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2023-12-11T18:23:25Z

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[[Datei:Lambda diode.svg|mini|hochkant|Schaltung einer Lambda-Diode mit zwei JFETs.]]
[[Datei:Lambda-diode-kennlinie.svg|mini|hochkant|I-U-Kennlinie]]

Eine '''Lambda-Diode''' ist eine elementare [[elektrische Schaltung]] mit zwei Anschlüssen, welche aus zwei [[Sperrschicht-Feldeffekttransistor]]en (JFETs) besteht und ähnlich wie eine [[Tunneldiode]] in ihrer [[Kennlinie]] einen [[Differentieller Widerstand|differentiellen negativen Widerstand]] aufweist. In nebenstehenden Kennlinie, die den Strom ''I''<sub>D</sub> durch die Lambda-Diode als Funktion der anliegenden Spannung ''U''<sub>D</sub> darstellt, ist dies im rot markierten Kennlinienabschnitt der Fall. Die Bezeichnung leitet sich von der Form der I-U-Kennlinie ab, welche grob dem griechischen Buchstaben λ ''([[Lambda]])'' ähnelt.<ref>G. Kano: ''The Lambda diode: versatile negative-resistance device'', in ''Electronics'', Nr. 48 (13), 1975, Seite 105 bis 109</ref>

== Anwendungsbereiche ==
Im Gegensatz zu Tunneldioden, deren differentieller negativer Widerstand im Bereich von 70 mV bis 350 mV liegt, weisen Lambda-Dioden einen differentiellen negativen Widerstand über den Bereich von 1,5 V bis 6 V auf. Einsatzbereiche liegen, wie bei Tunneldioden, primär im Bereich von [[Oszillator]]en, wo der differentielle negative Widerstand zur Schwingungserzeugung genutzt wird. Durch den größeren Aussteuerungsbereich bieten sie schaltungstechnische Vorteile gegenüber Tunneldioden. Da es sich aber um keinen quantenmechanischen Tunneleffekt handelt, sind sie nicht so schnell und nicht bis zu so hohen Frequenzen einsetzbar wie Tunneldioden.

Weitere Anwendungsbereiche sind stromsparende [[Digitaltechnik|Digitalschaltung]]en, basierend auf Kombinationen von modifizierten Lambda-Dioden. Damit können, ähnlich wie bei [[CMOS]]-Technik mit [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor]]en (MOSFETs) mit JFETs [[Logikgatter]] wie [[Und-Gatter]], [[Oder-Gatter]] und [[Nicht-Gatter]] realisiert werden.<ref>[https://www.ee.bgu.ac.il/~kushnero/ternary/With%20Lambda%20Transistors/Digital%20devices%20based%20on%20lambda%20diodes.pdf Digital devices based on complementary junction field effect transistors] (PDF; 807 kB)</ref> Da sich allerdings MOSFETs in [[integrierte Schaltung|integrierten Schaltungen]] mit geringerem Platzbedarf integrieren lassen, weisen JFETs in diesem Anwendungsbereich nur eine geringe praktische Bedeutung auf. Weiterhin können auch [[bistabile Kippstufe]]n für Speicherzellen mittels Lambda-Dioden realisiert werden.<ref>US-Patent Nr. 4376986: ''Double Lambda diode memory cell''</ref>

Neben der Version mit je einem N-Kanal und einem P-Kanal-JFET, wie in nebenstehender Abbildung dargestellt, können Lambda-Dioden auch als eine Kombination von einem N-Kanal-JFET mit einem [[Bipolartransistor|PNP-Bipolartransistor]] und zwei [[Widerstand (Bauelement)|Widerständen]] realisiert werden.<ref>{{Webarchiv|url=http://www.zen22142.zen.co.uk/Theory/neg_resistance/Oscillations%20and%20Regenerative%20Amplification%20using%20Negative%20Resistance%20Devices.pdf |wayback=20180128032426 |text=Oscillations and Regenerative Amplification using Negative Resistance |archiv-bot=2022-11-29 21:35:37 InternetArchiveBot }} (PDF; 362 kB)</ref>

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Elektronische Schaltung]]
[[Kategorie:Elektrischer Oszillator]]

Lambda-Diode - Versionsgeschichte

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