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	<title>Monolithic Microwave Integrated Circuit - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-06-02T15:16:36Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Monolithic_Microwave_Integrated_Circuit&amp;diff=2285138&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;17387349L8764: HC: Ergänze Kategorie:Technisches Fachgebiet</title>
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		<updated>2026-04-13T22:12:28Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;&lt;a href=&quot;/index.php?title=WP:HC&amp;amp;action=edit&amp;amp;redlink=1&quot; class=&quot;new&quot; title=&quot;WP:HC (Seite nicht vorhanden)&quot;&gt;HC&lt;/a&gt;: Ergänze &lt;a href=&quot;/index.php/Kategorie:Technisches_Fachgebiet&quot; title=&quot;Kategorie:Technisches Fachgebiet&quot;&gt;Kategorie:Technisches Fachgebiet&lt;/a&gt;&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;[[Datei:MMIC example.jpg|mini|Geometrische Struktur des Chips eines MMICs]]&lt;br /&gt;
[[Datei:Monolithic microwave integrated circuit MSA0686 fixed.png|mini|Gehäuse des MMIC MSA-0686 und ein Schaltplan des vom Hersteller vorgeschlagenen elektrischen Anschluss dieses Bausteins. Die Versorgung erfolgt durch einen Gleichspannungsanteil an dem Ausgang des MMIC.]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;MMIC&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; (von &amp;#039;&amp;#039;{{lang|en|Monolithic Microwave Integrated Circuit}}&amp;#039;&amp;#039;) sind in der [[Hochfrequenztechnik]] und [[Mikroelektronik]] eine spezielle Klasse von [[Integrated Circuit|integrierten Bauteilen]], Schaltungen oder Systemen.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Literatur |Autor=Inder Bahl, P. Bhartia |Titel=Microwave Solid State Circuit Design |Auflage=2. |Verlag=Wiley-Interscience |Ort=New York |Datum=2003 |Sprache=en |ISBN=0-471-20755-1 |Online=https://archive.org/details/microwavesolidst00bahl_0}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Dabei werden alle aktiven und passiven Komponenten auf einem [[Halbleiter]]-[[Substrat (Materialwissenschaft)|Substrat]] realisiert (Dicke typ. 100&amp;amp;nbsp;µm). Die [[Miniaturisierung]] ermöglicht Schaltungen bis in den Bereich der [[Millimeterwelle]]n.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Zu unterscheiden sind die hier behandelten MMICs von den MICs. Bei letzteren handelt es sich um &amp;#039;&amp;#039;Microwave integrated circuits&amp;#039;&amp;#039;, also um &amp;#039;&amp;#039;nicht monolithisch&amp;#039;&amp;#039; [[Integrierte Mikrowellenschaltung|integrierte Mikrowellen&amp;amp;shy;schaltungen]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Begriff ==&lt;br /&gt;
Unter dem Überbegriff &amp;#039;&amp;#039;{{lang|en|Solid-State Integrated Circuit}}&amp;#039;&amp;#039; versteht man nicht nur Mikrowellenbauelemente und -schaltungen, sondern auch Systeme für andere Frequenzbereiche, bspw. [[Terahertzstrahlung]].&amp;lt;ref&amp;gt;{{Literatur |Autor=Lorene A. Samoska |Titel=An Overview of Solid-State Integrated Circuit Amplifiers in the Submillimeter-Wave and THz Regime |Sammelwerk=IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology |Band=1 |Nummer=1 |Datum=2011-09 |Sprache=en |ISSN=2156-342X |DOI=10.1109/TTHZ.2011.2159558 |Seiten=9–24 |Online=https://ieeexplore.ieee.org/document/6005342/ |Abruf=2023-02-01}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Bauelemente ==&lt;br /&gt;
Die Realisierung von [[Widerstand (Bauelement)|Widerständen]] erfolgt in [[Dünnschichttechnologie|Dünnfilmtechnik]] oder dotiertem [[Halbleiter]]material mit [[ohmscher Kontakt]]ierung. [[Kondensator (Elektrotechnik)|Kondensatoren]] bestehen aus übereinander gelegten Metallflächen mit [[Siliziumnitrid]] als [[Dielektrikum]]. [[Induktivität (Bauelement)|Induktivitäten]] und [[Transformator]]en entstehen aus Leiterbahnschnecken.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Die Leiterbahnführung erfolgt als [[Streifenleitung]] und ermöglicht die Anwendung von Leitungstransformation und Anordnungen aus gekoppelten Leitungen gemäß der [[Leitungstheorie]]. Die typische Leiterbahnbreite für eine 50-Ω-Leitung beträgt 70&amp;amp;nbsp;µm, die Dicke eines [[Kopfhaar|menschlichen Haars]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Darüber hinaus sind [[Durchkontaktierung]]slöcher (VIAs) möglich und sogenannte {{lang|en|air bridges}} für Leiterbahnkreuzungen.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Zu den wesentlichen aktiven Bauelementen zählen [[Schottky-Diode]], [[IMPATT-Diode]], [[Kapazitätsdiode]], [[Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor]] (MESFET), {{lang|en|[[high-electron-mobility transistor]]}} (HEMT) und {{lang|en|[[heterojunction bipolar transistor]]}} (HBT). Außerdem wird eine Reihe an verschiedenen Bauteilen oder Systemen mittels [[Mikrosystem (Technik)|RF MEMS]] realisiert.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Bei der Materialauswahl kommen [[III-V-Verbindungshalbleiter]]n (z. B. [[Galliumarsenid|GaAs]], [[Galliumnitrid|GaN]]) oder [[II-VI-Verbindungshalbleiter|II-VI]] für Hochfrequenzanwendungen eine aufgrund der [[Bandstruktur]] entscheidende Eigenschaft zu.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Vor- und Nachteile ==&lt;br /&gt;
* Günstige Produktion bei großer Stückzahl&lt;br /&gt;
* Geringe Baugröße&lt;br /&gt;
* Reproduzierbare gleichbleibende Resultate&lt;br /&gt;
* Große Bandbreite&lt;br /&gt;
* Lange Entwicklungszyklen&lt;br /&gt;
Im Falle von Hochleistungsanwendungen (z. B. [[Radar]] oder in der [[Medizinische Physik]]) kommen weiterhin häufig [[Elektronenröhre|Röhren]] zum Einsatz.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Literatur |Titel=Vacuum Electronics |Verlag=Springer Berlin Heidelberg |Ort=Berlin, Heidelberg |Datum=2008 |Sprache=en |ISBN=978-3-540-71928-1 |DOI=10.1007/978-3-540-71929-8 |Online=https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-540-71929-8 |Abruf=2023-02-01}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Bei der [[Dickschicht-Hybridtechnik|Hybrid-MIC-Technik]] kann nur ein Teil der Bauelemente auf dem Substrat (meist Keramiksubstrat) realisiert werden. Der Rest muss bestückt werden und hat aufgrund der Anschlussleitungen entsprechend schlechtere Hochfrequenzeigenschaften.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Anwendungen ==&lt;br /&gt;
MMIC-Geräte finden sich primär in der Luft- und Raumfahrt, Telekommunikation (z. B. [[Long Term Evolution|LTE]], [[5G]], [[Wireless Local Area Network|WLAN]], [[Bluetooth]]) oder beim Militär.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Hersteller ==&lt;br /&gt;
{{Siehe auch|Halbleiterhersteller}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Literatur ==&lt;br /&gt;
{{Siehe auch|Halbleiter|Mikroelektronik|Hochfrequenztechnik}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Fachbücher ===&lt;br /&gt;
* {{Literatur |Autor=Charles E. Free, Colin S. Aitchison |Titel=RF and Microwave Circuit Design: Theory and Applications |Auflage=1 |Verlag=Wiley |Datum=2021 |Sprache=en |ISBN=978-1-119-11463-5 |DOI=10.1002/9781119332237}}&lt;br /&gt;
* {{Literatur |Autor=Sammy Kayali, George Ponchak, Roland Shaw |Titel=GaAs MMIC Reliability Assurance Guideline for Space Applications |Verlag=[[Jet Propulsion Laboratory]] |Ort=Pasadena, California |Datum=1996 |Sprache=en |Reihe=JPL Publication 96-25 |Online=https://parts.jpl.nasa.gov/mmic/mmic_complete.pdf}}&lt;br /&gt;
* {{Literatur |Autor=Shiban Kishen Koul, Sukomal Dey |Titel=Micromachined Circuits and Devices: Microwave to Sub-millimeter Applications |Verlag=Springer Singapore |Ort=Singapore |Datum=2022 |Sprache=en |Reihe=Lecture Notes in Electrical Engineering |BandReihe=859 |ISBN=9789811694424 |DOI=10.1007/978-981-16-9443-1}}&lt;br /&gt;
* {{Literatur |Autor=Sigfrid Yngvesson |Titel=Microwave Semiconductor Devices |Verlag=Springer US |Ort=Boston, MA |Datum=1991 |Sprache=en |ISBN=978-1-4613-6773-4 |DOI=10.1007/978-1-4615-3970-4}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Weblinks ==&lt;br /&gt;
* [https://www.radartutorial.eu/18.explanations/ex21.de.html MMIC-Technologie] (Radartutorial von Christian Wolff)&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Einzelnachweise ==&lt;br /&gt;
&amp;lt;references /&amp;gt;&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Hochfrequenzbauelement]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Integrierter Schaltkreis]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Mikroelektronik]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Halbleiterbauelement]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Technisches Fachgebiet]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;17387349L8764</name></author>
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