https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&feed=atom&title=Diffusionstransistor 2026-05-21T05:18:42Z Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie MediaWiki 1.43.8 https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Diffusionstransistor&diff=1892428&oldid=prev 2025-11-17T06:51:47Z

<p>Bot: http → https</p> <p><b>Neue Seite</b></p><div>Als &#039;&#039;&#039;Diffusionstransistor&#039;&#039;&#039; bezeichnet man jeden [[Transistor]], bei dem die elektrisch aktiven Bereiche durch [[Diffusion]] von Fremdatomen ([[Dotierung]]) in ein [[Halbleiter]]-[[Substrat (Materialwissenschaft)|Substrat]] (z.&amp;nbsp;B. [[Silizium]]-[[Wafer]]) hergestellt werden. Diffusionstransistoren umfassen [[Bipolartransistor]]en und [[Feldeffekttransistor]]en.<br /> <br /> Mitarbeiter der [[Bell Laboratories|Bell Labs]] entwickelten 1954 den ersten Prototyp eines Diffusionsbipolartransistors, bei dem das Basisgebiet auf diese Weise hergestellt wurde.&lt;ref&gt;&#039;&#039;[https://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_Prototype_DiffusedBase.htm Bell Labs Prototype Diffused Base Germanium Silicon Transistor].&#039;&#039; Transistor Museum Photo Gallery, abgerufen am 10. Februar 2010.&lt;/ref&gt; Wichtige Vertreter dieser Gruppe von Transistoren sind unter anderem der [[Mesatransistor]] und der [[Planartransistor]].<br /> <br /> == Einzelnachweise ==<br /> &lt;references/&gt;<br /> <br /> [[Kategorie:Transistor]]</div>

imported>SchlurcherBot