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2025-09-27T14:37:20Z

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[[Datei:Multiemitter_Transistor.svg|thumb|right|Schaltsymbol eines Multiemitter-Transisors mit drei Emitter-Anschlüssen (E1 bis E3)]]
Der '''Multiemitter-Transistor''' stellt eine besondere Form von [[Bipolartransistor]] dar. Er verfügt über einen Basis- (B) und einen Kollektoranschluss (C), aber im Unterschied zu herkömmlichen Bipolartransistoren weist er mehrere Emitteranschlüsse (E<sub>1</sub>,…,E<sub>n</sub>) auf. Schaltungstechnisch stellt er eine [[Parallelschaltung]] mehrerer herkömmlicher Bipolartransistoren dar, deren Basis- bzw. Kollektoranschlüsse zu je einem Anschluss zusammengefasst sind und deren Emitteranschlüsse separat verfügbar sind. Damit lassen sich leicht [[Und-Gatter|AND]]- und [[Oder-Gatter|OR-Gatter]], sowie deren Negationen ([[NAND-Gatter|NAND-]] und [[NOR-Gatter]]) aufbauen. So lange einer der Emitter auf tiefem Potential (LOW) liegt, hat auch der Ausgang ein tiefes Potential. Nur wenn ''alle'' Emitter ein hohes Potential (HIGH) haben, hat auch der Ausgang (Kollektor) ein hohes Potential.

== Anwendung ==
Anwendungen liegen primär im Bereich der bipolaren [[Transistor-Transistor-Logik]], wo der Multiemitter-Transistor in der Eingangsstufe von logischen Gattern mit bis zu zehn Emitteranschlüssen Verwendung findet. In dieser Anwendung wird der Transistor in [[Basisschaltung]] betrieben. Der Vorteil gegenüber einzelnen Bipolartransistoren in Parallelschaltung liegt insbesondere bei [[integrierte Schaltung|integrierten Schaltungen]] in der reduzierten Chipfläche. Die Anwendungen von Multiemitter-Transistoren beschränken sich daher auf den Bereich von integrierten Schaltungen.

== Literatur ==
*{{Literatur
|Autor=[[Ulrich Tietze]], Christoph Schenk
|Titel=Halbleiter-Schaltungstechnik
|Verlag=Springer |Ort= Berlin| Auflage=12.|Jahr=2002 | ISBN=3-5404-2849-6 }}

[[Kategorie:Transistor]]

Multiemitter-Transistor - Versionsgeschichte

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