https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=Morgan_SparksMorgan Sparks - Versionsgeschichte2026-06-06T11:43:05ZVersionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale KopieMediaWiki 1.43.8https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Morgan_Sparks&diff=1332241&oldid=previmported>Sokrates 399: Typografie.2026-01-01T10:54:17Z<p>Typografie.</p>
<p><b>Neue Seite</b></p><div>[[Datei:Bell_telephone_magazine_(1922)_(14753848794).jpg|mini|Morgan Sparks (rechts) mit Gordon K. Teal (1953)]]<br />
'''Morgan Sparks''' (* [[6. Juli]] [[1916]] in [[Pagosa Springs]]; † [[3. Mai]] [[2008]] in [[Fullerton (Kalifornien)]]) war ein US-amerikanischer Wissenschaftler und [[Ingenieur]], welcher unter anderem an der Entwicklung des [[Bipolartransistor]]s beteiligt war. Dies war ein bedeutender Schritt zur modernen Alltagselektronik.<br />
<br />
== Leben ==<br />
Sparks wurde in Pagosa Springs, [[Colorado]], als Sohn von Harry Lysinger und Pearl (Morgan) Sparks geboren und wuchs in [[Texas]] auf. Nach einem Chemiestudium an der [[Rice University]] ([[Bachelor|Bachelor of Arts]] 1938, [[Master#Master of Arts (M. A.)|Master of Arts]] 1940) wurde er 1943 an der [[University of Illinois]] im Bereich physikalische Chemie promoviert (Ph.D.) – als Stipendiat der [[Rockefeller-Stiftung]]. Nach seiner akademischen Ausbildung fand er 1943 eine Anstellung bei den [[Bell Laboratories]]. 1948 stieß er zur Arbeitsgruppe von [[William B. Shockley]], die den ersten [[Transistor]] entwickelt hatte. Zusammen mit [[Gordon Teal]] entwickelte Sparks Teals Methode der [[Kristallisation]] von hochreinen (von Verunreinigungen freien) [[Germanium]]-[[Einkristall]]en weiter, so dass sie einen „gezogenen/gewachsenen [[pn-Übergang]]“ (engl. {{lang|en|''grown junction''}}) aufwiesen.<ref>{{Literatur |Autor=G. K. Teal, M. Sparks, E. Buehler |Titel=Growth of Germanium Single Crystals Containing p-n Junctions |Sammelwerk=Physical Review |Band=81 |Nummer=4 |Datum=1951-02-15 |Seiten=637–637 |DOI=10.1103/PhysRev.81.637}}</ref> Dazu wurden der Schmelze während des Kristallziehens ([[Czochralski-Verfahren]]) gezielt Verunreinigungen beigesetzt, die dann in den Kristall eingebaut wurden. Das Verfahren wurde im Jahre 1950 zum Patent angemeldet.<ref>{{Patent| Land=US| V-Nr=2631356| Code=A| Titel=Method of making P-N Junctions in Semiconductor Materials| A-Datum=1950-06-15| V-Datum=1953-03-17| Anmelder=Bell Telephone Laboratories Incorporated| Erfinder=Morgan Sparks, Gordon K. Teal}}</ref><ref>{{Patent| Land=DE| V-Nr=944209| Code=C| Titel=Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern| A-Datum=1951-05-12| V-Datum=1956-06-07| Anmelder=Western Electric Co| Erfinder=Gordon Kidd Teal}}</ref> Auf dieser Technik basierte die Herstellung des ersten npn-Transistors, vgl. [[gezogener Transistor]].<ref>{{Literatur |Autor=W. Shockley, M. Sparks, G. K. Teal |Titel=p-n Junction Transistors |Sammelwerk=Physical Review |Band=83 |Nummer=1 |Datum=1951-07 |Seiten=151–162 |DOI=10.1103/PhysRev.83.151}}</ref> Sie ermöglichte eine gegenüber dem Spitzentransistor relativ einfache und kostengünstige Herstellung einer großen Zahl von [[Bipolartransistor]]en mit ähnlichen/gleichen elektrischen Eigenschaften, wie sie für [[elektronische Schaltung]]en notwendig sind. Der gezogene Transistor wurde einige Jahre später durch den [[Legierungstransistor]] und dieser wiederum durch den [[Diffusionstransistor]] verdrängt.<br />
<br />
Am 30. April 1949 heiratete er Elizabeth MacEvoy († 2006), die damalige Sekretärin von Shockley, mit der er zwei Söhne und zwei Töchter hatte.<br />
<br />
1972 übernahm er die Leitung der [[Sandia National Laboratories]], die unter der Schirmherrschaft des Mutterkonzerns der Bell Labs, [[AT&T]], standen, und formte die Forschungsabteilung um. Er blieb bis zu seiner Pensionierung 1981 dieser Firma treu.<br />
<br />
Danach war er von 1981 bis 1984 Rektor der [[Anderson School of Management]] an der [[University of New Mexico]] in [[Albuquerque]].<br />
<br />
== Auszeichnungen und Ehrungen ==<br />
* 1977: Jack A. Morton Award der [[IEEE]]<br />
* 1980: Doktorwürde (D. Sc.) der [[University of New Mexico]]<br />
<br />
== Literatur ==<br />
* ''Who’s Who in America''. 47. Ausgabe (1992–1993), Bd. 2, S. 3183<br />
* ''American Men & Women of Science''. 21. Ausgabe (2003), Bd. 6, S. 902<br />
<br />
== Weblinks ==<br />
* [https://www.heise.de/newsticker/meldung/Die-Entdeckung-der-Langsamkeit-zum-Tod-von-Morgan-Sparks-206389.html Meldung zum Tod von Morgan Sparks auf heise.de]<br />
* [http://www.nytimes.com/2008/05/08/us/08sparks.html Douglas Martin: ''Morgan Sparks, Bell Scientist, Dies at 91'']. Nekrolog in der New York Times, 8. Mai 2008 (englisch)<br />
* Melanie Dabovich (AP): {{Webarchiv | url= http://www.lcsun-news.com/ci_9170909 | wayback = 20080610091742 | text = ''Former Sandia labs director dies''}}. Nekrolog in Las Cruces Sun-News, 6. Mai 2008 (englisch)<br />
* [http://www.pbs.org/transistor/album1/sparks/index.html Biografie von Morgan Sparks] (englisch)<br />
<br />
== Einzelnachweise ==<br />
<references /><br />
<br />
{{SORTIERUNG:Sparks, Morgan}}<br />
[[Kategorie:Chemiker (20. Jahrhundert)]]<br />
[[Kategorie:Chemieingenieur]]<br />
[[Kategorie:US-Amerikaner]]<br />
[[Kategorie:Geboren 1916]]<br />
[[Kategorie:Gestorben 2008]]<br />
[[Kategorie:Mann]]<br />
<br />
{{Personendaten<br />
|NAME=Sparks, Morgan<br />
|ALTERNATIVNAMEN=<br />
|KURZBESCHREIBUNG=US-amerikanischer Wissenschaftler<br />
|GEBURTSDATUM=6. Juli 1916<br />
|GEBURTSORT=[[Pagosa Springs]], Colorado<br />
|STERBEDATUM=3. Mai 2008<br />
|STERBEORT=[[Fullerton (Kalifornien)]]<br />
}}</div>imported>Sokrates 399