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2019-08-03T20:52:15Z

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Ein '''entarteter Halbleiter''' ist ein [[Halbleiter]], der so stark [[Dotierung|dotiert]] (oder verunreinigt) ist, dass er so gut [[Elektrische Leitfähigkeit|elektrisch leitet]] wie [[Metall]]e. Durch die Fremdatome rückt das [[Fermi-Niveau]] an das [[Leitungsband]] heran oder liegt darin, die [[Bandlücke]] wird sehr klein oder verschwindet ({{enS|''band-gap narrowing''}} oder {{lang|en|''gap-shift''}}). Erklären lässt sich der Effekt über die [[Abschirmung (Atomphysik)|Abschirmung]] des Gitterpotentials durch die zusätzlich eingebrachten, freien Ladungsträger. Die [[Besetzungwahrscheinlichkeit]]en im Leitungs- und [[Valenzband]] lassen sich nicht mehr mit der [[Boltzmann-Statistik]] beschreiben.

Beim entarteten Halbleiter liegt das Fermi-Niveau nicht innerhalb des verbotenen Bandes, sondern im Leitungsband (n-Halbleiter) oder innerhalb des Valenzbandes (p-Halbleiter). Dies tritt auf bei extrem hoher Dotierung (größer 10<sup>19</sup> pro cm<sup>3</sup>). Beim Kontakt eines Metalls mit einem entarteten n-Halbeiter hat die Schottkybarriere eine so geringe Ausdehnung, dass sie in beiden Richtungen durchtunnelt werden kann. Es liegt dann ein ohmscher Kontakt vor.<ref>{{Literatur |Autor=R. Kories, H. Schmidt-Walter |Titel=Taschenbuch der Elektronik: Grundlagen und Elektronik |Hrsg=Europa-Lehrmittel |Sammelwerk= |Band= |Nummer= |Auflage=11 |Verlag=Europa-Lehrmittel |Ort= |Datum=2017 |Seiten= |ISBN=}}</ref>

[[Silicium]] und [[Germanium]] waren vor 1940 (bei Silicium vor Kenntnis des [[Zonenschmelzverfahren]]s) nicht sehr rein verfügbar, weshalb sie aufgrund dieses Umstands historisch als Metalle eingestuft wurden.<ref>Rolf Sauer: ''Halbleiterphysik.'' 1. Auflage, 2009, Kapitel 1.</ref>

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Halbleiter]]

Entarteter Halbleiter - Versionsgeschichte

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