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[[Datei:Diode laser.jpg|mini|Laserdiode im 5,6-mm-Gehäuse, wie es unter anderem in [[CD-Laufwerk]]en verwendet wird (Größenvergleich: [[1-Cent-Münze (Vereinigte Staaten)|Münze]] mit 19 mm Durchmesser)]]Eine '''Laserdiode''' (auch '''Halbleiterlaser''') ist ein mit der [[Leuchtdiode]] (LED) verwandtes [[Halbleiter]]-Bauteil, das jedoch [[Laser]]strahlung erzeugt. Einen Laser, der eine oder mehrere Laserdioden als Lichtquelle verwendet, nennt man [[Diodenlaser]].

In Laserdioden wird ein [[P-n-Übergang|''p-n''-Übergang]] mit starker Dotierung bei hohen Stromdichten betrieben. Die Wahl des Halbleitermaterials bestimmt dabei die emittierte [[Wellenlänge]], womit ein Spektrum von [[Infrarotstrahlung|Infrarot]] bis [[Ultraviolettstrahlung|Ultraviolett]] abgedeckt wird.

== Geschichte ==
[[Datei:Lasers.JPG|mini|Halbleiterlaser mit Emissionswellenlängen von 405 nm (oben) bis 660 nm (unten)]]
Die Idee, eine Halbleiterdiode als [[Laser]] zu nutzen, wurde nach dem Erscheinen der ersten Laser 1960 und auch schon vorher<ref>Einen ersten Vorschlag legte [[John von Neumann]] 1953 nieder. Er wurde erst 1987 veröffentlicht: {{Literatur |Autor=J. Neumann |Titel=Notes on the photon-disequilibrium-amplification scheme (JvN), September 16, 1953 |Sammelwerk=IEEE Journal of Quantum Electronics |Band=23 |Nummer=6 |Datum=1987 |Seiten=659–673 |DOI=10.1109/JQE.1987.1073414}} vgl. {{Literatur |Autor=R. Dupuis |Titel=Preface |Sammelwerk=IEEE Journal of Quantum Electronics |Band=23 |Datum=1987 |Seiten=658 |DOI=10.1109/JQE.1987.1073438}}</ref> von verschiedenen Physikern verfolgt. Anfang der 1960er Jahre lieferten sich mehrere Labore einen Wettlauf um den Bau des ersten Halbleiterlasers: [[Robert Noel Hall]] von [[General Electric]] ([[Schenectady]]), [[Nick Holonyak]] von General Electric ([[Syracuse (New York)|Syracuse]]), [[Marshall Nathan]] von [[International Business Machines|IBM]] und [[Robert Rediker]] vom [[Lincoln Laboratory]] des [[Massachusetts Institute of Technology]] (wo die Entwicklung unter Leitung von [[Benjamin Lax]] stand).<ref>Russell Dupuis: ''The Diode Laser – the first 30 days 40 years ago.'' In: ''Optics and Photonics News.'' Band 15, 2004, S. 30 ({{Webarchiv |url=http://www.ieee.org/organizations/pubs/newsletters/leos/feb03/diode.html |text=The Diode Laser—the First Thirty Days Forty Years Ago |wayback=20100619030441}}).</ref><ref>Noriaki Horiuchi: ''[http://www.nature.com/milestones/milephotons/full/milephotons15.html Semiconductor Laser].'' In: ''Nature Milestones.'' Milestone 15, 1. Mai 2010.</ref> Sie basierten auf [[Galliumarsenid]] und hatten gemeinsam, dass sie noch wenig effizient waren, nur im Pulsbetrieb liefen und nur bei Kühlung mit flüssigem Stickstoff arbeiteten. Im September 1962 schaffte es das Team von Hall mit knappem Vorsprung, den ersten Halbleiterlaser zum Laufen zu bringen (im Infraroten bei 850 nm, Holonyak demonstrierte kurz darauf den ersten Halbleiterlaser im Bereich des sichtbaren Lichts). In Russland gelang dies 1963 einem Team unter [[Nikolai Basow]]. Praktikable Halbleiterlaser entstanden erst, nachdem [[Herbert Kroemer]] in den USA und [[Schores Iwanowitsch Alfjorow|Schores Alfjorow]] und [[Rudolf Kazarinov|Rudolf Kasarinow]] in der Sowjetunion ([[Joffe-Institut]]) 1963 die Verwendung dünner Schichten in ''Sandwich-Anordnung'' ([[Heteroübergang|Heterostrukturen]]) vorgeschlagen hatten (Alfjorow und Kroemer erhielten dafür 2000 den Nobelpreis in Physik). Auch hier kam es zu einem Wettlauf zwischen Russen und US-Amerikanern, 1970 brachten Teams bei den [[Bell Laboratories]] ([[Morton Panish]], [[Izuo Hayashi]]) und vom Joffe-Institut (Alfjorow) kontinuierliche Halbleiterlaser bei Zimmertemperatur zum Laufen, wobei das Joffe-Institut etwas früher ans Ziel kam. Den Durchbruch im blauen und ultravioletten Bereich erzielte 1998 [[Shuji Nakamura]],<ref>{{Literatur |Autor=Wilhelm G. Kaenders |Titel=Blaue Laserdioden-genutzte Chance fur eine junge deutsche Technologiefirma |Sammelwerk=Physik Journal |Band=2 |Nummer=6 |Datum=2003 |Seiten=71–79 |Online=https://www.pro-physik.de/restricted-files/117376 |Format=PDF |Abruf=2020-11-10}}</ref> der unter anderem dafür den Nobelpreis 2014 erhielt.

== Funktion und Aufbau ==
<gallery mode="packed" heights="200">
Datei:LD cut model 1 E.PNG | Schematische Darstellung der Funktion. Die Stromversorgung (links) injiziert Löcher in den ''p''-Halbleiter (oben) und Elektronen in den ''n''-Halbleiter (unten); bei Rekombination (Pfeile) entsteht die Laserstrahlung (stehende Welle) im Resonator. Die Emission tritt am teildurchlässigen Spiegel rechts aus
Datei:Simple laser diode.svg | Schichtaufbau einer einfachen Laserdiode. Oben der ''p''-Halbleiter (''p-type layer''), unten der ''n''-Halbleiter (''n-type layer'') auf einem ''n''-Substrat. Die Laseremission (rot) tritt an der Kante aus
Datei:Simple sch laser diode.svg | Moderner Laser mit ''Sandwich-Aufbau'' für getrennten elektrischen und optischen Einschluss. Die Elektronen und Löcher werden (vertikal) in einem Quantenfilm (''quantum well'', Material ''C'') eingeschlossen, das Licht im Wellenleiter aus Material ''A'' und ''B''
</gallery>

<big>'''Funktion'''</big>

Die Emission von Licht entsteht durch Rekombinationsprozesse von [[Elektron]]en und [[Defektelektron|Löchern]] am Übergang zwischen ''p''- und ''n''-[[Dotierung|dotiertem]] Bereich. Die Endflächen des Bauelements sind teilreflektierend und bilden somit einen optischen [[Resonator]], in dem sich eine [[Stehende Welle|stehende Lichtwelle]] ausbilden kann. Liegt eine [[Besetzungsinversion]] vor, kann die [[stimulierte Emission]] zum dominierenden Strahlungsprozess werden. Die Laserdiode emittiert dann Laserstrahlung.

Das Erzeugen der Besetzungsinversion geschieht in Laserdioden durch elektrisches Pumpen, ein elektrischer Gleichstrom in Durchlassrichtung der Diode sorgt für stetigen Nachschub von Elektronen und Löchern. Der Pumpstrom, bei dem der Laserbetrieb einsetzt, wird auch als [[Laserschwelle]] oder Schwellenstrom ''I''<sub>th</sub> (Index ''th'' von engl. {{lang|en|''threshold''}}) bezeichnet.

<big>'''Aufbau'''</big>

Die meisten Laserdioden sind Kantenemitter (englisch {{lang|en|''edge emitter''}}), d. h., das Licht verlässt den [[Kristall]] an dessen Bruchkante nahe an der Oberfläche quer zum Strom (siehe schematische Darstellung oben). Die ersten, einfachen Laserdioden aus einem ''p''-''n''-Übergang waren sehr ineffizient (siehe Abschnitt Geschichte). Heute genutzte Laser haben einen Aufbau mit dünnen Schichten ([[Heteroübergang|Heterostrukturen]]) für einen getrennten elektrischen und optischen Einschluss (engl. ''separate confinement'').<ref>S.M. Sze, Kwok K. Ng: ''Physics of Semiconductor Devices'', 3rd Edn., Wiley & Sons, Hoboken, New Jersey, 2007, ISBN 978-0-47 1-1 4323-9</ref> Elektronen und Löcher werden in einem [[Quantenfilm]] oder einer Schicht(-folge) mit [[Quantenpunkt]]en eingeschlossen. Quanteneffekte bewirken dabei eine sehr effektive Erhöhung der strahlenden Rekombination (siehe [[Quantenpunktlaser#Effekt der Dimensionsreduktion|Effekt der Dimensionsreduktion]]). Die entstehende optische Welle wird ''vertikal'' in einem Wellenleiter aus einem Halbleiter mit großem Brechungsindex (Material ''B'' im Bild oben rechts), umgeben von Material ''A'' mit kleinerem Brechungsindex, geführt. Die laterale Lichtführung wird durch Strominjektion über einen Streifenkontakt (Gewinnführung) oder Strukturierung (Indexführung, durch Stegätzen oder seitliche Durchmischung von Material ''A'' und ''B'') erreicht.

Die Verlustleistung, je nach Wellenlänge 30 % bis 80 %, erwärmt den Kristall und muss durch eine geeignete Kühlung abgeführt werden. Bei mittleren Leistungen (500 mW) werden Kühlkörper eingesetzt, bei höheren mittleren Leistungen kommen [[Heatpipe]]s und Flüssigkeitskühlungen zum Einsatz.

Die Überhitzungsgefahr stellt einen begrenzenden Faktor für die erreichbare Strahlungsleistung pro Einzelemitter dar. Um eine höhere Leistung zu erreichen, werden in einem streifenförmigen Chip mehrere nebeneinander liegende Dioden elektrisch parallel betrieben. Durch Zusammenfassung der einzelnen Strahlen lässt sich eine höhere Gesamtleistung erzielen. Eine solche Anordnung von mehreren nebeneinander auf einem Chip befindlichen Dioden wird als Barren (englisch {{lang|en|''bar''}}) bezeichnet. Die 10 bis 25 Einzelemitter eines Barrens verhalten sich aufgrund des gemeinsamen Fertigungsprozesses elektrisch gleich und können daher parallel wie eine größere Diode betrieben werden. Man erreicht damit bei Strömen bis 80 A optische Leistungen bis 100 Watt im nahen [[Infrarot]]. Aus mehreren solcher Barren zusammengesetzte Stapel und daraus gefertigte [[Diodenlaser]] erreichen Leistungen im Kilowatt-Bereich.

[[Oberflächenemitter]] (englisch {{lang|en|''VCSEL''}}) haben geringere Leistungen, jedoch eine bessere Strahlqualität. Da ihr Licht gut in Glasfasern einzukoppeln ist, finden sie insbesondere Verwendung in der optischen Datenübertragung.

== Stand der Technik ==
Der Wirkungsgrad einer Laserdiode wird als Verhältnis der Strahlungsleistung zur aufgenommenen Leistung definiert. Die Angabe der [[Lichtausbeute]] ist nur bei Dioden, die im sichtbaren Bereich strahlen, sinnvoll. Der erreichbare Wirkungsgrad lag im Jahr 2011 zwischen 10 % (grün, 530–540 nm), 20 % (blau, 440 nm) und 70 % (rot und infrarot, ab 650 nm). 2012 erreichten blaue Laserdioden 27 % bei einer Leistungsaufnahme von 1,4 W in einem TO-56-Gehäuse (5,6 mm) mit einer Lebensdauer von 10.000 Stunden.<ref>[http://www.osram-os.cn/osram_os/EN/Press/Press_Releases/IRLaser/2012/_documents/PI_OSRAM_Blaue_Laserdiode_dt.pdf Osram: blaue Laserdioden] (2012)</ref> Die Herstellung geeigneter [[Indiumgalliumnitrid|InGaN]]-Halbleitermaterialien für grüne Laser, die eine hohe Stromdichte vertragen, ist noch immer problematisch. Für Beleuchtungszwecke ist es deshalb preiswerter, mit kurzwelligem blauem Licht geeignete [[Leuchtstoff]]e im langwelligeren Bereich anzuregen.

== Elektrisches Verhalten und Ansteuerung ==
[[Datei:Laser diode typ L.svg|mini|Interne Beschaltung einer mit Photodiode kombinierten Laserdiode]]
[[Datei:Laser diode with the case and window removed-powered off.jpg|mini|Aufgeschnittenes Gehäuse einer Laserdiode. Der eigentliche Laserchip ist der kleine schwarze Block im Vordergrund (Kantenemitter). Die Photodiode, zur Messung der Ausgangsleistung, ist der größere schwarze Block am Gehäuseboden]]
Laserdioden verhalten sich elektrisch grundsätzlich wie [[Leuchtdiode]]n, müssen also stromgeprägt betrieben werden. Ein Betrieb an konstanter Spannung ist nicht möglich. Die U/I-Kennlinie hat einen exponentiellen Verlauf wie diejenige einer [[Diode|Halbleiterdiode]]. Ab einem charakteristischen Strom in Flussrichtung, dem ''Schwellstrom'' beginnt der Laserbetrieb. Unterhalb dieses Stromes emittiert die Laserdiode nicht kohärente Strahlung ähnlich einer Leuchtdiode. Ab dem Schwellstrom ist die optische Ausgangsleistung der Laserdiode streng proportional zum Strom. Den Proportionalitätsfaktor nennt man ''{{lang|en|slope efficiency}}''; er wird in Watt pro Ampere angegeben.

Laserdioden werden häufig mit einer [[Photodiode]] zusammen in einem gemeinsamen Gehäuse untergebracht.<ref>{{Internetquelle |url=http://www.sony.net/Products/SC-HP/datasheet/90216/index.html |titel=Datenblätter verschiedener Laserdioden von Sony |werk=sony.net |hrsg= [[Sony]] |sprache=en |offline=1 |archiv-url=https://web.archive.org/web/20120720081447/http://www.sony.net/Products/SC-HP/datasheet/90216/index.html |archiv-datum=2012-07-20 |abruf=1970-01-01 |abruf-verborgen=1}}</ref> Dabei ist die Photodiode, in diesem Fall auch als ''Monitordiode'' bezeichnet, optisch mit der Laserdiode gekoppelt. Sie dient als [[Sensor]] in einem [[Regelkreis]] dazu, die optische Leistung der Laserdiode durch eine externe elektronische Schaltung konstant zu halten.

Durch die zusätzliche Photodiode weisen die Gehäuse von Laserdioden, wie sie in CD-Spielern und [[Laserpointer]]n verwendet werden, drei Anschlüsse auf, wie in nebenstehender Abbildung an einer beispielhaften elektrischen Konfiguration der beiden Dioden skizziert.

Laserdioden vertragen nur geringe [[Sperrspannung]]en im Bereich von 3–5 V. Weiterhin sind sie empfindlich gegenüber [[Elektrostatische Entladung|elektrostatischen Entladungen]] und werden zum Transport üblicherweise kurzgeschlossen. Bei Handhabung und Einbau müssen Schutzmaßnahmen getroffen werden, die elektrische Spannungen zwischen den Anschlüssen verhindern.

== Typische Parameter und Besonderheiten ==
Ein Einzelemitter ist ca. 100 µm hoch, 500–2000 µm lang und 500–1000 µm breit, wobei die aktive Zone weniger als 1 µm hoch ist.

Die emittierte Lichtleistung beträgt je nach Diodentyp einige hundert Mikrowatt bis über 10 Watt pro Einzelemitter. Der hierzu erforderliche Strom beträgt ca. 0,1–12 A pro Emitter, die Spannung beträgt bei Infrarot-Laserdioden 1,8–2,2 V. Im gepulsten Betrieb (sog. [[q-cw-Betrieb]]) lassen sich noch größere Leistungen erreichen. Die Modulationsfrequenzen können dabei bis zu 10 GHz betragen.

Laserdioden können sowohl im Multi-Mode-Betrieb (Laserlicht mehrerer verschiedener [[Moden|Schwingungsmoden]] gleichzeitig) als auch im Single-Mode-Betrieb (nur eine Schwingungsmode) arbeiten. Wenn für eine Anwendung Single-Mode-Betrieb notwendig ist, kann dies durch eine Strukturierung des Halbleitermaterials geschehen wie bei [[Distributed Feedback Laser|DFB-]] (englisch {{lang|en|''distributed feedback laser''}}) oder [[Distributed Feedback Laser|DBR-Laser]] (englisch {{lang|en|''distributed Bragg reflector laser''}}), oder durch einen zusätzlichen externen Resonator (englisch {{lang|en|''external cavity diode laser''}}, ECDL) erreicht werden:
Wie bei anderen Lasern kann sich auch bei Laserdioden der optische Resonator über die Länge des aktiven Halbleiters hinaus erstrecken, die Länge kann jedoch aufgrund der Divergenz nur gering sein, erschwerend ist auch der hohe [[Brechungsindex]] des Halbleitermaterials, welche an dessen Austrittsfläche bereits zu einer hohen Reflexion führt.

Die Frequenz des von der Laserdiode emittierten Lichts ist außer vom Material abhängig von der Temperatur, dem Pumpstrom sowie ggf. der optischen [[Rückkopplung]] durch einen externen Resonator. Durch Stabilisierung dieser Parameter kann eine Bandbreite des emittierten Lichts von weniger als einem Megahertz erreicht werden.

Durch das Pumpen tritt auch eine periodische Änderung des Brechungsindex im Halbleitermaterial auf, da diese stark von der Ladungsträgerdichte abhängig ist. Die Änderung des Brechungsindex entspricht einer Variation der optischen Länge des Resonators bei gleich bleibender geometrischer Länge des Resonators. Somit verändert sich die Wellenlänge, d. h., der Laser verändert seine Emissionswellenlänge.

Eine Erwärmung des Lasers führt zu Wellenlängenänderungen. Die Verschiebung beträgt etwa +0,25-0,3 nm/K, das Maximum der Strahlung verschiebt sich bei Erwärmung durch Verringerung des Bandabstandes hin zu längeren Wellenlängen.

Die Bruchfläche (''Facette'') ist äußerst empfindlich gegenüber Verschmutzung, da im Bereich des Strahlungsaustritts aus der schmalen aktiven Zone sehr hohe Strahlungsflussdichten bestehen. Zu große Stromimpulse können dort sogar bereits ohne Verschmutzung zu optisch induzierten, thermischen Zerstörungen der Facette führen. Diese Art der Zerstörung wird als COD (englisch {{lang|en|''catastrophic optical damage''}}, dt. „katastrophaler optischer Schaden“) bezeichnet.

== Anwendungen ==
Laserdioden gibt es mittlerweile für eine Vielzahl von Wellenlängen zwischen blau-violett (405 nm) und mittlerem IR (14.000 nm<ref>{{Internetquelle |url=http://www.nanoplus.com/index.php?option=com_content&view=article&id=27&Itemid=94 |titel=Fabry Perot Lasers: 6000 nm – 14000 nm |werk=nanoplus.com |sprache=en |abruf=2016-06-09}}</ref>). Schwächen gibt es im grünen bis gelben Bereich zwischen 510 nm und 635 nm. Dort sind nur geringe Ausgangsleistungen möglich.

[[Datei:Red diode laser on skin.JPG|mini|Rote Laserdiode in Betrieb]]
Die handelsüblichen Wellenlängen von Halbleiterlasern und deren Anwendungen sind:

* 375 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10">Haiyin Sun: ''Laser Diode Beam Basics, Manipulations and Characterizations.'' Springer Science & Business Media, 2012, ISBN 978-94-007-4664-0, S. 10 ({{Google Buch |BuchID=VgSG7MskgXYC |Seite=10}}).</ref>
* 405 nm – basierend auf dem Halbleitermaterial [[Indiumgalliumnitrid]]; blau-violette Laser, Anwendung in [[Blu-ray Disc|Blu-ray-Disc]]- und in [[HD DVD|HD-DVD]]-Laufwerken<ref name="books-hSRrAAAAQBAJ-PT173">Anil K. Maini: ''Lasers and Optoelectronics.'' John Wiley & Sons, 2013, ISBN 978-1-118-68896-0 ({{Google Buch |BuchID=hSRrAAAAQBAJ}}).</ref>
* 445 nm – Verwendung als Leuchtmittel in Videoprojektoren.<ref name="books-hSRrAAAAQBAJ-PT173" />
* 473 nm<ref name="books-hSRrAAAAQBAJ-PT173" />
* 485 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" />
* 510 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" />
* 532 nm – basierend auf dem Halbleitermaterial Indiumgalliumnitrid<ref name="books-hSRrAAAAQBAJ-PT173" />
* 635 nm – qualitativ gute rote [[Laserpointer]], Anwendung auch zur optischen Vermessung bei [[LIDAR]]<ref name="books-hSRrAAAAQBAJ-PT173" />
* 640 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" />
* 657 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – [[DVD]]-Laufwerke, Laserpointer<ref name="books-hSRrAAAAQBAJ-PT173" />
* 670 nm – minderwertige und kostengünstige rote Laserpointer, Einsatz auch bei [[Barcodelesegerät]]en
* 760 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Sauerstoff]]
* 785 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – [[Compact Disc|Compact-Disc]]-Laufwerke, [[Laserdrucker]], [[Lichtschranke]]n
* 808 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – [[Optisches Pumpen|Pumplaser]] ([[DPSS]]) bei [[Nd:YAG-Laser]]. Anwendungen sind Pumplaser bei grünen Laserpointern oder bei [[Diodenlaser]]n und deren Arrays.<ref name="books-hSRrAAAAQBAJ-PT173" />
* 848 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Anwendungen in der Peripherie (z. B. Computer-Mäuse mit Laser-Sensor)
* 980 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Pumplaser (DPSS) bei Nd:YAG-Laser<ref name="books-hSRrAAAAQBAJ-PT173" />
* 1064 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Anwendungen bei [[Glasfasernetz]]en zur Datenübertragung.<ref name="books-hSRrAAAAQBAJ-PT173" />
* 1310 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Anwendungen bei Glasfasernetzen zur Datenübertragung
* 1480 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Pumplaser (DPSS) bei Nd:YAG-Laser
* 1512 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Ammoniak]]
* 1550 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Anwendungen bei Glasfasernetzen zur Datenübertragung
* 1625 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Anwendungen bei Glasfasernetzen zur Datenübertragung, im Rahmen von [[Multiplexverfahren#Optisches Wellenlängenmultiplexverfahren|Wavelength Division Multiplex]] (WDM) üblicherweise für den Dienstkanal zur Netzwerksteuerung benutzt<ref>{{Webarchiv |url=http://www.timbercon.com/Laser-Diode-Wavelengths.html |text=Laser Diode Wavelengths |wayback=20120621045734 }} (engl.)</ref>
* 1654 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Methan]]
* 1800 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Wasserdampf]]
* 1877 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Wasserdampf]]
* 2004 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Kohlendioxid]]
* 2330 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Kohlenmonoxid]]
* 2680 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Kohlendioxid]]
* 3030 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Ethin]]
* 3330 nm<ref name="books-VgSG7MskgXYC-10" /> – Gasspektroskopie: [[Methan]]

Weitere allgemeine Anwendungsgebiete sind:
* im wissenschaftlichen Bereich, insbesondere in der [[Spektroskopie]] ([[TDLAS]]), chemischen [[Analytik]], [[Spurenanalyse]] und [[Quantenoptik]]
* zur Belichtung in der [[Drucktechnik]], als Sensorelement bei [[Maus (Computer)|Computermäusen]] (ca. 832–865 nm).

== Siehe auch ==
* [[Diodenlaser]]

== Weblinks ==
{{Commonscat|Diode lasers}}
{{Wiktionary}}
* [http://www.repairfaq.org/sam/laserdio.htm Sam's Laser Diode FAQ] (engl.)
* [http://www.hanel-photonics.com/laser_diode_market_fabry_perot.html Übersicht der kommerziell verfügbaren Wellenlängen von Laserdioden]
* [http://www.ilxlightwave.com/navpgs/app-tech-notes-white-papers.html Application notes, technical notes, and white papers] (engl.)

== Einzelnachweise ==
<references />

{{Normdaten|TYP=s|GND=4195920-6|LCCN=sh85066430}}

[[Kategorie:Leuchtdiode]]
[[Kategorie:Laserstrahlquelle]]
[[Kategorie:Festkörperphysik]]
[[Kategorie:Optoelektronik]]
[[Kategorie:Wikipedia:Artikel mit Video]]

Laserdiode - Versionsgeschichte

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