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2025-01-21T12:30:48Z

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'''Plasmaveraschung''' (auch '''Kalt-Plasma-Veraschung''') bezeichnet in der [[Halbleitertechnik]] einen Prozess zur Entfernung von organischen Schichten und Verunreinigungen durch die [[chemische Reaktion]] mit einem [[Plasma (Physik)|Plasma]] aus reaktiven Materialien, wie [[Sauerstoff]] oder [[Fluor]]. Das Verfahren wird beispielsweise eingesetzt, um [[Fotolack]]masken zu entfernen, beispielsweise nach einem Ätzschritt, wenn die Fotolackmaske ihren Zweck erfüllt hat, oder um fehlbelichtete Fotolackmasken vor einer erneuten Belichtung zu entfernen, vgl. [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)]]. Das Verfahren wird aber auch zur Reinigung von Proben/Wafern oder für Spurenanalysen von Metallen in organischem (biologischem) Material eingesetzt.


Bei der Plasmaveraschung wird der belackte Wafer in eine Vakuumanlage (den sogenannten ''Plasmaverascher'') mit einem Plasma aus angeregten einatomigen Stoffen, wie Sauerstoff oder Fluor, eingebracht. Auf diese Weise reagieren die angeregten Teilchen im Plasma bei relativ niedriger Temperatur mit den organischen Verbindungen auf dem Wafer, die im Fall eines Sauerstoffplasmas auf diese Weise oxidiert werden. Dabei entstehen leicht flüchtige Reaktionsprodukte wie [[Kohlendioxid]].


[[Kategorie:Halbleitertechnik]]
[[Kategorie:Plasmaphysik]]

Plasmaveraschung - Versionsgeschichte

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