https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=Isolierschicht-FeldeffekttransistorIsolierschicht-Feldeffekttransistor - Versionsgeschichte2026-06-09T09:36:36ZVersionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale KopieMediaWiki 1.43.8https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Isolierschicht-Feldeffekttransistor&diff=622757&oldid=previmported>Tericht: /* growthexperiments-addlink-summary-summary:1|0|1 */2025-05-27T18:18:28Z<p><span class="autocomment">growthexperiments-addlink-summary-summary:1|0|1</span></p>
<p><b>Neue Seite</b></p><div>[[Datei:Scheme of metal oxide semiconductor field-effect transistor.svg|mini|Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-[[MOSFET]], mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb)]]<br />
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'''Isolierschicht-Feldeffekttransistor''', auch „[[Feldeffekttransistor]] mit isoliertem Gate“ ({{enS|insulated-gate field-effect transistor}}, ''IGFET'') ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren. Im Unterschied zur anderen Gruppe, den Feldeffekttransistoren mit nicht isolierter Steuerelektrode ({{lang|en|''non-insulated-gate field-effect transistor''}}, [[NIGFET]]) wird beim IGFET der [[Elektrischer Strom|Stromfluss]] durch Ladungsträger[[influenz]] (elektrostatische Induktion) über ein vom leitfähigen Kanal elektrisch [[Isolierstoff|isoliertes]] Gate gesteuert.<br />
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IGFETs werden alternativ auch nach der typischen Schichtstruktur ([[Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur|Metall-Isolator-Halbleiter]], engl. {{lang|en|''metal insulator semiconductor''}}, MIS) als '''MISFETs''' bezeichnet. Häufig wird die Abkürzung des populärsten Vertreters dieser Obergruppe, dem [[Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor|MOSFET]] (Metall-Oxid-Halbleiter-FET), als Synonym für IGFET bzw. MISFET benutzt. Dies ist in der Entwicklungsgeschichte der [[Mikroelektronik]] begründet, bei der Siliziumdioxid auch heute (2013) noch das meistverwendete Material für das Gate-Oxid ist. Die Verwendung eines Oxids für die Isolationsschicht (sei es [[Siliziumdioxid]] oder neuere [[High-k-Dielektrikum|High-k-Materialien]] wie [[Hafniumdioxid]]) ist jedoch nur eine Möglichkeit. Alternative Materialien sind [[Siliziumnitrid]], Polymere (bei neueren auf organischen Halbleitern basierenden Schaltkreisen) oder Kombinationen aus verschiedenen Materialien (beispielsweise Nitrid und Oxid, wie beim Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-FET, MNOSFET).<br />
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Man unterscheidet im Wesentlichen folgende Feldeffekttransistorarten (mit isoliertem Gate, IGFETs):<br />
* [[Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor]] (MISFET)<br />
** [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor]] (MOSFET)<br />
** [[Organischer Feldeffekttransistor]] (OFET)<br />
* [[chemisch sensitiver Feldeffekttransistor]] (engl. {{lang|en|''chemical field-effect transistor''}}, ChemFET)<br />
** [[Ionensensitiver Feldeffekttransistor]] (ISFET)<br />
** [[Enzym-Feldeffekttransistor]] (ENFET)<br />
** {{lang|en|[[electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor]]}} (EOSFET)<br />
* [[Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor]] (CNTFET)<br />
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→ ''Hauptartikel zur Funktionsweise:'' [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor]]<br />
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== Literatur ==<br />
* {{Literatur | Autor=Heinz Beneking | Titel=Feldeffekttransistoren | Verlag=Springer-Verlag GmbH | Jahr=1982 | ISBN=978-3-5400-6377-3 }}<br />
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== Weblinks ==<br />
{{Commonscat|IGFET}}<br />
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{{Normdaten|TYP=s|GND=4338625-8}}<br />
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[[Kategorie:Transistor]]</div>imported>Tericht