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	<title>Resonanztunneldiode - Versionsgeschichte</title>
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	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<title>imported&gt;Georg Hügler: definition first</title>
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		<updated>2023-11-26T07:22:13Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;definition first&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;[[Datei:Rtd seq v3.gif|mini|Kennlinie einer Resonanztunneldiode bei Variation des Energiezustandes]]&lt;br /&gt;
Eine &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Resonanztunneldiode&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; oder &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Interband-Tunnel-Diode&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; ist eine [[Diode]] mit zwei wenige [[Nanometer]] dicken Tunnelbarrieren. Für einen elektrischen Strom müssen [[Elektron]]en diese Barrieren durchtunneln. Die Wahrscheinlichkeit hierfür ist abhängig vom Niveau des quantisierten Energiezustands zwischen den Tunnelbarrieren. Hieraus folgt die Besonderheit der Tunneldioden. Sie besitzen einen negativen [[Differentieller Widerstand|differenziellen Widerstand]]. Auf der Basis von [[Tunneldiode]]n lassen sich in der Resonanztunneldiodentechnik sowohl Logikelemente als auch [[Datenspeicher|Speicher]] verwirklichen.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Siehe auch ==&lt;br /&gt;
* [[Tunneldiode]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Weblinks ==&lt;br /&gt;
* [http://www.infography.com/content/244921069240.html Literaturliste – Silicon-Based Resonant Interband Tunnel Diode]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Diode]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Georg Hügler</name></author>
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