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{{Infobox Chemikalie
| Strukturformel = [[Datei:Sphalerite polyhedra.png|250px]]
| Kristallstruktur = Ja
| Strukturhinweis = {{Farbe|#C0C0C0|Kreis=1}} In3+ {{0}} {{Farbe|#EEEE00|Kreis=1}} Sb3−
| Andere Namen =
| Summenformel = InSb
| CAS = {{CASRN|1312-41-0}}
| EG-Nummer = 215-192-3
| ECHA-ID = 100.013.812
| PubChem = 3468413
| ChemSpider = 2709929
| Beschreibung = silbergrauer, geruchloser Feststoff<ref name="alfa"/>
| Molare Masse = 236,6 g·[[mol]]−1
| Aggregat = fest
| Dichte = 5,75 g·cm−3<ref name="alfa" />
| Schmelzpunkt = 535 [[Grad Celsius|°C]] (Zersetzung)<ref name="alfa"/>
| Siedepunkt =
| Dampfdruck =
| Löslichkeit = nahezu unlöslich in Wasser<ref name="alfa"/>
| CLH = {{CLH-ECHA|Sammeleinstufung=ja|ID=100.240.780|Name=antimony compounds, with the exception of the tetroxide (Sb2O4), pentoxide (Sb2O5), trisulphide (Sb2S3), pentasulphide (Sb2S5) and those specified elsewhere in this Annex|Abruf=2016-02-01}}
| Quelle GHS-Kz = <ref name="alfa">{{Alfa|14626|Name=Indium antimonide, 99.999% (metals basis)|Abruf=2019-12-07}}</ref>
| GHS-Piktogramme = {{GHS-Piktogramme|07|09}}
| GHS-Signalwort = Gefahr
| H = {{H-Sätze|302|332|411}}
| EUH = {{EUH-Sätze|-}}
| P = {{P-Sätze|261|264|273|301+330+331|391|501}}
| Quelle P = <ref name="alfa" />
| MAK = 0,5 mg·m−3 (Sb). 0,1 mg·m−3 (In)<ref name="alfa"/>
}}

'''Indiumantimonid''' (InSb) ist eine [[chemische Verbindung]] aus [[Indium]] (In) und [[Antimon]] (Sb). Es zählt zu den [[III-V-Halbleiter]]n.

== Eigenschaften ==
[[Datei:Indium antimonide.jpg|mini|links|Indiumantimonid]]
[[Dotierung|Undotiertes]] Indiumantimonid weist bei Raumtemperatur die größte [[Elektronenbeweglichkeit]] von 78.000 cm2/(V·s) von allen bekannten Halbleitern auf, wodurch sich auch die (im Vergleich zu anderen Materialien) extrem hohe [[Hall-Konstante]] von −2,4·10−4 m3/C erklärt. Es eignet sich besonders gut zur Herstellung von sehr schnellen elektronischen Schaltern.<ref>{{cite journal |author=Rode, D. L. |date=1971 |title=Electron Transport in InSb, InAs, and InP |journal=Physical Review B |volume=3 |pages=3287 |doi=10.1103/PhysRevB.3.3287 |language=en}}</ref>

Außerdem wird Indiumantimonid in der [[Optoelektronik]] als Werkstoff für [[Infrarotstrahlung|Infrarotsensoren]] benutzt, vor allem bei Wellenlängen von 1000 nm bis 5500 nm.

Halbleiterbauelemente aus Indiumantimonid weisen eine [[Diffusionsspannung]] unter 0,5 V auf, was geringere Betriebsspannungen und damit geringere Verlustleistungen als [[Silicium]] mit 0,7 V ermöglicht.

== Gewinnung und Darstellung ==
Indiumantimonid bildet sich beim Zusammenschmelzen der beiden hochreinen [[Chemisches Element|Elemente]]:

:<math>\mathrm{In\ +\ Sb \longrightarrow\ InSb} </math>

== Verwendung ==
Eine Schicht von Indiumantimonid zwischen [[Aluminiumindiumantimonid]] kann als [[Quantentopf]] dienen. Daraus lassen sich sehr schnell schaltende [[Transistor]]en bauen.<ref>[http://www.newscientist.com/article.ns?id=dn6997 'Quantum well' transistor promises lean computing]</ref> [[Bipolartransistor]]en lassen sich damit bis zu einer [[Grenzfrequenz]] von 85 GHz und [[Feldeffekttransistor]]en bis zu 200 GHz betreiben. Die Firmen [[Intel]] und [[QinetiQ]] entwickeln zusammen auf Indiumantimonid basierende Feldeffekttransistoren, deren Entwicklung derzeit (2010) nicht abgeschlossen ist.

Seit den 1950er Jahren dient es als Detektormaterial in Infrarotempfängern für militärische Anwendungen. So zum Beispiel in der amerikanischen [[AIM-9 Sidewinder]] Rakete.<ref name="Antonio Rogalski">{{Literatur |Autor=Antonio Rogalski |Titel=Infrared Detectors |Verlag=CRC Press |Datum=2000 |ISBN=978-90-5699-203-3 |Seiten=325 |Online={{Google Buch|BuchID=4b3WLgomvd0C|Seite=325}} |Sprache=en}}</ref>

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Indiumverbindung]]
[[Kategorie:Antimonid]]
[[Kategorie:Verbindungshalbleiter]]
[[Kategorie:Beschränkter Stoff nach REACH-Anhang XVII, Eintrag 75]]

Indiumantimonid - Versionsgeschichte

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