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2017-09-28T11:23:21Z

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Die '''Integrationsdichte''' (früher auch '''Packungsdichte''') bezeichnet die Anzahl von [[Transistor]]en pro Flächeneinheit auf [[Integrierter Schaltkreis|integrierten Schaltkreisen]].

Aufgrund der stetigen [[Skalierung (Mikroelektronik)|Skalierung]] der [[Halbleiterbauelement]]e (vorrangig Transistoren) [[Mikroelektronik|mikroelektronischer]] Schaltungen wird der Begriff meist nur im Zusammenhang mit den jeweils aktuell [[Integration (Technik)|höchstintegrierten]] [[Prozessor]]en genannt. Dabei werden jedoch weniger konkrete Zahlen genannt als auf allgemeine Tendenzen hingewiesen. So folgt beispielsweise aus dem [[Mooresches Gesetz|mooreschen Gesetz]], dass sich die Integrationsdichte von [[CPU]]s alle 12 Monate (ab 1975 alle 24 Monate) verdoppelt.

Bei gleicher Chipfläche ermöglichen Schaltungen mit höherer Integrationsdichte einen höheren [[Integrationsgrad]] (Komplexität einer elektrischen Schaltung). Da die Chipflächen von [[Technologieknoten]] zu Technologieknoten für vergleichbare Produkte in der Regel ähnlich bleiben, werden die Begriffe in der Literatur häufig gleichbedeutend genutzt.

In Anlehnung an die ICs wird der Begriff der Integrationsdichte auch auf die Integration von Bauelementen bei [[Leiterplatte]]n übertragen

[[Kategorie:Mikroelektronik]]
[[Kategorie:Halbleitertechnik]]

Integrationsdichte - Versionsgeschichte

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