84.161.29.225 am 14. April 2018 um 21:23 Uhr

2018-04-14T21:23:26Z

Neue Seite

'''Endurance''' (engl. f. ''Ausdauer, Durchhaltevermögen'') ist ein Begriff aus der [[Mikroelektronik]], speziell der Technologie von [[NVRAM]]s, also nichtflüchtigen [[Datenspeicher]]n: die Anzahl an Lösch-/Programmierzyklen, die der Speicher ohne – funktional spürbare – [[Graceful_degradation|Degradation]] seiner Speichereigenschaften verträgt, also kurz: die maximal zulässige (vom Hersteller garantierte) Zahl an Wiederbeschreiboperationen pro Speicherzelle. Typische Werte reichen von ca. 1000 bei NVRAMs mit hohen Anforderungen an die Datenhaltungszeit (die [[Retention (NVRAM)|Retention]]) bis 100.000 bei kommerziell eingesetzten Produkten (zum Beispiel in [[Speicherkarte]]n).

Dass diese Anzahl überhaupt beschränkt ist, liegt bei heutigen [[Flash-Speicher]]n (die gängige Technologie zur Umsetzung des NVRAM-Prinzips) daran, dass die Speicherzellen für die Programmier- und Löschoperationen hohen Spannungen (10–18 V) ausgesetzt werden, wodurch Schädigungen in der Struktur der Zelle auftreten. Die Schädigungen werden umso geringer, je geringer die Spannungen für Programmieren und Löschen gewählt werden können. Diese Minimierungsanforderung führt dazu, dass man eine zentrale Isolationsstruktur in der Speicherzelle möglichst dünn ausführen sollte. Das wiederum hat allerdings negative Auswirkungen auf eine andere Kenngröße eines NVRAM, die [[Retention (NVRAM)|Retention]].

[[Kategorie:Speichertechnologie]]

Endurance (NVRAM) - Versionsgeschichte

84.161.29.225 am 14. April 2018 um 21:23 Uhr