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[[Datei:IPhone 3G teardown - Intel 3050M0Y0CE -3303.jpg|mini|NOR-Flash-Chip von Intel in einem iPhone 3G]]
'''NOR-Flash''' bezeichnet einen Typ von [[Flash-Speicher]], der in der sogenannten NOR-Technik gefertigt ist. Hierbei sind die Einzel-Speicherzellen (Floating-Gate-Transistoren oder Charge-Trapping-Speicherzellen) ähnlich der Transistoren bei einem [[NMOS-Logik|NMOS]]-[[NOR-Gatter]] parallel verschaltet. NOR-Speicher wurde als flexibler Ersatz für [[Erasable Programmable Read-Only Memory|EPROM]]-, [[Programmable Read-Only Memory|PROM]]- und [[Festwertspeicher|ROM]]-Speicher entwickelt. NOR-Flash wird über eine klassische [[Adressbus|Adress]]- und [[Datenbus]]-[[Schnittstelle]] angesprochen und kann ohne zusätzliche [[Glue Logic]] an das Bussystem eines [[Controller (Hardware)|Controllers]] angebunden werden.

== Aufbau ==
{{Belege}}
[[Datei:NOR flash layout.svg|mini|Aufbau und Struktur einer NOR-Zelle. Die einzelnen [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor|MOSFET]]s einer Zelle liegen auf unterschiedlichen Adressen innerhalb eines Blocks.]]
Während beim Lesezugriff auf alle Bytes wahlfrei zugegriffen werden kann, muss beim Schreibzugriff berücksichtigt werden, dass die Bytes zu Blöcken gruppiert sind. Zwar können die einzelnen Bytes unabhängig voneinander beschrieben werden, allerdings ist hier nur ein Übergang der [[Bit]]s von 1 nach 0 möglich. Gelöscht werden können hingegen stets nur vollständige Blöcke. Alle Bits in den Bytes werden hierbei wieder auf 1 gesetzt. Je nach verwendetem Bausteintyp ist während des Löschvorgangs, dessen Dauer ein Vielfaches der Lesezugriffszeit beträgt, auch ein Zugriff auf andere Blöcke möglich. Die Granularität der Blockgröße liegt üblicherweise bei 64 [[Byte|KiB]] – sie variiert jedoch von Baustein zu Baustein und manchmal auch innerhalb eines Bausteins: Manche Flash-ROMs besitzen zur Reduzierung des Speicherbedarfs bei Anwendungen mit Bootcode im unteren (Bottom-Boot) oder oberen (Top-Boot) Speicherbereich Blöcke mit geringerer Größe.

NOR-Flashs besitzen technologiebedingt bei gleicher [[Strukturgröße]] geringere Speicherkapazitäten als [[NAND-Flash]]s, da ihre Speicherzellen mehr Platz auf dem [[Die (Halbleitertechnik)|Die]] erfordern. NOR-Flashspeicher sind üblicherweise bei Auslieferung vollständig fehlerfrei – im Gegensatz zu NAND-Flashspeicher, wo defekte Speicherblöcke bis zu einer gewissen Anzahl pro Chip üblich sind. NOR-Flashzellen sind in der Regel für mehrere 100.000 Schreib- und Löschzyklen ausgelegt.

== Einsatzbereiche ==
NOR-Flashes werden überwiegend zur Speicherung von Bootcode bzw. der Firmware eines Computersystems verwendet.

== Vorteile ==
* linear adressierbarer Speicher, ermöglicht Ausführung von Code (execute in place)
* hohe Schreibgeschwindigkeit bei kleinen Datenmengen
* problemlose Ankopplung an Controllersysteme aufgrund des [[Static random-access memory|SRAM]]-ähnlichen [[Bus (Datenverarbeitung)#Bussysteme|Bussystems]]

== Nachteile ==
* relativ hohe Leistungsaufnahme
* langsam beim Schreiben und Löschen großer Datenmengen
* nur für relativ kleine Speicherkapazitäten erhältlich (maximal 64 Gigabit (Mai. 2019))<ref>[https://www.mouser.de/ProductDetail/Micron/MT28HL64GRBB6EBL-0GCT-TR?qs=sGAEpiMZZMtI%252BQ06EiAoG%252BAe0qJpJIMLeiuyi%2F5Xt80%3D mouser.de] Mai 2019</ref>

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Halbleiterspeichertechnik|Norflash]]

[[en:Flash memory#NOR memories]]

NOR-Flash - Versionsgeschichte

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