https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=IndiumnitridIndiumnitrid - Versionsgeschichte2026-05-28T18:23:37ZVersionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale KopieMediaWiki 1.43.8https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Indiumnitrid&diff=1723505&oldid=previmported>Anagkai: Variablen kursiv2026-03-14T07:13:25Z<p>Variablen kursiv</p>
<p><b>Neue Seite</b></p><div>{{Infobox Chemikalie<br />
| Strukturformel = [[Datei:Wurtzite polyhedra.png|200px|Struktur von Indiumnitrid]]<br />
| Kristallstruktur = Ja<br />
| Strukturhinweis = {{Farbe|#C0C0C0|Kreis=1}} [[Indium|In]]<sup>3+</sup> {{0}} {{Farbe|#EEEE00|Kreis=1}} [[Stickstoff|N]]<sup>3−</sup><br />
| Andere Namen = * Indium(III)-nitrid<br />
* Indiumstickstoff<br />
| Summenformel = InN<br />
| CAS = {{CASRN|25617-98-5}}<br />
| EG-Nummer = 247-130-6<br />
| ECHA-ID = 100.042.831<br />
| PubChem = 117560<br />
| ChemSpider = <br />
| Beschreibung = schwarzer Feststoff<ref name="brauer">[[Georg Brauer]] (Hrsg.), unter Mitarbeit von [[Marianne Baudler]] u.&nbsp;a.: ''Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie.'' 3., umgearbeitete Auflage. Band I, Ferdinand Enke, Stuttgart 1975, ISBN 3-432-02328-6, S. 872.<!-- ev. Band II oder falsche Seitenzahl --></ref><br />
| Molare Masse = 128,83 g·[[mol]]<sup>−1</sup><br />
| Aggregat = fest<ref name="Sigma" /><br />
| Dichte = 6,89 g·cm<sup>−3</sup><ref name="brauer" /><br />
| Schmelzpunkt = 1100 °C<ref name="William M. Haynes">{{Literatur | Autor = William M. Haynes | Titel = CRC Handbook of Chemistry and Physics, 93rd Edition | Verlag = CRC Press | ISBN = 143988049-2 | Jahr = 2012 | Online = {{Google Buch | BuchID = -BzP7Rkl7WkC | Seite = 4-67 }} | Seiten = 4-67 }}</ref><br />
| Siedepunkt = <br />
| Dampfdruck = <br />
| Löslichkeit = <br />
| Quelle GHS-Kz = <ref name="Sigma">{{Sigma-Aldrich|Aldrich|490628|Name=Indium(III) nitride, 99.9% trace metals basis|Abruf=2014-03-29}}</ref><br />
| GHS-Piktogramme = {{GHS-Piktogramme|-}}<br />
| GHS-Signalwort = <br />
| H = {{H-Sätze|-}}<br />
| EUH = {{EUH-Sätze|-}}<br />
| P = {{P-Sätze|-}}<br />
| Quelle P = <ref name="Sigma" /><br />
| MAK = <br />
}}<br />
<br />
'''Indiumnitrid''' (InN) ist eine anorganische [[chemische Verbindung]] des [[Indium]]s aus der Gruppe der [[Nitride]].<br />
<br />
== Gewinnung und Darstellung ==<br />
Indiumnitrid kann durch Reaktion von [[Ammoniumhexafluoroindat]] mit [[Ammoniak]] bei 580 bis 600 °C gewonnen werden.<ref name="brauer" /><br />
:<math>\mathrm{(NH_4 )_3 InF_6 + 4 \ NH_3 \longrightarrow InN + 6 \ NH_4 F}</math><br />
<br />
== Eigenschaften ==<br />
Indiumnitrid ist ein schwarzer, luftbeständiger Feststoff. Er wird von [[Natronlauge]] und von konzentrierter [[Schwefelsäure]] aufgelöst, von den anderen [[Mineralsäure]]n dagegen nicht. Er besitzt eine [[Kristallstruktur]] vom [[Wurtzit]]-Typ (''a'' = 353,3 pm, ''c'' = 569,3 pm).<ref name="brauer" /> Die Verbindung ist ein [[III-V-Verbindungshalbleiter]], der aus [[Indium]] und [[Stickstoff]] gebildet ist. Potenzielle zukünftige Anwendungen dieses Werkstoffes liegen in Kombinationen mit [[Galliumnitrid]] im Bereich von [[Solarzelle]]n.<ref>T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff (Eds), Indium Nitride and Related Alloys (CRC Press, 2009)</ref><br />
<br />
Der temperaturabhängige [[Bandabstand]] von InN beträgt bei 300&nbsp;[[Kelvin|K]] ca. 0,7&nbsp;[[Elektronenvolt|eV]] und liegt im [[infrarot]]en Spektralbereich.<ref>V. Yu. Davydov: ''[https://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InN/doc/dvdv02pss229_1.pdf Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap] (PDF; 86&nbsp;kB)'', Phys. Stat. Solidi (b) 229 (2002) R1 (engl.)</ref><ref>{{Literatur<br />
| Autor=EL-ELA, FMABOU and EL-ASSY, BM<br />
| Titel=Electron transport in wurtzite InN<br />
| Sammelwerk=Pramana<br />
| Band=79<br />
| Nummer=<br />
| Jahr=2012<br />
| Seiten=125<br />
| DOI=10.1007/s12043-012-0294-5<br />
}}</ref> <br />
Indiumnitrid bildet mit Galliumnitrid den ternären Verbindungshalbleiter [[Indiumgalliumnitrid]], dessen Bandlücke im Herstellungsprozess durch das Verhältnis der beiden Komponenten über einen sehr weiten Bereich von 0,7 bis 3,4&nbsp;eV einstellbar ist.<br />
<br />
Dünne polykristalline Strukturen von Indiumnitrid zeigen bei Temperaturen unter ''T<sub>c</sub>''=3,3&nbsp;K [[Supraleiter|supraleitende]] Eigenschaften, die auch unter dem Einfluss von hohen [[magnetische Flussdichte|magnetischen Flussdichten]] bestehen bleiben.<ref>T. Inushima: ''Electronic structure of superconducting InN'', in Sci. Techn. Adv. Mater. 7, 2006, Seiten 112; {{DOI|10.1016/j.stam.2006.05.009}}.</ref><br />
<br />
== Literatur ==<br />
* {{Literatur | Autor = Timothy David Veal, Christopher F. McConville, William J. Schaff | Titel = Indium Nitride and Related Alloys | Verlag = CRC Press | ISBN = 143985961-2 | Jahr = 2011 | Online = {{Google Buch | BuchID = GYf-onnNQHAC | Seite = }} | Seiten = }}<br />
<br />
== Einzelnachweise ==<br />
<references /><br />
<br />
[[Kategorie:Indiumverbindung]]<br />
[[Kategorie:Nitrid]]<br />
[[Kategorie:Verbindungshalbleiter]]</div>imported>Anagkai