https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=Electrolyte-oxide-semiconductor_field-effect_transistor 2026-06-06T05:17:39Z Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie MediaWiki 1.43.8 https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Electrolyte-oxide-semiconductor_field-effect_transistor&diff=597879&oldid=prev 2017-07-05T17:11:44Z

<p>satzbau</p> <p><b>Neue Seite</b></p><div>Der {{lang|en|&#039;&#039;&#039;electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor&#039;&#039;&#039;}} (engl., kurz &#039;&#039;&#039;EOSFET&#039;&#039;&#039;, dt. „Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“) ist ein spezieller [[Feldeffekttransistor]] mit isoliertem Gate ([[IGFET]]). Im Gegensatz zu konventionellen [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor]]en (MOSFETs) ist die Gate-Elektrode nicht durch eine [[Metall]]schicht, sondern durch eine [[Elektrolyt]]-Lösung realisiert.&lt;ref&gt;{{Literatur | Autor=Ping Wang, Qingjun Liu | Titel=Cell-Based Biosensors: Principles and Applications | Verlag=Artech House | ISBN=9781596934399 | Jahr=2009|Seiten=111}}&lt;/ref&gt;<br /> <br /> EOSFETs werden beispielsweise zur Erkennung [[neuron]]aler Aktivitäten eingesetzt, beispielsweise in [[Brain-Computer-Interface]]s.<br /> <br /> == Einzelnachweise ==<br /> &lt;references /&gt;<br /> <br /> [[Kategorie:Transistor]]</div>

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