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	<title>Pseudostatisches RAM - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-05-28T10:06:21Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Pseudostatisches_RAM&amp;diff=74796&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;SchlurcherBot: Bot: http → https</title>
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		<updated>2025-10-16T10:43:21Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Bot: http → https&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;[[Datei:Olivetti JP90 - Toshiba TC518129CFWL-80 on controller-8514.jpg|mini|1 Mbit pseudostatisches RAM-Baustein, Typ&lt;br /&gt;
TC518129CFWL-80, von [[Toshiba]]&lt;br /&gt;
]]&lt;br /&gt;
&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Pseudostatisches [[Random Access Memory|RAM]]&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; (&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;PSRAM&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;) bezeichnet einen Typ von Speicherbausteinen für [[Computer]]. Sein Inhalt ist flüchtig (volatil), das heißt, die gespeicherte Information geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Ein PSRAM besteht aus einem [[Dynamisches RAM|DRAM]] mit eingebauter Steuerschaltung für das nötige Auffrischen der Speicherzellen und einer Schaltung zur Umsetzung der SRAM-[[Schnittstelle]] auf eine DRAM-Schnittstelle. Dadurch vereinigt es die Vorteile des geringen Flächenbedarfs des [[Dynamisches RAM|DRAMs]] mit der relativ einfachen Ansteuerung eines [[Statisches RAM|SRAMs]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Produktnamen für den PSRAM sind je nach Hersteller CellularRAM&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |url=http://www.micron.com/products/dram/psram-cellularram |titel=PSRAM/CellularRAM |hrsg=Micron Technology |datum=2012 |offline=1 |archiv-url=https://web.archive.org/web/20120920072640/http://www.micron.com/products/dram/psram-cellularram |archiv-datum=2012-09-20 |abruf=2012-09-12 |kommentar=Produktseite von Micron Technology}}&amp;lt;/ref&amp;gt; ([[Micron Technology]]), 1T-SRAM&amp;lt;ref&amp;gt;{{Literatur |Autor=P. N. Glaskowsky |Titel=MoSys explains 1T-SRAM technology |Sammelwerk=Microprocessor Report |Band=13 |Nummer=12 |Datum=1999 |Seiten=1–2 |Online= [https://pages.cs.wisc.edu/~david/courses/cs838/reader/mpr01.pdf PDF] |Abruf=2012-09-12}}&amp;lt;/ref&amp;gt; ([[MoSys]]) und PSiRAM&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |autor=Mark  LaPedus |url=http://www.eetimes.com/electronics-news/4118736/Tezzaron-rolls-out-PSiRAM-memory-technology-item-1 |titel=Tezzaron rolls out &amp;#039;PSiRAM&amp;#039; memory technology |werk= [[EE Times]]. News and Analysis |datum=2003-08-18 |abruf=2012-09-12}}&amp;lt;/ref&amp;gt;  ([[Tezzaron Semiconductor]], 2003).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Einzelnachweise ==&lt;br /&gt;
&amp;lt;references /&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Speicherbaustein]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;SchlurcherBot</name></author>
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