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2026-03-12T21:02:00Z

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{{Infobox Chemikalie
| Strukturformel = [[Datei:Sphalerite polyhedra..png|250px|Struktur von Indiumphosphid]]
| Kristallstruktur = Ja
| Strukturhinweis = {{Farbe|#CCCCCC|Kreis=1}} [[Indium|In]]3+ {{0}} {{Farbe|#EEEE00|Kreis=1}} [[Phosphor|P]]3−
| Andere Namen = Indium(III)-phosphid
| Summenformel = InP
| CAS = {{CASRN|22398-80-7}}
| EG-Nummer = 244-959-5
| ECHA-ID = 100.040.856
| PubChem = 31170
| ChemSpider =
| Beschreibung = dunkelgrauer Feststoff<ref name="GESTIS"/>
| Molare Masse = 145,79 g·mol−1
| Aggregat = fest
| Dichte = 4,79 g·cm−3<ref name="GESTIS"/>
| Schmelzpunkt = 1070 [[Grad Celsius|°C]]<ref name="GESTIS"/>
| Siedepunkt =
| Dampfdruck =
| Löslichkeit = praktisch unlöslich in Wasser<ref name="GESTIS"/>
| CLH = {{CLH-ECHA|ID=100.040.856|Name=Indium phosphide|Abruf=2016-02-01}}
| Quelle GHS-Kz = <ref name="GESTIS">{{GESTIS|Name=Indiumphosphid|ZVG=133474|CAS=22398-80-7|Abruf=2025-01-10}}</ref>
| GHS-Piktogramme = {{GHS-Piktogramme|08}}
| GHS-Signalwort = Gefahr
| H = {{H-Sätze|350|361f|372}}
| EUH = {{EUH-Sätze|-}}
| P = {{P-Sätze|201|280|308+313}}
| Quelle P = <ref name="GESTIS"/>
| MAK = aufgehoben, da cancerogen<ref name="GESTIS"/>
}}

'''Indiumphosphid''' ist eine [[Halbleiter]]verbindung aus der Gruppe der binären [[III-V-Verbindungshalbleiter]], die in der [[Hochfrequenztechnik]] für [[Laser]] für die [[dämpfung]]sarme langreichweitige [[Datenkommunikation]] um 1550 nm über [[Glasfaserkabel]], in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von [[Integrierter Schaltkreis|Integrierten Schaltkreisen]] (''Sandwich-Chips'') mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber<ref>''[http://www.fbh-berlin.de/fileadmin/downloads/Press/2012/PM_FBH_Sandwich-Chips_HiTeK_2012_12_18.pdf Sandwich-Chips: Das Beste aus zwei Technologien]'' (PDF; 149 kB). Pressemitteilung des [[Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik|Ferdinand-Braun-Instituts]], 18. Dezember 2012.</ref> und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der [[Gunndiode]] eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber [[Silicium]] sehr hohe [[Elektronenbeweglichkeit]] im Gitter.

Indiumphosphid besitzt eine direkte [[Bandlücke]], wodurch die Verbindung für [[Laserdiode]]n, [[LED]]s, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der [[Optoelektronik]] gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für [[photonischer Kristall|photonische Kristalle]].

== Gewinnung und Darstellung ==
InP-basierte Bauelementschichten werden derzeit in der Regel auf InP-Substraten, die als Einkristalle hergestellt werden, mittels der [[MOVPE|metallorganischen Gasphasenepitaxie]] gewachsen. Seltener kommen auf der [[Molekularstrahlepitaxie]] basierende Verfahren zum Einsatz, mit denen sich reinere Schichten und hochwertigere Grenzflächen realisieren lassen.

<gallery widths="160" mode="nolines">
Indium phosphide.jpg|Indiumphosphid: Kristalle
InPcrystal.jpg|Indiumphosphid: polierte Seite oben
Stone Flower (Кам’яна квітка).jpg|[[Nanokristall]]-Oberfläche, [[Elektronenmikroskop|Elektronenmikroskop-Aufnahme]], die gewachsenen Indiumoxidbereiche sind künstlich eingefärbt.
</gallery>

== Eigenschaften ==
Die temperaturabhängige Bandlücke hat bei 300 [[Kelvin|K]] (ca. 27 °C) einen Wert von 1,34 [[Elektronenvolt|eV]].<ref>[http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP/bandstr.html Physikalische Eigenschaften von Indiumphosphid] (engl.)</ref>

== Sicherheitshinweise ==
Indiumphosphid ist als krebserregend eingestuft.<ref name="GESTIS"/>

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Indiumverbindung]]
[[Kategorie:Phosphid]]
[[Kategorie:Verbindungshalbleiter]]
[[Kategorie:Beschränkter Stoff nach REACH-Anhang XVII, Eintrag 28]]

Indiumphosphid - Versionsgeschichte

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