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2026-01-24T06:49:21Z

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{{Infobox Chemikalie
| Strukturformel = [[Bild:Wurtzite polyhedra.png|200px]]
| Kristallstruktur = Ja
| Strukturhinweis = {{Farbe|#C0C0C0|Kreis=1}} Ga3+ {{0}} {{Farbe|#EEEE00|Kreis=1}} N3−
| Andere Namen =
| Summenformel = InxGa1-xN
| CAS = {{CASRN|120994-23-2}}
| EG-Nummer =
| ECHA-ID =
| PubChem =
| ChemSpider =
| Beschreibung =
| Molare Masse = ''keine feste Zusammensetzung''
| Aggregat =
| Dichte =
| Schmelzpunkt =
| Siedepunkt =
| Dampfdruck =
| Löslichkeit =
| Quelle GHS-Kz = NV
| GHS-Piktogramme = {{GHS-Piktogramme|/}}
| GHS-Signalwort =
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| Quelle P =
}}

'''Indiumgalliumnitrid''' (InGaN, InxGa1-xN) ist ein [[III-V-Halbleiter]], welcher aus den beiden Grundsubstanzen [[Galliumnitrid]] und [[Indiumnitrid]] gebildet ist. Anwendung dieses Werkstoffes liegen insbesondere in der [[Optoelektronik]] zur Realisierung von blauen, violetten und grünen [[Leuchtdiode]]n und von blau-violetten [[Laserdiode]]n, welche im Bereich optischer Speichermedien wie der [[Blu-ray Disc]] eingesetzt werden. Es sind auch grüne Laserdioden auf InGaN-Basis verfügbar. Diese sind, kombiniert mit blauen und roten Laserdioden, interessant für zukünftige Displaytechnologien, da mit dem emittierten Grün (ca. 515 nm) eine größere Fläche im [[CIE-Normvalenzsystem]] eingeschlossen wird als es bisher der Fall war.<ref>[http://www.osram.de/osram_de/presse/pressemeldungen/_fachpresse/2009/ingan-laser/index.jsp Laborerfolg: Direkt emittierender grüner InGaN-Laser mit 50 mW], Pressemitteilung Osram, 13. August 2009</ref>

Durch das wählbare Verhältnis von Galliumnitrid zu Indiumnitrid kann die [[Bandlücke]], und damit die emittierte Farbe, im Rahmen des Herstellungsprozesses im Bereich von 0,7 [[Elektronenvolt|eV]] bis 3,37 eV gewählt werden. Bei einem Verhältnis von 2 % Indiumnitrid und 98 % Galliumnitrid ergibt sich ein Bandabstand, der für eine Emission im nahen [[Ultraviolettstrahlung|Ultraviolett]] sorgt, bei 20 % Indiumnitrid und 80 % Galliumnitrid entsteht dagegen eine blau-violette Strahlung mit einer Wellenlänge von 420 nm. Bei einem Verhältnis von 30 % / 70 % ergibt sich eine Strahlung mit 440 nm, was einer blauen Farbe entspricht.

Weitere Anwendung dieses Halbleiters liegen im Bereich von [[Solarzelle]]n. Dabei werden übereinander zwei Schichten von InGaN mit unterschiedlichen Mischungsverhältnissen aufgebracht, was aufgrund der relativen großen Störstellentoleranz des Werkstoffes möglich ist. Die beiden Schichten weisen unterschiedliche Bandabstände mit 1,1 [[Elektronenvolt|eV]] und mit 1,7 eV auf. Der Vorteil besteht darin, dass damit spektral ein größerer Bereich des Sonnenlichts energetisch genutzt werden kann. Der theoretisch maximale [[Wirkungsgrad]] ([[Shockley-Queisser-Grenze]]) dieser Solarzellen liegt bei 50 %<ref>{{Webarchiv |url=http://www.lbl.gov/Science-Articles/Archive/MSD-perfect-solar-cell-2.html |text=A nearly perfect solar cell |wayback=20200917000213 |archiv-bot=}}, Teil 2 vom 17. Dezember 2002 (engl.)</ref>.

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Indiumverbindung]]
[[Kategorie:Galliumverbindung]]
[[Kategorie:Nitrid]]
[[Kategorie:Verbindungshalbleiter]]

Indiumgalliumnitrid - Versionsgeschichte

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