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2025-04-13T06:11:11Z

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'''HMOS''' bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein [[Akronym]] für das englische '''h'''igh-performance '''MOS''' (engl. für ''[[Metalle|Metall]]-[[Oxid]]-[[Halbleiter]]''). HMOS findet in [[Integrierter Schaltkreis|integrierten Schaltkreisen]] hoher Packungsdichte mit [[NMOS-Logik]] Anwendung.
Zuvor waren [[Strukturgröße]]n von 6 µm bis 10 µm etabliert.
Andere Halbleitertechnologien sind unter den Bezeichnungen [[HCMOS]], [[PMOS]] und den heute überwiegend eingesetzten [[CMOS]] bekannt.<ref>vgl. {{Literatur | Autor = Wadhwa | Titel = Microprocessor 8085: Architecture Programming And Interfacing | Verlag = PHI Learning Pvt. Ltd. |Datum=2010|Seiten=9| ISBN = 978-81-203-4013-8|Online = {{Google Buch|BuchID=JX-Hs592smEC|Seite=9}}}}</ref>

{| class="wikitable"
|+ HMOS-Generationen (Quelle: <ref>{{Literatur | Autor=Dieter Sautter, [[Hans Weinerth]] | Titel=Lexikon Elektrotechnik und Mikroelektronik | Auflage=2. | Verlag=Springer | Ort=Berlin|Datum=1993|Seiten=454| ISBN=978-3-540-62131-7}}</ref>)
|- class="hintergrundfarbe6"
! Generation
! Einführung
! [[Strukturgröße|Kanallänge]]
! Gatterverzögerung
|-
| HMOS I
| 1976
| ≈ 3 µm
| 100 ns
|-
| HMOS II
| 1979
| ≈ 2 µm
| 30 ns
|-
| HMOS III
| 1982
| ≈ 1,5 µm
| 10 ns
|-
|}

== Literatur ==
* {{Literatur | Autor = K. Yu, R.J.C. Chwang, M.T. Bohr, P.A. Warkentin, S. Stern, C.N. Berglund | Titel = HMOS-CMOS-a low-power high-performance technology | Sammelwerk = IEEE Journal of Solid-State Circuits | Band = 16 | Nummer = 5| Datum = 1981-10 | Seiten = 454–459| DOI= 10.1109/JSSC.1981.1051622}}

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Mikroelektronik]]
[[Kategorie:Abkürzung]]

HMOS - Versionsgeschichte

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