https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=Radiation_sensing_field-effect_transistor 2026-06-04T05:29:54Z Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie MediaWiki 1.43.8 https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Radiation_sensing_field-effect_transistor&diff=1290942&oldid=prev 2020-08-15T08:53:01Z

<p>Literatur zur Entwicklung?</p> <p><b>Neue Seite</b></p><div>{{Belege}}<br /> Ein „&#039;&#039;&#039;radiation sensing field-effect transistor&#039;&#039;&#039;“ (&#039;&#039;&#039;RADFET&#039;&#039;&#039;, auch &#039;&#039;&#039;RadFET&#039;&#039;&#039;) ist ein [[Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor]] (MISFET), dessen Source-Drain-Widerstand von der [[Strahlendosis]] abhängt. Ionisierende Strahlung erzeugt [[Elektron-Loch-Paar]]e im Gate-Bereich. Die Elektronen fließen ab, während sich die positiven [[Gitterfehler|Fehlstellen]] im Substrat anreichern. Der Spannungsabfall am Transistor wächst mit der Strahlendosis. Die Empfindlichkeit liegt in der Größenordnung 10&amp;nbsp;[[Volt|mV]]/[[Gray|Gy]] bis 10&amp;nbsp;V/Gy. <br /> <br /> Aufgrund ihrer geringen Baugröße, der einfachen Integration in elektrische Schaltungen und der hohen erfassbaren Strahlungsdosis von mehr als 1&amp;nbsp;kGy eignen sich RADFETs als Strahlungs[[dosimeter]] für Satelliten.<br /> <br /> [[Kategorie:Transistor]]<br /> [[Kategorie:Teilchendetektor]]</div>

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