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	<title>NRAM - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-05-20T13:36:12Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=NRAM&amp;diff=1019976&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;Aka: Tippfehler entfernt, typografische Anführungszeichen, Links optimiert, Kleinkram</title>
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		<updated>2024-04-15T10:10:28Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;&lt;a href=&quot;/index.php?title=Benutzer:Aka/Tippfehler_entfernt&amp;amp;action=edit&amp;amp;redlink=1&quot; class=&quot;new&quot; title=&quot;Benutzer:Aka/Tippfehler entfernt (Seite nicht vorhanden)&quot;&gt;Tippfehler entfernt&lt;/a&gt;, typografische Anführungszeichen, Links optimiert, Kleinkram&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Nanotube-based&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;, &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Nano-RAM&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; oder auch &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;NRAM&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; ist der Name einer [[Halbleiterspeicher]]technik. Sie wurde von Thomas Rückes bei der Firma [[Nantero]] in [[Woburn (Massachusetts)|Woburn]] entwickelt.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Die Technik zeichnet sich dadurch aus, dass [[Nanoröhre]]n aus [[Kohlenstoff]] zum Speichern von Daten verwendet werden.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |autor=Heinz Arnold |url=https://www.elektroniknet.de/halbleiter/der-heilige-gral-der-speichertechnik-endlich-gefunden.120224.html |titel=Der heilige Gral der Speichertechnik - endlich gefunden? |sprache=de-DE |abruf=2024-04-07}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Sie beruht darauf, dass die Röhrchen ihre Form oder Ausrichtung beim Anlegen einer [[Elektrische Spannung|Spannung]] verändern, was ihren elektrischen [[Elektrischer Widerstand|Widerstand]] verändert und dadurch eine Funktion wie bei einem [[Transistor|Speichertransistor]] gegeben ist.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |url=https://www.hartware.de/2005/10/08/nram-aus-karbon-nanorohren/ |titel=NRAM aus Karbon-Nanoröhren – Hartware |sprache=de-DE |abruf=2024-04-07}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Da die Röhrchen diese veränderte Form/Richtung auch beibehalten, wenn die Spannung wieder weggenommen wird, zählt diese Speichertechnologie zu den [[NVRAM|nichtflüchtigen Speichern]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Geschichte ==&lt;br /&gt;
Im Jahr 2005 wurde NRAM als [[Arbeitsspeicher|universeller Speicher]] angeboten, und Nantero sagte voraus, dass der Speicher bis Ende 2006 in Produktion gehen würde.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |url=https://web.archive.org/web/20050204085202/http://www.mos.org/cst/article/5978/1.html |titel=Nanotube &amp;#039;Universal Memory&amp;#039; A Turn-On For Computers - Nantero, Inc. &amp;#039;NRAM&amp;#039; - Nano Random Access Memory |datum=2005-02-04 |sprache=en |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Im August 2008 erwarb Lockheed Martin eine Exklusivlizenz für Regierungsanwendungen des geistigen Eigentums von Nantero.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |autor=Mark LaPedus |url=https://www.eetimes.com/lockheed-buys-nanteros-government-unit/ |titel=Lockheed buys Nantero’s government unit |datum=2008-08-13 |sprache=en |abruf=2014-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Anfang 2009 verfügte Nantero über 20 US-Patente und hatte 47 Mitarbeiter beschäftigt. Es befand sich noch in der Entwicklungsphase des Speichers.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |autor=Efrain Viscarolasaga |url=https://www.bizjournals.com/boston/blog/mass-high-tech/2009/01/nanteros-semiconductors-pull-high-patent.html |titel=Nantero&amp;#039;s semiconductors pull high patent power ranking |hrsg=Boston Business Journal |datum=2009-01-22 |sprache=en |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Im Mai 2009 wurde eine strahlenresistente Version von NRAM auf der Mission STS-125 des US Space Shuttle Atlantis getestet.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |url=https://web.archive.org/web/20091120222017/https://www.prnewswire.com/news-releases/lockheed-martin-tests-carbon-nanotube-based-memory-devices-on-nasa-shuttle-mission-70376567.html |titel=Lockheed Martin Tests Carbon Nanotube-Based Memory Devices on NASA Shuttle |datum=2009-11-20 |sprache=en |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Im November 2012 wurde eine Finanzierungsrunde und eine Zusammenarbeit mit dem belgischen Forschungszentrum imec angekündigt wurde.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |url=https://www.azom.com/news.aspx?newsID=34644 |titel=Nantero, imec Collaborate on Development of Carbon-Nanotube-Based Memory |datum=2012-11-01 |sprache=en |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |autor=Chris Mellor |url=https://www.theregister.com/2012/11/06/nantero_cnt/ |titel=Flash-killer nanotube memory firm teams with Belgians to try again |sprache=en |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Nantero sammelte in der Serie-D-Runde im November 2012 insgesamt über 42 Millionen US-Dollar ein.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |autor=Patricia Resende |url=https://www.bizjournals.com/boston/blog/mass-high-tech/2012/11/nantero-gets-10m-to-move-product-into.html |titel=Nantero gets $10M to move product into commercialization |hrsg=Boston Business Journal |datum=2012-11-28 |sprache=en |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Zu den Investoren gehörten Charles River Ventures, Draper Fisher Jurvetson, Globespan Capital Partners, Stata Venture Partners und Harris &amp;amp; Harris Group.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |url=https://web.archive.org/web/20130615102608/https://www.prweb.com/releases/2013/5/prweb10774187.htm |titel=Nantero Secures Second Closing of Series D; Company Adds Major Strategic Investors |datum=2013-06-15 |sprache=en |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Im Mai 2013 schloss Nantero die Serie D mit einer Investition von Schlumberger ab. EE Times listete Nantero als eines der „10 Top-Startups, die man 2013 im Auge behalten sollte“.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |autor=Peter Clarke |url=https://www.eetimes.com/10-top-startups-to-watch-in-2013/ |titel=10 top startups to watch in 2013 |werk=EE Times |datum=2012-12-21 |sprache=en |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Am 31. August 2016 wurde bekannt, dass zwei Fujitsu-Halbleiterunternehmen die NRAM-Technologie von Nantero mit einer gemeinsamen Entwicklung von Nantero und Fujitsu zur Herstellung von Chips lizenzierten. Die Produktion wurde für 2018 angekündigt, ist aber mit Stand 2024 nicht auf dem Markt verfügbar.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |autor=Michael Günsch |url=https://www.computerbase.de/2016-09/nantero-nram-fujitsu-fuehrt-nanoroehren-speicher-zum-produkt/ |titel=Nantero NRAM: Fujitsu führt Nanoröhren-Speicher zum Produkt |werk=computerbase.de |datum=2016-09-01 |sprache=de |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Die Chips sollen mehrere tausend Mal schneller wiederbeschreibbar sein und viele tausend Mal mehr Wiederbeschreibungszyklen haben als eingebettete Flash-Speicher.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Internetquelle |autor=Chris Mellor |url=https://www.theregister.com/2016/08/31/nram_dev_nantero_signs_fujitsu/ |titel=Deep inside Nantero&amp;#039;s non-volatile carbon nanotube RAM tech |sprache=en |abruf=2024-04-14}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Weblinks ==&lt;br /&gt;
* [https://www.nantero.com/technology/ Nantero über NRAM]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Einzelnachweise ==&lt;br /&gt;
&amp;lt;references /&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Halbleiterspeichertechnik]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Abkürzung]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Aka</name></author>
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