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	<title>Flat (Wafer) - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-06-27T17:55:26Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<title>imported&gt;Aka: /* Weblinks */ https</title>
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		<updated>2023-04-14T08:35:09Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;&lt;span class=&quot;autocomment&quot;&gt;Weblinks: &lt;/span&gt; https&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;[[Datei:Notch and Flat 01.jpg|mini|Foto der Flat eines 150-mm-Wafers (oben), im Vergleich zu einer [[Notch (Wafer)|Notch]] eines 200-mm-Wafers (unten).&amp;lt;br /&amp;gt;&amp;#039;&amp;#039;Als Maßstab ein Streichholzkopf&amp;#039;&amp;#039;]]&lt;br /&gt;
Ein &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;{{lang|en|Flat}}&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; ([[Englische Sprache|engl.]] für &amp;#039;&amp;#039;flach&amp;#039;&amp;#039;) ist eine gerade Kante an der Seite eines [[Wafer]]s. Sie dient zur Wafer-Positionierung in Produktionsanlagen der [[Halbleitertechnik]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Das Flat ist allgemein an der [[Kristallorientierung]] der [[einkristall]]inen Wafer ausgerichtet. Für einen standardmäßig eingesetzten [[Miller-Indizes|{100}]]-Wafer ist das Flat in der Orientierung {110} angebracht. Die Bestimmung der Kristallorientierung ([[Kristallstrukturanalyse]]) erfolgt mit Hilfe der [[Röntgenbeugung]]. Die Flats selbst werden nach diesen Daten mit [[Computerized Numerical Control|CNC]]-gesteuerten [[Schleifmaschine]]n in den [[Ingot]] (länglicher Halbleitereinkristall, beispielsweise aus [[Silizium]]stab) geschliffen. Je nach Qualität beträgt die Lage des Flat 0,5° oder besser zur gewünschten Kristallorientierung; die Lage wird in [[Grad (Winkel)|Grad]] und [[Bogensekunde|Sekunden]] angegeben.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Datei:Wafer flats convention v2.svg|mini|links|Konventionen für die Kennzeichnung von Wafern (bis 4 Zoll Durchmesser)]]&lt;br /&gt;
[[Datei:Wafers from 2 to 8 Inches 01.jpg|mini|Verschiedene Wafergrößen von 2, 3, 4 und 5 Zoll (obere Reihe v.&amp;amp;nbsp;l.&amp;amp;nbsp;n.&amp;amp;nbsp;r.) sowie 200 und 150 mm (untere Reihe v.&amp;amp;nbsp;l.&amp;amp;nbsp;n.&amp;amp;nbsp;r.). Die Wafer bis einschließlich 150 mm haben ein Flat (jeweils am unteren Rand), der 200&amp;amp;nbsp;mm ein Notch.]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Zur erweiterten Kennzeichnung von Wafern wird manchmal auch ein weiteres etwas kleineres Flat, das sogenannte sekundäre Flat, genutzt. Durch die Lage dieses Flats können die [[Dotierung]] und [[Kristallorientierung]] des Wafers gekennzeichnet werden (siehe Abbildung).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Eingesetzt werden Flats bis zu Wafern mit Durchmessern von 150&amp;amp;nbsp;mm („6 Zoll“). Bei größeren Wafern (200&amp;amp;nbsp;mm und 300&amp;amp;nbsp;mm Durchmesser) werden [[Notch (Wafer)|Notches]] (Kerben) in Kombination mit einem [[Barcode]], der weitere Informationen enthält, eingesetzt. Diese Methode benötigt wesentlich weniger Fläche auf dem Wafer, die nun für die Fertigung der Schaltkreise zur Verfügung steht.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Weblinks ==&lt;br /&gt;
*{{Internetquelle&lt;br /&gt;
   |hrsg=Virginia Semiconductor&lt;br /&gt;
   |url=https://www.virginiasemi.com/pdf/semi%20specificationsoverview71002.pdf&lt;br /&gt;
   |format=PDF; 150&amp;amp;nbsp;kB&lt;br /&gt;
   |sprache=en&lt;br /&gt;
   |titel=Your Guide to SEMI Specifications for Si Wafers&lt;br /&gt;
   |datum=2002-06&lt;br /&gt;
   |zugriff=2010-09-20&lt;br /&gt;
   |kommentar=Enthält Angaben zur Größe der Flats bei unterschiedlichen Wafergrößen}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Halbleitertechnik]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[ro:Plăcuță semiconductoare#Semne de indicare a orientării]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Aka</name></author>
	</entry>
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