https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=Frank_FangFrank Fang - Versionsgeschichte2026-06-04T23:23:33ZVersionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale KopieMediaWiki 1.43.8https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Frank_Fang&diff=2771386&oldid=previmported>Invisigoth67: typo2024-01-28T17:35:07Z<p>typo</p>
<p><b>Neue Seite</b></p><div>'''Frank F. Fang''' (* [[11. September]] [[1930]] in [[Peking]]) ist ein chinesisch-US-amerikanischer Festkörperphysiker. Er war Teil des Teams, dem 1966 der Nachweis eines zweidimensionalen Elektronengases und dessen Quanteneigenschaften in Halbleitern gelang.<br />
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Fang studierte an der [[Staatliche Universität Taiwan|Staatlichen Universität Taiwan]] mit dem Bachelor-Abschluss 1951 und an der [[University of Notre Dame]] mit dem Master-Abschluss 1954. Er promovierte 1959 an der [[University of Illinois at Urbana-Champaign]] in Elektrotechnik. 1959/60 war er bei [[Boeing]] und ab 1960 forschte er bei [[International Business Machines|IBM]].<br />
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[[John Robert Schrieffer]] hatte 1956 Quanteneffekte beim Elektrontransport aufgrund der zweidimensionalen Geometrie in [[Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur]]en (MOS) vorhergesagt, der Nachweis gelang aber erst Fang mit [[Alan B. Fowler]], [[Phillip J. Stiles]] und [[Webster Eugene Howard]] bei IBM 1966 durch Anlegen starker Magnetfelder.<ref>{{Literatur |Autor=A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, P. J. Stiles |Titel=Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces |Sammelwerk=Physical Review Letters |Band=16 |Nummer=20 |Datum=1966-05-16 |Seiten=901–903 |DOI=10.1103/PhysRevLett.16.901}}</ref><br />
<br />
1982 wurde er Fellow der [[American Physical Society]]. 1984 wurde er [[IEEE]] Fellow für ''die Entdeckung und die Erklärung zweidimensionaler Eigenschaften von Silizium-Inversionsschichten und für Beiträge zur Erforschung von Halbleiterbauteilen''.<ref>[https://www.ieee.org/membership_services/membership/fellows/fellowsDirectory.html# IEEE Fellows Verzeichnis] (''Citation: For discovery and understanding of the two-dimensional properties of silicon inversion layers and for contributions in semiconductor device physics research.'')</ref> 1988 erhielt er mit Alan B. Fowler und Phillip J. Stiles den [[Oliver E. Buckley Condensed Matter Prize]].<br />
<br />
1981 erhielt er die Wetherill Medal des Franklin Institute mit Fowler, Howard, Stiles und [[Frank Stern (Physiker)|Frank Stern]] (Stern und Howard gaben die theoretische Erklärung des Experiments von 1966).<ref>{{Literatur |Autor=Frank Stern, W. E. Howard |Titel=Properties of Semiconductor Surface Inversion Layers in the Electric Quantum Limit |Sammelwerk=Physical Review |Band=163 |Nummer=3 |Datum=1967-11-15 |Seiten=816–835 |DOI=10.1103/PhysRev.163.816}}</ref><br />
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== Weblinks ==<br />
* {{Internetquelle |url=https://history.aip.org/phn/11508019.html |titel=Frank F. Fang. Biography |werk=Physics History Network |hrsg=AIP |zugriff=2018-02-10 |abruf-verborgen=1}}<br />
<br />
== Einzelnachweise ==<br />
<references /><br />
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{{SORTIERUNG:Fang, Frank}}<br />
[[Kategorie:Physiker (20. Jahrhundert)]]<br />
[[Kategorie:IEEE Fellow]]<br />
[[Kategorie:Fellow der American Physical Society]]<br />
[[Kategorie:US-Amerikaner]]<br />
[[Kategorie:Geboren 1930]]<br />
[[Kategorie:Mann]]<br />
<br />
{{Personendaten<br />
|NAME=Fang, Frank<br />
|ALTERNATIVNAMEN=Fang, Frank F.<br />
|KURZBESCHREIBUNG=US-amerikanischer Physiker<br />
|GEBURTSDATUM=11. September 1930<br />
|GEBURTSORT=[[Peking]]<br />
|STERBEDATUM=<br />
|STERBEORT=<br />
}}</div>imported>Invisigoth67