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	<title>Diode-Transistor-Logik - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-05-27T06:45:28Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Diode-Transistor-Logik&amp;diff=25144&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;Randbewohner: Eingangssatz an Lemma angepasst. Ergibt jetzt mehr Sinn.</title>
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		<updated>2024-01-27T22:37:47Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Eingangssatz an Lemma angepasst. Ergibt jetzt mehr Sinn.&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Diode-Transistor-Logik&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; (kurz: DTL) ist in der Digitaltechnik eine [[Logikfamilie]], in der [[Logikgatter]] und Logikfunktionen durch die Verknüpfung von [[Diode]]n im Eingangsbereich und anschließender Verstärkung des Logiksignals durch [[Transistor]]en realisiert werden.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Diese Technik digitaler elektronischer Schaltkreise wurde Anfang der 1960er Jahre als Nachfolger der [[Widerstands-Transistor-Logik]] (RTL) entwickelt. Gegenüber der RTL ergibt sich eine höhere Verarbeitungsgeschwindigkeit und niedrigere Leistungsaufnahme.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aufbau und Funktion ==&lt;br /&gt;
[[Datei:MC849 Circuit.svg|thumb|right|NAND-Gatter in DTL-Technik vom Typ MC849]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Die nebenstehende Schaltung zeigt den Aufbau eines [[NAND-Gatter]]s in DTL-Technik. Wenn die Eingangsdioden V&amp;lt;sub&amp;gt;1&amp;lt;/sub&amp;gt; und V&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt; sperren (Eingänge auf &amp;#039;&amp;#039;High&amp;#039;&amp;#039;-Potenzial), so fließt der Strom über den Widerstand R&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt;, der mit dem Widerstand R&amp;lt;sub&amp;gt;1&amp;lt;/sub&amp;gt; einen Spannungsteiler bildet. Die auf diese Weise erhöhte Spannung auf der Basis des Transistors V&amp;lt;sub&amp;gt;5&amp;lt;/sub&amp;gt; führt zum Durchschalten des Transistors. Dadurch geht der Ausgang in den Low-Pegel. In positiver Logik (siehe: [[Logikpegel]]) entspricht dies einem NAND-Gatter. Da der Transistor in [[Sättigung (Elektronik)|Sättigung]] geht, erhält man aufgrund der notwendigen Räumung der Sperrschicht eine hohe [[Gatterlaufzeit]]. DTL-Schaltungen werden deshalb nicht mehr eingesetzt. Die Logikpegel dieser Schaltung lagen bei typischerweise etwa 0 bis 1&amp;amp;nbsp;V für den &amp;#039;&amp;#039;Low&amp;#039;&amp;#039;-Pegel und bei etwa 1,7 bis 5&amp;amp;nbsp;V für den &amp;#039;&amp;#039;High&amp;#039;&amp;#039;-Pegel.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Neue Logikfamilien ==&lt;br /&gt;
Die DTL-Familie hat in der Schaltungsentwicklung heute praktisch keine Bedeutung mehr und wurde durch neuere Logikfamilien abgelöst. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Als direkte Weiterentwicklung der Diode-Transistor-Logik kann die [[Transistor-Transistor-Logik]] (TTL) mit ihren verschiedenen Unterfamilien angesehen werden. Für den Einsatz in Umgebungen mit besonders starken elektrischen Störungen wurde die [[langsame störsichere Logik]] (LSL) entwickelt. Weiterhin steht die [[emittergekoppelte Logik]] (ECL) für schnelle Applikationen zur Verfügung. Diese drei Technologien basieren alle auf [[Bipolartransistor]]en.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Darüber hinaus steht die [[Complementary metal-oxide-semiconductor|Complementary-MOS]]-Logik (CMOS-Logik) als neue Logikfamilie in der CMOS-Technologie durch Verwendung von [[Feldeffekttransistor]]en zur Verfügung.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Digitaltechnik]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Randbewohner</name></author>
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