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2024-07-30T05:24:34Z

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[[Datei:Backward diode.svg|mini|hochkant=0.4|[[Schaltzeichen]]]]

Die '''{{lang|en|Backward}}-Diode''' (dt. '''Rückwärtsdiode''', auch engl. „{{lang|en|back diode}}“<ref>{{Literatur |Autor=John B. Hopkins |Titel=Fabrication and Characteristics of Microwave Backward Diodes in Indium Arsenide |Verlag=National Aeronautics and Space Administration |Datum=1969 |Seiten=2 |Online={{Google Buch|BuchID=Ksc6_UFsLG0C|Seite=2|Hervorhebung="back diode" „backward“}}}}</ref>) ist eine Sonderform der [[Tunneldiode]].

== Funktionsweise ==
Im Vergleich zur normalen Tunneldiode wurde der charakteristische Stromhöcker fast vollständig unterdrückt. Durch diese Eigenschaft hat die Backward-Diode einen ca. 0,5 V breiten Bereich in der [[Strom-Spannungs-Kennlinie]], in dem sie einen nahezu konstanten Strom aufweist, der als Sperrstrom [[Interpretation|interpretiert]] werden kann. Zu beachten ist, dass das Kennlinienbild gegenüber der üblichen Darstellung bei der [[Tunneldiode]] um 180° gedreht ist.

Die Backward-Diode wird also in umgekehrter Richtung betrieben, daher auch ihr Name. Der fast flache Kennlinienbereich bis zu einer Spannung von etwa 0,5 V wird als Sperrbereich genutzt. Danach geht die Kennlinie wieder in den exponentiellen Verlauf einer normalen [[Diode]] über. Die Backward-Diode hat eine niedrige [[Durchlassspannung]] (niedriger Innenwiderstand) und weiterhin die hohe Geschwindigkeit der ursprünglichen Tunneldiode.

Ihr Einsatzgebiet war vor allem die Hochfrequenztechnik. Verwendet wurde sie hier als [[Gleichrichter]], in [[Mischer (Elektronik)|Mischerschaltungen]] oder in [[Hüllkurvendemodulator]]en bei kleinen Signalpegeln. Durch die Entwicklung alternativer aktiver Halbleiterbauelemente der [[Hochfrequenztechnik]] ist die Bedeutung der Backward-Diode fast völlig verloren gegangen und sie ist daher nur noch schwer erhältlich.

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Backwarddiode.jpg|Beispielkennlinie einer Backward-Diode
Backward Diode Band Diagram.svg|[[Banddiagramm]]e einer Backward-Diode bei verschiedenen extern angelegen Spannungen. Man sieht im rechten Bild, dass die Bänder zunächst stark verbogen werden und den Stromfluss behindern. Erhöht man die Spannung weiter, überlappen die Energieniveaus von Leitungs- und Valenzband auf engem Raum und Ladungsträger können durch „tunneln“ von einem Band ins andere fließen.
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== Literatur ==
* Wolfgang Bauer, Hans Herbert Wagener: ''Bauelemente und Grundschaltungen der Elektronik. Band 1: Bauelemente.'' 2. Auflage, Carl Hanser Verlag, München/Wien 1981, ISBN 3-446-13305-4.
* Franz Moeller, Hans Fricke, Paul Vaske, Heinrich Frohne: ''Grundlagen der Elektrotechnik.'' 17. Auflage, Springer Fachmedien, Wiesbaden 1986, ISBN 978-3-519-36400-9.
* Michael Reisch: ''Elektronische Bauelemente. Funktion – Grundschaltungen – Modellierung mit SPICE.'' Springer Verlag, Berlin / Heidelberg 1998, ISBN 978-3-662-06988-2.
* Leonhard Stiny: ''Aktive elektronische Bauelemente. Aufbau – Struktur – Wirkungsweise – Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile.'' Springer Fachmedien, Wiesbaden 2015, ISBN 978-3-658-09153-8.

== Weblinks ==
* [http://www.ece.stonybrook.edu/~serge/140.pdf INCREASED-FUNCTIONALITY VLSI-COMPATIBLE DEVICES BASED ON BACKWARD-DIODE] (abgerufen am 13. Oktober 2017)
* [https://www.betzler.physik.uni-osnabrueck.de/Skripten/Elektronik-Praktikum/v3/dioden.pdf Dioden] (abgerufen am 13. Oktober 2017)

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Diode]]
[[Kategorie:Hochfrequenzbauelement]]

Backward-Diode - Versionsgeschichte

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