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2024-11-15T12:41:41Z

Relativsatz

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Mithilfe einer '''Maskierungsschicht''' ist es möglich, [[Diffusion]], [[Ionenimplantation]], [[Ätzen]] oder eine [[physikalische Gasphasenabscheidung]] auf eine unter der Maskierung befindlichen Schicht selektiv durchzuführen. Die Maskierungsschicht ist meist eine sogenannte [[Opferschicht]], das heißt, sie wird nach dem Prozess, bei dem sie als Maskierung dient, wieder entfernt. Bei der unterliegenden Schicht handelt es sich meist um eine Siliziumscheibe ([[Wafer]]), einen Rohling für integrierte Halbleiterschaltungen, oder ein vorher aufgebrachter Schichtstapel unterschiedlicher Materialien.

Die Maske selbst stellt eine Vorlage für die Prozesse dar, mit denen mikrofeine, geometrische Strukturen auf bzw. in die Oberfläche des Halbleitersubstrats gebracht werden ([[Transistor]]en, [[Leiterbahn]]en etc.). Typische Materialien sind neben [[Fotolack]] sowie Siliziumdioxid oder -nitrid. Letztere werden auch als '''Hardmaske''' bezeichnet, da sie anders als Fotolacke deutlich widerstandsfähig gegenüber diversen Prozessen in der Halbleitertechnik sind, beispielsweise [[Plasmaätzen|Plasma-]] oder nasschemisches Ätzen.<ref>{{Literatur | Autor = Sami Franssila | Titel = Introduction to Microfabrication | Verlag = John Wiley & Sons | Jahr = 2010 | ISBN = 9781119991892|Kapitel=Abschnitt 11.7.2. ''Etching with hard mask''|Seiten=134–135}} </ref> Für moderne Fertigungsschritte kommen aber auch weitere Materialien wie [[amorpher Kohlenstoff]]<ref>{{Literatur | Autor = Yayi Wei, Robert L. Brainard | Titel = Advanced Processes for 193-Nm Immersion Lithography | Verlag = SPIE Press | Jahr = 2009 | ISBN = 9780819475572|Seiten=171ff.}}</ref> (engl. {{lang|en|''amorphous carbon''}}, a-C) sowie metallische Schichten aus [[Tantalnitrid]], (TaN) oder [[Titannitrid]]<ref>{{Literatur | Autor = Mikhail Baklanov, Karen Maex, Martin Green | Titel = Dielectric Films for Advanced Microelectronics | Verlag = John Wiley & Sons | Jahr = 2007 | ISBN = 9780470065419|Seiten=211|Online = {{Google Buch|BuchID=7nKubQQpBaEC|Seite=211}}}} </ref> (TiN) als Hardmaske zum Einsatz.

Ein gängiges Verfahren zur Herstellung einer Maskierungsschicht ist die [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)|Fotolithografie]], mit der eine Maskierungsschicht aus Fotolack erzeugt wird, die als Ätz- oder Implantationsmaske verwendet werden kann. Um Diffusionsprozesse durchzuführen, dient die Lackmaske allerdings nur zur Strukturierung der eigentlichen Diffusionsmaske aus z. B. [[Siliciumdioxid]], da eine Lackmaske nicht für hohe Prozesstemperaturen geeignet ist. Hier kommen wiederum Hartmasken zum Einsatz.

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Lithografie (Halbleitertechnik)]]

Maskierungsschicht - Versionsgeschichte

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