https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=Miller-Integrator 2026-05-28T16:22:20Z Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie MediaWiki 1.43.8 https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Miller-Integrator&diff=1108320&oldid=prev 2024-06-01T22:30:56Z

<p>Bot: Dateieinbindungen: Deutsche Schlüsselworte, framed und rand nicht gemeinsam (rand entfernt), Parameter sortiert</p> <p><b>Neue Seite</b></p><div>Der &#039;&#039;&#039;Miller-Integrator&#039;&#039;&#039; ist eine [[elektrische Schaltung]] zur Erzeugung linear ansteigender Signale. Die Schaltung kann als [[Sägezahngenerator]], für [[Kippschwingung]]en, und als [[Dreieckgenerator]] eingesetzt werden. Eine Schaltung für Kippschwingungen, die auf dem Miller-Integrator basiert, ist das [[Miller-Transitron]]. Ein [[Regler#I-Regler (I-Anteil)|Integralregler]] in der Analogtechnik wird meistens mit einem Miller-Integrator realisiert.<br /> <br /> == Schaltungsbeschreibung ==<br /> [[Datei:Miller Integrator FET.png|gerahmt|rechts|Schaltbild eines Miller-Integrators]]<br /> Der Miller-Integrator besteht aus dem Ladewiderstand &#039;&#039;R&#039;&#039;&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;, dem Integrationskondensator &#039;&#039;C&#039;&#039;&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; und dem [[Sperrschicht-Feldeffekttransistor|JFET]] &#039;&#039;Q&#039;&#039;&lt;sub&gt;1&lt;/sub&gt;. Am Eingang In liegt eine Rechteckspannung. Wechselt diese von negativer auf positive Spannung so wird &#039;&#039;C&#039;&#039;&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; über &#039;&#039;R&#039;&#039;&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; umgeladen. Der JFET &#039;&#039;Q&#039;&#039;&lt;sub&gt;1&lt;/sub&gt; linearisiert die Ladekurve. Immer wenn das Gate ein wenig positiver wird, wird der Drain ein wenig negativer. Die Spannung über den Kondensator &#039;&#039;C&#039;&#039;&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; bleibt gleich und damit auch der Ladestrom. Für einen idealen Miller-Integrator ist der Eingangswiderstand des Verstärkers und die Verstärkung unendlich. Ein [[Operationsverstärker]] erfüllt diese Bedingungen bei Niederfrequenz sehr gut, für höherfrequente Anwendungen eignet sich ein JFET.<br /> <br /> Zwischen Basis und Kollektor eines Bipolartransistors oder zwischen Gate und Drain eines FET liegt eine interne Kapazität. Der Kapazitätswert reicht von einigen Femtofarad bei MOSFET Tetroden, über einige Picofarad bei Kleinleistungs-Transistoren bis zu einigen Nanofarad bei [[Leistungs-MOSFET]]. Der [[Millereffekt]] beschreibt die Auswirkung dieser internen Kapazität.<br /> <br /> == Quellenangaben, Literatur ==<br /> * {{Literatur<br /> |Autor = S. W. Amos, R. S. Amos<br /> |Titel = Newnes Dictionary of electronics<br /> |Verlag = Butterworth Heinemann | Jahr = 1999<br /> }} [https://books.google.de/books?id=c4qHqtC9JkgC&amp;pg=PA200&amp;lpg=PP200&amp;dq=Newnes+Dictionary+of+electronics&amp;hl=de Link]<br /> * {{Literatur<br /> |Autor = Schröder, Feldmann, Rommel<br /> |Titel = Elektrische Nachrichtentechnik III.Band<br /> |Verlag = Verlag für Radio-Foto-Kinotechnik | Jahr = 1972 | Ort = Berlin-Borsigwalde<br /> }}<br /> <br /> [[Kategorie:Regler]]<br /> [[Kategorie:Fernsehtechnik]]<br /> [[Kategorie:Elektrischer Oszillator]]</div>

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