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{{Infobox Chemikalie
| Strukturformel = [[Datei:Kristallstruktur Indiumoxid.png|200px|Kristallstruktur von Indium(III)-oxid]]
| Kristallstruktur = Ja
| Strukturhinweis = {{Farbe |#C0C0C0 |Kreis=1}} [[Indium|In]]3+/[[Zinn|Sn]]4+ {{0}} {{Farbe |#EE0000 |Kreis=1}} [[Sauerstoff|O]]2−
| Andere Namen = ITO
| Summenformel = (In2O3)0.9 · (SnO2)0.1
| CAS = {{CASRN|50926-11-9}}
| EG-Nummer = 610-589-1
| ECHA-ID = 100.106.463
| PubChem =
| Beschreibung = weißer bis gelblicher Feststoff<ref name="alfa" />
| Molare Masse = 264,94 g·mol−1
| Aggregat = fest
| Dichte = 7,12 g·cm−3 (25 °C)<ref>Gunar Kaune: {{Webarchiv |url=http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/2006/0003/data/da_kaune.pdf |text=''Röntgenografische Charakterisierung von Indium-Zinn-Oxid-Dünnschichten''. |wayback=20060214082120 |archiv-bot= }} (PDF; 4,4 MB) Diplomarbeit, [[Technische Universität Chemnitz|Technischen Universität Chemnitz]], 26. September 2005.</ref>
| Schmelzpunkt =
| Siedepunkt =
| Dampfdruck =
| Löslichkeit = nahezu unlöslich in Wasser<ref name="alfa">{{Alfa|36348|Abruf=2010-02-09}}</ref>
| Quelle GHS-Kz = <ref name="Sigma">{{Sigma-Aldrich|ALDRICH|494682|Name=Indium tin oxide|Abruf=2011-04-05}}</ref>
| GHS-Piktogramme = {{GHS-Piktogramme|07}}
| GHS-Signalwort = Achtung
| H = {{H-Sätze|315|319|335}}
| EUH = {{EUH-Sätze|-}}
| P = {{P-Sätze|261|305+351+338}}
| Quelle P = <ref name="Sigma" />
| MAK =
}}
[[Datei:ITO grains on glass.tif|mini|[[Rasterelektronenmikroskop|REM]]-Aufnahme einer Beschichtung von Indiumzinnoxid auf einer Glasplatte]]
'''Indiumzinnoxid''' (englisch ''indium tin oxide'', '''ITO''') ist ein [[Halbleiter|halbleitender]], im sichtbaren Licht weitgehend transparenter [[Stoff (Chemie)|Stoff]]. Es ist ein [[Mischoxid]], üblicherweise aus 90 % [[Indium(III)-oxid]] (In2O3) und 10 % [[Zinn(IV)-oxid]] (SnO2).

== Eigenschaften ==
Zinn(IV)-oxid erzeugt als [[Dotierung|Dotiermittel]] die für eine gute elektrische Leitfähigkeit notwendigen Störstellen im Kristallgefüge des Indiumoxids. Typisch ist das Abscheiden auf Glas bei Substrattemperaturen von ca. 400 °C. Die Kristallstruktur des Indium(III)-oxids wird beim Dotieren mit Zinn (In2O3:Sn) beibehalten.<ref>V. Senthilkumar, P. Vickraman, M. Jayachandran, C. Sanjeeviraja: ''Structural and optical properties of indium tin oxide (ITO) thin films with different compositions prepared by electron beam evaporation.'' In: ''Vacuum'', 84, 2010, S. 864–869, [[doi:10.1016/j.vacuum.2009.11.017]].</ref>

Dünne Schichten von 100 nm haben einen [[Flächenwiderstand]] von typisch 15 Ω, hergestellt werden Schichtdicken von z. B. 15…300 nm<ref name="PGO">{{Internetquelle |url=https://www.pgo-online.com/de/ito.html |titel=ITO-Beschichtungen auf Glas {{!}} Leitfähig und transparent |abruf=2023-03-31}}</ref>. Ein mit 100 nm ITO beschichtetes [[Floatglas]] (1,1 mm) hat im sichtbaren Wellenlängenbereich (400…700 nm) eine [[Transmissionsgrad|Transmission]] von ca. 84…89 %<ref>[https://www.pgo-online.com/de/katalog/kurven/pdfkurven/D/CEC020S40070011.pdf Spektraler Transmissiongrad] (PDF)</ref>.

== Anwendung ==
Der Stoff wird für die Herstellung transparenter Elektroden in [[Flüssigkristallbildschirm]]en, [[Organische Leuchtdiode|organischen Leuchtdioden]], [[Touchscreen]]s, Dünnschicht-[[Solarzelle]]n, [[Fotodiode]]n sowie [[Intelligentes Glas#Elektrochromes Glas|elektrochromen Anwendungen]] eingesetzt.

Mit ITO werden auch unsichtbare bzw. transparente [[Leiterbahn]]en auf Glas hergestellt, etwa für beheizbare Fenster und Objektträger, unsichtbare Antennen oder Leiterbahnen auf [[CCD-Sensor]]en.

Verschiedenste Oberflächen, beispielsweise Kunststofffolien, können mit ITO beschichtet werden, damit sie sich nicht [[Elektrostatik|elektrostatisch]] aufladen und dennoch transparent bleiben.

ITO-beschichtete Scheiben können Funkwellen abschirmen.<ref name="PGO" />

Da ITO [[Infrarotstrahlung]] stark reflektiert, wird es vereinzelt als Wärmeschutz auf Fensterglasscheiben aufgebracht.

== Beschichtungsverfahren ==
ITO wird üblicherweise unter [[Hochvakuum]] auf Substrate aufgebracht. Als Substrate kommen Gläser und Kunststofffolien zum Einsatz. [[Sputtern|Kathodenzerstäubung]] ist dabei das meist verwendete Verfahren, es kann aber auch durch [[thermisches Verdampfen]] aufgetragen werden, wobei bedampfte Bauteile auf bis zu 360 °C erwärmt werden müssen, was vor allem bei Kunststoffen die Anwendbarkeit einschränkt. Möglich ist auch das Aufdampfen bei Raumtemperatur und anschließende Auslagerung in [[Sauerstoff]] bei 360 °C und Atmosphärendruck. Die Schichten sehen nach dem Aufdampfen metallisch aus und sind undurchsichtig. Erst die Oxidation gibt ihnen die gewünschten Eigenschaften der Transparenz und Leitfähigkeit.

Eine weitere Möglichkeit ist das [[Sol-Gel-Prozess|Sol-Gel-Verfahren]], das auf dünnen, aber großflächigen Schichten eingesetzt werden kann. Dabei können die Substrate getaucht, besprüht, bedruckt oder durch Aufschleudern beschichtet werden. Nachteilig ist hier die für viele Anwendungen ([[Flüssigkristallbildschirm|LCD]] und [[OLED]]) zu geringe Schichthomogenität.

== Alternative Materialien in der Halbleiterindustrie ==
Durch den hohen Preis von [[Indium]], der sich in den letzten Jahren vervielfacht hat, ist ITO relativ teuer. Die nur begrenzt verfügbaren Mengen an Indium beschränken mittelfristig beispielsweise die Massenanwendung in Dünnschichtsolarzellen. Es wird daher intensiv an alternativen transparenten, leitfähigen Beschichtungen gearbeitet. Aussichtsreiche Kandidaten sind u. a.:
* SnO2:F, mit [[Fluor]] dotiertes Zinn(IV)-oxid (engl. {{lang|en|''Fluorine Tin Oxide''}}, FTO)
* ZnO:Al, mit [[Aluminium]] dotiertes [[Zinkoxid]] (engl. {{lang|en|''Aluminum Zinc Oxide''}}, AZO)
* SnO2:Sb, mit [[Antimon]] dotiertes Zinn(IV)-oxid (engl. {{lang|en|''Antimony Tin Oxide''}}, ATO)
* [[Graphen]]<ref>{{Internetquelle |werk=Die Zeit |url=https://www.zeit.de/zeit-wissen/2011/05/Forschungsprojekt-Graphen |titel=Biegsame Computer |datum=2011-09-06 |abruf=2011-09-07}}</ref>

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Verbindungshalbleiter]]
[[Kategorie:Indiumverbindung]]
[[Kategorie:Zinnverbindung]]
[[Kategorie:Sauerstoffverbindung]]

Indiumzinnoxid - Versionsgeschichte

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