Als Student am [[Grinnell (Iowa)|Grinnell]] College stahl Noyce von einem nahen Bauernhof ein Schwein und schlachtete es für ein College-[[Lūʻau]]. Dieser Vorfall führte dazu, dass Noyce beinahe exmatrikuliert wurde, nur das Einschreiten eines Physikprofessors verhinderte das.

Nach seiner Promotion am MIT nahm er eine Anstellung als Forschungsingenieur bei [[Philco]] Corporation in [[Philadelphia]], Pennsylvania, an. Er verließ Philco 1956, um bei [[William B. Shockley]] im [[Shockley Semiconductor Laboratory]] von [[Beckman Instruments]] zu arbeiten. Nach internen Meinungsverschiedenheiten verließ er bereits 1957 als einer der so genannten [[Traitorous Eight]] das Shockley Semiconductor Laboratory und gründete zusammen mit den sieben anderen [[Fairchild Semiconductor]].

Bei Fairchild Semiconductor gelang es Robert Noyce 1959, den ersten monolithisch gefertigten integrierten Schaltkreis herzustellen.<ref>{{Patent|Erfinder=Robert N. Noyce|Titel=Semiconductor device and lead structure|Land=US|V-Nr=2981877|A-Datum=1959-07-30|V-Datum=1961-04-25}}</ref> Die Erfindung beruhte hauptsächlich auf der von [[Jean Hoerni]] (Fairchild) entwickelten [[Planartechnik]], mit der erstmals mehrere [[Transistor]]en, [[Diode]]n und Widerstände auf einem Silizium-Substrat („Chip“) platziert werden konnten. Für die Herstellung wurden bereits fotolithografische Verfahren und Diffusionsprozesse genutzt, die Fairchild Semiconductor kurz zuvor für die Herstellung des ersten modernen Diffusions-Bipolartransistors in Planartechnik entwickelt hatte. Die Erfindung des integrierten Schaltkreises wird aber nicht Noyce allein zugeschrieben. Auch [[Jack Kilby]] ([[Texas Instruments]]) entwickelte in dieser Zeit unabhängig von Fairchild eine ähnliche Idee, vgl. [[Mikroelektronik#Integrierte Schaltkreise|Integrierte Schaltkreise im Artikel Mikroelektronik]].<ref>{{Patent| Erfinder= Jack S. Kilby| Titel=Miniaturized electronic circuits|V-Datum=1964-05-23 |Land=US|V-Nr=3138743|A-Datum=1959-02-06}}</ref> Das Entscheidende an Noyce’ Erfindung war die komplette Fertigung der Bauelemente einschließlich Verdrahtung auf einem Substrat; im Gegensatz zu dem Ansatz von Kilby, der noch Drähte zur Verbindung der Bauelemente nutzte.<ref name="Kilby1976">{{Literatur |Autor=Jack S. Kilby |Titel=Invention of the integrated circuit |Sammelwerk=IEEE Transactions on Electron Devices |Band=23 |Nummer=7 |Datum=1976 |Seiten=648–654}}</ref><ref>{{Literatur |Autor=I. M. Ross |Titel=The invention of the transistor |Sammelwerk=Proceedings of the IEEE |Band=86 |Nummer=1 |Datum=1998 |Seiten=7–28}}</ref><ref>{{Literatur |Autor=R. G. Arns |Titel=The other transistor: early history of the metal-oxidesemiconductor field-effect transistor |Sammelwerk=Engineering Science and Education Journal |Band=7 |Nummer=5 |Datum=1998 |Seiten=233–240}}</ref> Dennoch siegte Texas Instruments nach einem jahrelangen Rechtsstreit mit Fairchild, in dem es unter anderem um aus den Erfindungen hervorgehende Lizenzen ging.

1968 verließ er Fairchild Semiconductor und gründete mit [[Gordon Moore|Gordon E. Moore]] [[Intel]].

„Für die Führung in Forschung, Entwicklung und Herstellung von Halbleiterbauelementen“ ({{" |lang=en |Text=For leadership in research development and manufacture of semiconductor devices}}) erhielt er 1966 den [[IEEE Fellow]] Award. Weitere Auszeichnungen waren unter anderem die [[IEEE Medal of Honor]] (1978), der [[Cledo Brunetti Award]] und die [[Stuart Ballantine Medal]] ([[Franklin Institute]], 1966) sowie die [[National Medal of Science]] (1979).<ref>{{Literatur |Autor=George S. Moschytz |Titel=A Century of Honors: The First One-Hundred Years of Award Winners, Honorary Members, Past Presidents, and Fellows of the Institute |Verlag=IEEE Press |Datum=1984 |ISBN=0-87942-177-0 |Seiten=335–336}}</ref> 1980 wurde er sowohl in die [[American Academy of Arts and Sciences]] als auch die [[National Academy of Sciences]] aufgenommen. 1983 erfolgte seine Aufnahme in die [[National Inventors Hall of Fame]]. Das Gebäude des Firmensitzes von Intel in [[Santa Clara (Kalifornien)|Santa Clara]], Kalifornien, ist nach ihm benannt ({{lang|en|''Robert Noyce Building''}}); ebenso das Gebäude der Naturwissenschaftlichen Abteilung des Grinnell College ({{lang|en|''Robert N. Noyce '49 Science Center''}}).

Noyce starb 1990 im Alter von 62 Jahren an einem Herzinfarkt.<ref>{{Der Spiegel |ID=13500635 |Titel=Gestorben: Robert Noyce |Jahr=1990 |Nr=24 |Seiten=}}</ref> Er hinterließ die {{lang|en|''Noyce Foundation''}} (dt. ‚Noyce-Stiftung‘). Diese wird momentan von seiner Tochter Penny Noyce, ihrem Mann Leo Liu und ihrem Sohn Owen Liu geführt. [[Jack Kilby]] hatte für die Erfindung des integrierten Schaltkreises im Jahr 2000 den [[Nobelpreis für Physik]] erhalten. Diese Ehre blieb Noyce verwehrt, da der Preis nicht posthum vergeben wird.<ref>{{cite web|url=http://www.travelnotes.de/california/silicon/tecges.htm|title=Technikgeschichte von Silicon Valley|accessdate=4. Juli 2009|archiveurl=https://web.archive.org/web/20090507234359/http://www.travelnotes.de/california/silicon/tecges.htm|archivedate=2009-05-07|offline=yes|archivebot=2019-05-10 10:38:48 InternetArchiveBot}}</ref>

Ihm zu Ehren vergibt das [[Institute of Electrical and Electronics Engineers|IEEE]] die [[Robert N. Noyce Medal]].

== Literatur ==
* Leslie Berlin: ''The Man Behind the Microchip: Robert Noyce and the Invention of Silicon Valley''. Oxford University Press, 2005, ISBN 0-19-516343-5
* [[Tom Wolfe]]: ''Die neue Welt des Robert Noyce''. Eine Pioniergeschichte aus dem Silicon Valley [Biographie]. (Originaltitel: ''The tinkerings of Robert Noyce'', übersetzt von Günter Ohnemus). Econ, Düsseldorf / Wien / New York 1992, ISBN 3-426-77009-1 (= Knaur 77009 Sachbuch).
* K. Jäger, F. Heilbronner (Hrsg.): ''Lexikon der Elektrotechniker''. 2. Auflage, VDE Verlag, Berlin/Offenbach 2010, ISBN 978-3-8007-2903-6, S. 312.

== Weblinks ==
{{Commonscat}}
* [http://www.noycefdn.org/ Robert Noyce Foundation]
* Tom Wolfe: [https://web.stanford.edu/class/e145/2007_fall/materials/noyce.html ''The Tinkerings of Robert Noyce – How the Sun Rose on the Silicon Valley''.] In: ''Esquire'', Nr. 12, 1983.

== Einzelnachweise ==
<references />

{{Normdaten|TYP=p|GND=118927493|LCCN=n/99/37853|VIAF=37715391}}

{{SORTIERUNG:Noyce, Robert}}
[[Kategorie:Unternehmer (Informationstechnik)]]
[[Kategorie:Unternehmer (Elektrotechnik)]]
[[Kategorie:Erfinder]]
[[Kategorie:Absolvent des Massachusetts Institute of Technology]]
[[Kategorie:Mitglied der National Inventors Hall of Fame]]
[[Kategorie:Mitglied der American Academy of Arts and Sciences]]
[[Kategorie:Mitglied der National Academy of Sciences]]
[[Kategorie:Träger der National Medal of Science]]
[[Kategorie:IEEE Fellow]]
[[Kategorie:Person (Intel)]]
[[Kategorie:US-Amerikaner]]
[[Kategorie:Geboren 1927]]
[[Kategorie:Gestorben 1990]]
[[Kategorie:Mann]]

{{Personendaten
|NAME=Noyce, Robert
|ALTERNATIVNAMEN=Noyce, Robert Norton (vollständiger Name)
|KURZBESCHREIBUNG=US-amerikanischer Halbleiterpionier, Unternehmer und Mitgründer der Firma Intel
|GEBURTSDATUM=12. Dezember 1927
|GEBURTSORT=[[Burlington (Iowa)|Burlington]], [[Iowa]]
|STERBEDATUM=3. Juni 1990
|STERBEORT=[[Austin (Texas)|Austin]], [[Texas]]
}}

Robert Noyce - Versionsgeschichte

imported>Leuni: /* Leben */