<?xml version="1.0"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xml:lang="de">
	<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=Maskenprogrammierung</id>
	<title>Maskenprogrammierung - Versionsgeschichte</title>
	<link rel="self" type="application/atom+xml" href="https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=Maskenprogrammierung"/>
	<link rel="alternate" type="text/html" href="https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Maskenprogrammierung&amp;action=history"/>
	<updated>2026-05-21T22:31:37Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
	<generator>MediaWiki 1.43.8</generator>
	<entry>
		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Maskenprogrammierung&amp;diff=1925324&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;Siegbert v2: + GND</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Maskenprogrammierung&amp;diff=1925324&amp;oldid=prev"/>
		<updated>2026-02-27T10:26:50Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;+ GND&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;Die &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Maskenprogrammierung&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; bezeichnet das Erzeugen des vom Anwender gewünschten Dateninhalts eines [[Festwertspeicher]]s (ROM) mittels einer oder mehrerer Masken durch den [[Halbleiterhersteller]]. Je nach Aufbau der [[Halbleiterspeicher#Speicherzelle|Speicherzelle]] eines ROMs erfolgt die [[Programmierung]] entweder über die letzte Verdrahtungsmaske (Metallisierung), über Masken zum Einstellen der Dicke des [[Feldeffekttransistor|Gateoxids]] oder über [[Ionenimplantation]]. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Festlegen des Dateninhalts durch den Anwender ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Klassische Bauelemente waren in der Vergangenheit ROM-Speicherbauelemente, in denen beispielsweise kleinere [[Betriebssystem]]e oder Applikationsprogramme gespeichert wurden. Weiterhin können [[Mikroprozessor]]en oder [[anwendungsspezifische integrierte Schaltung]] (ASICs), die einen Festwertspeicher besitzen, ebenfalls in dieser Technologie realisiert werden. Grundsätzlich können auch [[Programmierbare logische Schaltung|programmierbare Logikbauelemente]] wie [[Field Programmable Gate Array]]s (FPGAs) oder [[Programmable Logic Device]] (PLDs) in dieser Technologie realisiert werden.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Der Anwender entwickelt den Dateninhalt für das [[Elektrisches  Bauelement|Bauelement]] zusammen mit dem Halbleiterhersteller und stellt dem Halbleiterhersteller den Dateninhalt (meist in elektronischer Form) zur Verfügung.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Der Halbleiterhersteller produziert in der [[Halbleiterfabrik]] einheitliche Grundbauelemente bis zum Programmierschritt. Erst im nachfolgenden Programmierschritt wird der individuelle Dateninhalt des Anwenders in das Bauelement programmiert. Anschließend durchlaufen die jetzt programmierten Bauelemente den weiteren einheitlichen [[Produktion]]sdurchlauf bis zur Fertigstellung.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Stückzahlen und Herstellungskosten  ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Die Herstellung von maskenprogrammierten Bauelementen ist nur bei einer sehr großen [[Stückzahl]] wirtschaftlich. Weiterhin ist zu berücksichtigen, dass auf einem [[Wafer]] viele tausende oder zehntausende einzelne Bauelemente enthalten sind. Für den Halbleiterhersteller ist meist nur die Produktion einer Vielzahl von einzelnen Wafern wirtschaftlich. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Dies ist nur kostengünstig möglich, wenn ein hoher Bedarf an ROMs mit gleichem Dateninhalt besteht. Der Halbleiterhersteller benötigt zur Produktion der Bauelemente individuelle Masken. Diese Masken werden entsprechend dem vom Anwender erstellten Dateninhalt hergestellt. Diese individuellen Masken sind meist sehr teuer und müssen vom Anwender bezahlt werden. Die Bezahlung der Masken erfolgt entweder direkt als Einmalzahlung oder die Kosten werden den produzierten Bauelementen aufgeschlagen.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Bei der Produktion von [[Baugruppe#Elektronische Baugruppe|Baugruppen]] kann der Anwender auf die Programmierung des Bauelements verzichten und spart somit die Ausgaben für den Programmierprozess. Unter Berücksichtigung der [[Herstellungskosten]] (Einmalkosten für Masken und Stückkosten pro Bauelement) beim Halbleiterhersteller und den Einsparungen bei der Baugruppenproduktion ergeben sich bei größeren Stückzahlen Kostenvorteile. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Realisierungsdauer und Änderungen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Wenn eine Änderung des Dateninhalts erforderlich ist, müssen beim Halbleiterhersteller neue Masken hergestellt werden. Weiterhin müssen erst neue Bauelemente mit dem geänderten Dateninhalt produziert werden. Die Durchlaufdauer durch die Halbleiterfabrik liegt im Bereich von wenigen [[Tag]]en bis zu wenigen [[Woche]]n. Erst danach sind die Bauelemente mit geändertem Dateninhalt für den [[Kunde]]n verfügbar.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Nachteile ==&lt;br /&gt;
Der Dateninhalt von maskenprogrammierten Bauelementen kann nachträglich nicht mehr geändert werden. Wenn diese Bauelemente einen [[Datenfehler]] enthalten, sind diese meist wertlos und können vom Anwender nicht mehr weiter verwendet werden. Weiterhin ist bei einer [[Fehlfunktion]] der Baugruppen ein Update des Dateninhalts nicht mehr möglich. In diesem Fall hilft nur der [[Tausch]] des Bauelements (entweder [[löten|auslöten]] oder Austausch von gesockelten Bauelementen). Hierbei besteht das [[Risiko]], dass bereits ausgelieferte Baugruppen an Kunden zur Nacharbeit zurückgerufen werden müssen.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Vorteil ==&lt;br /&gt;
Der oben genannte Nachteil, kann, je nach Anwendungsfall, auch einen Vorteil ergeben. Ist der Datenträger einmal beschrieben ist jegliche  Manipulation der Daten ausgeschlossen. Somit kann vollständige Datenintegrität, welche einen wichtigen Sicherheitsaspekt darstellt, sichergestellt werden.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Alternativen ==&lt;br /&gt;
Zu maskenprogrammierten Bauelementen können [[Flash-Speicher|Flash-EEPROM]], [[E2PROM|EEPROM]]s oder batteriegepufferte [[Random-Access Memory|RAM]]-Speicherbauelemente eine Alternative sein. Im Punkt Änderung des Dateninhalts sind alle 3 Bauelementarten immer eine Alternative, denn bei diesen Bauelementen kann der Dateninhalt nachträglich geändert werden.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Eine mit der Maskenprogrammierung verwandte [[Technologie]] sind einmalprogrammierbare Bauelemente [[One Time Programmable]]. Die Bauelemente können nur einmal programmiert werden. Im Gegensatz zur Maskenprogrammierung können diese Bauelemente jedoch beim [[Anwender]] programmiert werden.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Literatur ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*{{Literatur&lt;br /&gt;
|Autor = Klaus Beuth&lt;br /&gt;
|Titel = Digitaltechnik&lt;br /&gt;
|Verlag = Vogel| Auflage = 10. | Jahr = 1998| ISBN = 3-8023-1755-6 }}&lt;br /&gt;
*{{Literatur&lt;br /&gt;
|Autor = [[Ulrich Tietze]] &lt;br /&gt;
|Titel = Halbleiter-Schaltungstechnik&lt;br /&gt;
|Verlag = Springer | Auflage = 12. | Jahr = 2002 | ISBN = 3-540-42849-6 }}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
{{Normdaten |TYP=s |GND=4279630-1}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Speichertechnologie]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Siegbert v2</name></author>
	</entry>
</feed>